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MPSA70

晶体管放大器

PNP硅

特点

无铅包装是可用*

最大额定值

等级

集电极发射极电压

发射极基极电压连续

连续集电极电流 -

器件总功耗@ T

A

= 25°C

减免上述25℃

器件总功耗@ T

C

= 25°C

减免上述25℃

工作和存储结

温度范围

符号

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

D

P

D

T

J

, T

英镑

价值

40

4.0

100

625

5.0

1.5

12

-55到+150

单位

VDC

VDC

MADC

mW

毫瓦/°C的

W

毫瓦/°C的

°C

1

2

http://onsemi.com

集热器

3

2

BASE

1

辐射源

热特性

特征

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

符号

R

qJA

R

QJC

最大

200

83.3

单位

° C / W

° C / W

TO92

CASE 29-11

风格1

3

标记图

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

MPS

A70

AYWW

G

G

MPSA70 =器件代码

A

=大会地点

Y

=年

WW

=工作周

G

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

订购信息

设备

MPSA70RLRM

MPSA70RLRMG

包

TO92

TO92

（无铅）

航运

2000 /弹药包

2000 /弹药包

*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请

下载安森美半导体焊接与安装技术

参考手册， SOLDERRM / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2006年

1

2006年1月 - 第2版

出版订单号：

MPSA70/D

MPSA70

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

集电极发射极击穿电压（注1 ）

(I

C

= -1.0 MADC ，我

B

= 0)

发射-Base击穿电压

(I

E

= 100

MADC ，

I

C

= 0)

收藏家Cuto FF电流

(V

CB

= -30伏直流，我

E

= 0)

基本特征

直流电流增益

(I

C

= -5.0 MADC ，V

CE

= -10伏直流）

集电极发射极饱和电压

(I

C

= -10 MADC ，我

B

= -1.0 MADC ）

小信号特性

电流 - 获得 - 带宽积

(I

C

= -5.0 MADC ，V

CE

= -10伏直流， F = 100兆赫）

输出电容

(V

CB

= -10伏直流，我

E

= 0中，f = 1.0 MHz）的

1.脉冲测试：脉冲宽度

v

300

女士;

占空比

v

2.0%.

f

T

C

敖包

125

4.0

兆赫

pF

h

FE

V

CE （ SAT ）

40

400

0.25

VDC

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

40

4.0

100

VDC

VDC

NADC

符号

民

最大

单位

http://onsemi.com

2

MPSA70

典型噪声特性

(V

CE

= - 5.0伏直流电，T

A

= 25°C)

10

7.0

恩，噪声电压（NV ）

5.0

I

C

= 10

mA

30

mA

3.0

2.0

1.0毫安

100

mA

300

mA

带宽= 1.0赫兹

R

S

≈

0

中，噪声电流（PA ）

1.0

7.0

5.0

3.0

2.0

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

1.0

10

20

50

100 200

500 1.0 k

男，频率（Hz ）

2.0 k

5.0 k

10 k

0.1

10

20

50

100 200

500 1.0 k 2.0 k

男，频率（Hz ）

5.0 k

10 k

300

mA

100

mA

30

mA

10

mA

I

C

= 1.0毫安

带宽= 1.0赫兹

R

S

≈ ∞

图1.噪声电压

图2.噪声电流

RS ，源电阻（欧姆）

200 k

100 k

50 k

20 k

10 k

5.0 k

2.0 k

1.0 k

500

200

100

0.5分贝

1.0分贝

2.0分贝

3.0分贝

5.0分贝

10

20

30

50 70 100

200 300

I

C

，集电极电流（毫安）

RS ，源电阻（欧姆）

1.0 M

500 k

带宽= 1.0赫兹

1.0 M

500 k

200 k

100 k

50 k

20 k

10 k

5.0 k

2.0 k

1.0 k

500

200

100

带宽= 1.0赫兹

0.5分贝

1.0分贝

2.0分贝

3.0分贝

5.0分贝

10

20

30

50 70 100

200 300

I

C

，集电极电流（毫安）

500 700 1.0 k

500 700 1.0 k

图3.窄带， 100赫兹

图4.窄带， 1.0千赫

RS ，源电阻（欧姆）

1.0 M

500 k

200 k

100 k

50 k

20 k

10 k

5.0 k

2.0 k

1.0 k

500

200

100

0.5分贝

10 Hz至15.7千赫

噪声系数的定义是：

en2

)

4KTRS

)

在2RS2 1 2

4KTRS

e

n

=晶体管的噪声电压折合到输入端。（图3）

I

n

=晶体管的电流噪声折合到输入端。（图4）

K =波尔兹曼常数（ 1.38 ×10

23

焦耳/ ° K）的

源电阻的T =温度（° K）

R

S

=源电阻（欧姆）

NF

+

20 LOG10

1.0分贝

2.0分贝

3.0分贝

5.0分贝

10

20

30

50 70 100

200 300

500 700 1.0 k

I

C

，集电极电流（毫安）

图5.宽带

http://onsemi.com

3

MPSA70

典型静态特性

400

T

J

= 125°C

25°C

^ h FE ， DC电流增益

200

55

°C

100

80

60

40

0.003 0.005

MPSA70

V

CE

= 1.0 V

V

CE

= 10 V

0.01

0.02 0.03

0.05 0.07 0.1

0.2

0.3

0.5 0.7

1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

20

30

50 70 100

I

C

，集电极电流（毫安）

图6.直流电流增益

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

1.0

0.8

I

C

= 1.0毫安

10毫安

50毫安

百毫安

IC ，集电极电流（毫安）

T

A

= 25°C

MPSA70

100

T

A

= 25°C

脉冲宽度= 300

ms

80占空比

≤

2.0%

300

mA

60

I

B

= 400

mA

350

mA

250

mA

200

mA

150

mA

0.6

0.4

40

20

0

100

mA

50

mA

0.2

0

0.002 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0

I

B

，基极电流（毫安）

5.0 10

20

0

5.0

10

15

20

25

30

35

V

CE

，集电极 - 发射极电压（伏）

40

图7.集电极饱和区

图8.收藏家特点

1.2

V，电压（V ）

1.0

0.8

T

J

= 25°C

θ

V，温度系数（MV /

°

C)

1.4

1.6

*适用于我

C

/I

B

≤

h

FE

/2

0.8

*q

VC

对于V

CE （ SAT ）

0

- 55 ° C至25°C时

0.8

25 ° C至125°C

1.6

q

VB

对于V

BE

0.2

0.5

1.0

2.0

5.0

10

- 55 ° C至25°C时

20

50

100

25 ° C至125°C

V

BE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 10

0.6

0.4

0.2

0

0.1

V

BE（上）

@ V

CE

= 1.0 V

V

CE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 10

0.2

0.5

1.0

2.0

5.0

10

20

50

100

2.4

0.1

I

C

，集电极电流（毫安）

I

C

，集电极电流（毫安）

图9. “开”电压

图10.温度系数

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4

MPSA70

典型的动态特性

500

300

200

100

70

50

30

20

10

7.0

5.0

1.0

t

d

@ V

BE （OFF）的

= 0.5 V

t

r

V

CC

= 3.0 V

I

C

/I

B

= 10

T

J

= 25°C

1000

700

500

300

200

T， TIME （ NS ）

100

70

50

30

20

10

1.0

t

s

V

CC

= 3.0 V

I

C

/I

B

= 10

I

B1

= I

B2

T

J

= 25°C

T， TIME （ NS ）

t

f

2.0

3.0

5.0 7.0

10

20

30

50 70

100

I

C

，集电极电流（毫安）

2.0 3.0 5.0 7.0 10

20 30

I

C

，集电极电流（毫安）

50 70 100

图11.开启时间

带宽积（兆赫）

图12.开启，关闭时间

500

T

J

= 25°C

300

200

V

CE

= 20 V

5.0 V

C，电容（pF ）

10

7.0

C

ib

5.0

T

J

= 25°C

3.0

2.0

C

ob

F T ，电流增益

100

70

50

0.5 0.7 1.0

2.0

3.0

5.0 7.0

10

20

30

50

1.0

0.05

0.1

0.2

0.5

1.0

2.0

5.0

10

20

50

I

C

，集电极电流（毫安）

V

R

，反向电压（伏）

图13.电流增益 - 带宽积

图14.电容

20

缺氧缺血性脑病，输入阻抗（K

Ω

)

10

7.0

5.0

3.0

2.0

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.2

0.5

MPSA70

h

fe

≈

200

@ I

C

= -1.0毫安

锄头，输出导纳（

m

姆欧）

V

CE

= -10伏直流

F = 1.0千赫

T

A

= 25°C

200

100

70

50

30

20

10

7.0

5.0

3.0

2.0

0.1

V

CE

= 10 VDC

F = 1.0千赫

T

A

= 25°C

MPSA70

h

fe

≈

200

@ I

C

= 1.0毫安

20

1.0 2.0

5.0

10

I

C

，集电极电流（毫安）

50

100

0.2

0.5

20

1.0 2.0

5.0

10

I

C

，集电极电流（毫安）

50

100

图15.输入阻抗

图16.输出导纳

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5

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联系人：朱成平

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联系人：朱

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