1N6373 - 1N6381系列
（ ICTE -5 - ICTE -36，
MPTE -5 - MPTE -45）
1500瓦峰值功率
Mosorbt齐纳瞬态
电压抑制器
单向*
Mosorb设备旨在保护电压敏感
组件由高电压，高能量瞬变。他们有
出色的钳位能力，高浪涌能力，低齐纳
阻抗和快速响应时间。这些设备是
安森美半导体专有的，高性价比，高可靠性
Surmetict轴向引线封装，是理想的适合于用在
通信系统，数控系统，过程控制，
医疗设备，商用机器，电源和许多
其他工业/消费应用，以保护CMOS ， MOS和
双极集成电路。
规格特点
http://onsemi.com
阴极
阳极
轴向引线
CASE 41A
塑料
标记DIAGRAMS
A
MPTE
xx
1N
63xx
YYWWG
G
A
ICTE
xx
YYWWG
G
A
=大会地点
MPTE -XX = ON器件代码
1N63xx = JEDEC器件代码
ICTE -XX = ON器件代码
YY
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
工作峰值反向电压范围 - 5.0 V至45 V
峰值功率 - 1500瓦@ 1毫秒
ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型
最大钳位电压@峰值脉冲电流
低漏< 5
mA
上述10 V
响应时间通常< 1纳秒
无铅包可用*
机械特性
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料
表面处理：
所有的外部表面耐腐蚀和导线
随手可焊
最大的铅焊接温度的目的：
230_C ， 1/16“从10秒的情况下
极性：
阴极指示的极性带
安装位置：
任何
订购信息
设备
MPTE -XX ，G
MPTE - xxRL4 ，G
ICTE -XX ，G
ICTE - xxRL4 ，G
1N63xx ，G
包
轴向引线
（无铅）
轴向引线
（无铅）
轴向引线
（无铅）
轴向引线
（无铅）
轴向引线
（无铅）
轴向引线
（无铅）
航运
500单位/箱
1500 /磁带&卷轴
500单位/箱
1500 /磁带&卷轴
500单位/箱
1500 /磁带&卷轴
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
1N63xxRL4 ，G
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年12月 - 第4版
出版订单号：
1N6373/D
1N6373 - 1N6381系列（ ICTE -5 - ICTE -36， MPTE -5 - MPTE -45）
最大额定值
等级
峰值功耗（注1 ）
@ T
L
≤
25°C
稳态功耗@ T
L
≤
75 ° C，引线长度= 3/8 “
上述牛逼降额
L
= 75°C
热阻，结到铅
正向浪涌电流（注2 ）
@ T
A
= 25°C
工作和存储温度范围
符号
P
PK
P
D
R
qJL
I
FSM
T
J
, T
英镑
价值
1500
5.0
20
20
200
- 65 +175
单位
W
W
毫瓦/°C的
° C / W
A
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
按照图5 1.非重复性电流脉冲及以上牛逼降额
A
= 25 ℃，按照图2 。
2. 1/2正弦波（或同等学历方波） ， PW = 8.3毫秒，占空比= 4个脉冲每分钟最大。
*请参阅1N6382 - 1N6389 （ ICTE - 10C - ICTE - 36C ， MPTE - 8C - MPTE -45C ）的双向设备。
电气特性
(T
A
= 25°C ，除非
另有说明，V
F
= 3.5 V最大。 @我
F
（注3 ） = 100 A）
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
QV
BR
I
F
V
F
参数
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@ I
PP
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
V的最大温度变化
BR
正向电流
正向电压@ I
F
V
C
V
BR
V
RWM
I
F
I
I
R
V
F
I
T
V
I
PP
单向TVS
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2
1N6373 - 1N6381系列（ ICTE -5 - ICTE -36， MPTE -5 - MPTE -45）
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 3.5 V最大。 @我
F
（注3 ） = 100 A）
JEDEC
设备
（器件）
1N6373 ，G
（ MPTE - 5 ， G）
1N6374 ，G
（ MPTE - 8 ， G）
1N6375 ，G
(MPTE10,G)
1N6376 ，G
（ MPTE - 12 ， G）
1N6377 ，G
（ MPTE - 15 ， G）
1N6379 ，G
（ MPTE - 22 ， G）
1N6380 ，G
（ MPTE - 36 ， G）
1N6381 ，G
（ MPTE -45 ， G）
ICTE - 5 ，G
ICTE - 10 ，G
ICTE - 12 ，G
V
RWM
（注4 ）
（伏）
5.0
8.0
10
12
15
22
36
45
5.0
10
12
I
R
@
V
RWM
（MA ）
300
25
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
300
2.0
2.0
击穿电压
V
BR
（注5
)
（伏）
民
6.0
9.4
11.7
14.1
17.6
25.9
42.4
52.9
6.0
11.7
14.1
喃
最大
@ I
T
（MA ）
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
V
C
@ I
PP
（注6 ）
V
C
（伏）
9.4
15
16.7
21.2
25
37.5
65.2
78.9
9.4
16.7
21.2
I
PP
(A)
160
100
90
70
60
40
23
19
160
90
70
V
C
（伏）
（注6 ）
@ I
PP
=
1A
7.1
11.3
13.7
16.1
20.1
29.8
50.6
63.3
7.1
13.7
16.1
@ I
PP
=
10 A
7.5
11.5
14.1
16.5
20.6
32
54.3
70
7.5
14.1
16.5
QV
BR
（毫伏/ ° C）
4.0
8.0
12
14
18
26
50
60
4.0
8.0
12
设备
记号
1N6373
MPTE5
1N6374
MPTE8
1N6375
MPTE10
1N6376
MPTE12
1N6377
MPTE15
1N6379
MPTE22
1N6380
MPTE36
1N6381
MPTE45
ICTE5
ICTE10
ICTE12
ICTE - 15 ，G
ICTE15
15
2.0
17.6
1.0
25
60
20.1
20.6
14
ICTE - 18 ，G
ICTE18
18
2.0
21.2
1.0
30
50
24.2
25.2
18
ICTE - 22 ，G
ICTE22
22
2.0
25.9
1.0
37.5
40
29.8
32
21
ICTE -36 ，G
ICTE36
36
2.0
42.4
1.0
65.2
23
50.6
54.3
26
3，方波， PW = 8.3毫秒，不重复的占空比。
4.瞬态抑制器是根据最高工作峰值反向电压通常选择（V
RWM
），这应该等于或
比直流或连续峰值工作电压电平更大。
5. V
BR
在脉冲测试电流I测量
T
在25 ℃的环境温度和最低电压V中
BR
要被控制的。
按照图5和每图1和2减功率6.浪涌电流波形。
的“G ”后缀表示无铅封装。
http://onsemi.com
3
1N6373 - 1N6381系列（ ICTE -5 - ICTE -36， MPTE -5 - MPTE -45）
峰值脉冲降额的％
峰值功率或电流@ TA = 25
°
C
100
不重复
脉冲波形
如图5中所示
PPK ，峰值功率（kw ）
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
T
A
，环境温度（ ° C）
10
1
0.1
ms
1
ms
10
ms
100
ms
1毫秒
10毫秒
t
P
，脉宽
图1.脉冲额定值曲线
图2.脉冲降额曲线
1N6373 ， ICTE - 5 ， MPTE - 5 ，
通过
1N6389 ， ICTE - 45 ，C ， MPTE - 45 ，C
10,000
标准@
零偏压
C，电容（pF ）
1000
测量@ V
RWM
100
10
1
10
100
1000
V
BR
，击穿电压（伏）
图3.电容与击穿电压
PD ，稳态功耗（瓦）
3/8″
5
4
3
2
1
0
0
25
50
75
100 125 150 175
T
L
，焊接温度（ ° C）
200
0
0
IPP ，值（％ ）
3/8″
100
t
r
≤
10
ms
峰值 - 我
PP
脉冲宽度（T
P
）被定义为
这一点在峰值
电流衰减到我的50 ％
PP
.
半值 -
50
t
P
I
PP
2
1
2
吨，时间（ ms）的
3
4
图4.稳态功率降额
图5.脉冲波形
http://onsemi.com
4
1N6373 - 1N6381系列（ ICTE -5 - ICTE -36， MPTE -5 - MPTE -45）
1N6373 ， ICTE - 5 ， MPTE - 5 ，
通过
1N6389 ， ICTE - 45 ，C ， MPTE - 45 ，C
1000
500
信息技术，测试电流（安培）
200
100
50
20
10
5
2
1
0.3
0.5 0.7 1
2
3
5 7 10
20 30
DV
BR
，瞬加IN V
BR
上述V
BR （ NOM ）
（伏）
T
L
= 25°C
t
P
= 10
ms
V
BR（ MIN）的
= 6.0 11.7 V
19 V
42.4 V
21.2 V
1000
500
信息技术，测试电流（安培）
200
100
50
20
10
5
2
1
0.3
0.5 0.7 1
2
3
5 7 10
20 30
DV
BR
，瞬加IN V
BR
上述V
BR （ NOM ）
（伏）
180 V
120 V
T
L
= 25°C
t
P
= 10
ms
1.5KE6.8CA
通过
1.5KE200CA
V
BR （ NOM ）
= 6.8 13 V
20 V
24 V
43 V
75 V
图6.动态阻抗
1
0.7
0.5
0.3
降额因子
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
10
ms
0.01
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
D，占空比（ ％ ）
20
50
100
脉冲宽度
10毫秒
1毫秒
100
ms
图7.典型的降额因子的占空比
http://onsemi.com
5
QQ：2881677436 复制
