MC74HC86A
四2输入异
或门
高性能硅栅CMOS
该MC74HC86A在引出线的LS86相同。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器，它们与LSTTL输出兼容。
http://onsemi.com
记号
图表
14
PDIP–14
SUF科幻X
CASE 646
MC74HC86AN
AWLYYWW
1
14
SOIC–14
后缀
CASE 751A
1
14
3
Y1
TSSOP–14
DT后缀
CASE 948G
Y = A
⊕
B
9
10
12
13
= AB + AB
8
Y3
14脚VCC =
PIN 7 = GND
11
Y4
A
HC
86A
ALYW
HC86A
AWLYWW
输出驱动能力： 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2 6 V
低输入电流： 1
A
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 56场效应管或14个等效门
逻辑图
A1
B1
A2
B2
A3
B3
A4
B4
1
2
4
5
6
Y2
1
A
=大会地点
WL或L =晶圆地段
YY或Y =年
WW或W =工作周
功能表
输入
B
L
H
L
H
L
L
H
H
产量
Y
L
H
H
L
引脚分配
A1
B1
Y1
A2
B2
Y2
GND
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
VCC
B4
A4
Y4
B3
A3
Y3
订购信息
设备
MC74HC86AN
MC74HC86AD
MC74HC86ADR2
MC74HC86ADT
MC74HC86ADTR2
包
PDIP–14
SOIC–14
SOIC–14
TSSOP–14
TSSOP–14
航运
2000 /箱
55 /铁
2500 /卷
96 /铁
2500 /卷
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年3月 - 第2版
出版订单号：
MC74HC86A/D
MC74HC86A
最大额定值*
符号
VCC
VIN
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
450
VOUT
IIN
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
IOUT
直流输出电流，每个引脚
ICC
PD
直流电源电流， VCC和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
TSTG
TL
储存温度
- 65至+ 150
260
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
v
v
_
C
_
C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装）
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
VCC
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
VIN，VOUT
TA
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
VCC
– 55
0
0
0
+ 125
1000
500
400
_
C
ns
TR ， TF
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
VIH
参数
测试条件
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25
_
C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
v
85
_
C
v
125
_
C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
单位
V
最低高电平输入
电压
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
VIL
最大低电平输入
电压
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
V
VOH
最小高电平输出
电压
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
v
V
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
v
2.4毫安
v
4.0毫安
v
5.2毫安
2.48
3.98
5.48
2.34
3.84
5.34
2.20
3.70
5.20
http://onsemi.com
2
MC74HC86A
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
VOL
参数
测试条件
VCC
V
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
- 55
25
_
C
0.1
0.1
0.1
v
85
_
C
v
125
_
C
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
0.33
0.40
0.40
0.40
单位
V
最大低电平输出
电压
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
v
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
VIN = VCC或GND
VIN = VCC或GND
IOUT = 0
A
v
2.4毫安
v
4.0毫安
v
5.2毫安
0.26
0.26
0.26
IIN
最大输入漏
当前
±
0.1
1.0
±
1.0
10
±
1.0
40
A
A
ICC
最大静态电源
电流（每包）
注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
AC电气特性
（ CL = 50 pF的输入T， TF = 6 = NS）
保证限额
符号
tPLH的，
的TPH1
参数
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
—
- 55
25
_
C
100
80
20
17
75
30
15
13
10
v
85
_
C
v
125
_
C
125
90
25
21
95
40
19
16
10
150
110
31
26
110
55
22
19
10
单位
ns
最大传输延迟，输入A或B到输出Y
（图1和图2）
tTLH ，
TTHL
最大输出转换时间，任何输出
（图1和图2）
ns
CIN
最大输入电容
pF
注意事项：
1.对于传播延迟与负载以外50 pF的，看到安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
典型参数值2.信息可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
CPD
功率耗散电容（每门） *
33
pF
*用于确定无负载的动态功耗： PD = C PD V CC 2 F + I CC V CC 。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
http://onsemi.com
3
MC74HC86A
包装尺寸
PDIP–14
SUF科幻X
CASE 646-06
ISSUE L
14
8
B
1
7
注意事项：
1. LEADS WITHIN 0.13 （ 0.005 ） RADIUS真
位置底座面最大
物质条件。
2.尺寸L为中央导线时的
平行地形成。
3.尺寸B不包括塑模
闪光灯。
4.圆角可选。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
N
英寸
民
最大
0.715
0.770
0.240
0.260
0.145
0.185
0.015
0.021
0.040
0.070
0.100 BSC
0.052
0.095
0.008
0.015
0.115
0.135
0.300 BSC
0
_
10
_
0.015
0.039
MILLIMETERS
民
最大
18.16
19.56
6.10
6.60
3.69
4.69
0.38
0.53
1.02
1.78
2.54 BSC
1.32
2.41
0.20
0.38
2.92
3.43
7.62 BSC
0
_
10
_
0.39
1.01
A
F
C
N
H
G
D
座位
飞机
L
J
K
M
SOIC–14
后缀
CASE 751A -03
本期
–A–
14
8
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 （ 0.006 ）
每边。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127 （ 0.005 ） TOTAL
超过D尺寸的
最大的物质条件。
–B–
1
7
P
7 PL
0.25 (0.010)
M
B
M
G
C
R
X 45
_
F
–T–
座位
飞机
D
14 PL
0.25 (0.010)
K
M
M
S
J
T B
A
S
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
民
最大
8.55
8.75
3.80
4.00
1.35
1.75
0.35
0.49
0.40
1.25
1.27 BSC
0.19
0.25
0.10
0.25
0
_
7
_
5.80
6.20
0.25
0.50
英寸
民
最大
0.337
0.344
0.150
0.157
0.054
0.068
0.014
0.019
0.016
0.049
0.050 BSC
0.008
0.009
0.004
0.009
0
_
7
_
0.228
0.244
0.010
0.019
http://onsemi.com
5
摩托罗拉
半导体技术资料
四2输入异
或门
高性能硅栅CMOS
在MC54 / 74HC86A在引出线的LS86相同的;该装置是
在功能上MM74C86和L86相似，但有不同的引脚排列。该
设备输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器，它们与LSTTL输出兼容。
输出驱动能力： 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2 6 V
低输入电流： 1
A
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 56场效应管或14个等效门
MC54/74HC86A
后缀
陶瓷封装
CASE 632-08
1
14
14
1
SUF科幻X
塑料包装
CASE 646-06
14
1
后缀
SOIC封装
CASE 751A -03
14
1
DT后缀
TSSOP封装
CASE 948G -01
逻辑图
订购信息
A1
B1
A2
B2
A3
B3
A4
B4
1
2
4
5
9
10
12
13
3
Y1
MC54HCXXAJ
MC74HCXXAN
MC74HCXXAD
MC74HCXXADT
陶瓷的
塑料
SOIC
TSSOP
6
Y2
Y = A
⊕
B
= AB + AB
引脚分配
A1
B1
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
VCC
B4
A4
Y4
B3
A3
Y3
8
Y3
11
Y1
Y4
A2
B2
Y2
GND
14脚VCC =
PIN 7 = GND
功能表
输入
A
L
L
H
H
B
L
H
L
H
产量
Y
L
H
H
L
3/97
摩托罗拉1997年公司
1
REV 1
MC54/74HC86A
最大额定值*
符号
VCC
VIN
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
450
VOUT
IIN
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
IOUT
直流输出电流，每个引脚
ICC
PD
直流电源电流， VCC和GND引脚
功率消耗在静止空气中，塑料或陶瓷DIP
SOIC封装
TSSOP封装
储存温度
mW
TSTG
TL
- 65至+ 150
260
300
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
v
v
_
C
_
C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装）
（陶瓷DIP ）
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
陶瓷DIP ： - 10毫瓦/
_
c从100
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参阅摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
VCC
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
VIN，VOUT
TA
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
VCC
– 55
0
0
0
+ 125
1000
500
400
_
C
ns
TR ， TF
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
S B升
VIH
参数
P
试验C迪我
T
条件
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25
_
C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
v
85
_
C
v
125
_
C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
单位
U I
V
最低高电平输入
电压
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
v
VIL
最大低电平输入
电压
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
V
VOH
最小高电平输出
电压
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
V
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
v
2.4毫安
v
4.0毫安
v
5.2毫安
2.48
3.98
5.48
2.34
3.84
5.34
2.20
3.70
5.20
摩托罗拉
2
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
MC54/74HC86A
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
VOL
参数
测试条件
VCC
V
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
- 55
25
_
C
0.1
0.1
0.1
v
85
_
C
v
125
_
C
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
0.33
0.40
0.40
0.40
单位
V
最大低电平输出
电压
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
v
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
VIN = VCC或GND
VIN = VCC或GND
IOUT = 0
A
v
2.4毫安
v
4.0毫安
v
5.2毫安
0.26
0.26
0.26
IIN
最大输入漏电流
最大静态电源
电流（每包）
±
0.1
1.0
±
1.0
10
±
1.0
40
A
A
ICC
注：关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
AC电气特性
（ CL = 50 pF的输入T， TF = 6 = NS）
保证限额
符号
S B升
tPLH的，
的TPH1
参数
P
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
—
- 55
25
_
C
100
80
20
17
75
30
15
13
10
v
85
_
C
v
125
_
C
125
90
25
21
95
40
19
16
10
150
110
31
26
110
55
22
19
10
单位
U I
ns
最大传输延迟，输入A或B到输出Y
（图1和图2）
tTLH ，
TTHL
最大输出转换时间，任何输出
（图1和图2）
ns
CIN
最大输入电容
pF
注意事项：
1.对于传播延迟与负载以外50 pF的，看到摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
典型参数值2.信息可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
CPD
功耗
P
迪I I电容（P G） *
i
（每门） *
33
pF
F
*用于确定无负载的动态功耗： PD = C PD V CC 2 F + I CC V CC 。对于负载的考虑，见第2章
摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
3
摩托罗拉
MC54/74HC86A
外形尺寸
后缀
陶瓷DIP封装
CASE 632-08
ISSUE
8
-A-
14
-B-
1
7
C
L
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.尺寸L TO领先时中心
平行地形成。
4. DIMESNION F可以收窄至0.76 （ 0.030 ）
WHERE领先进入陶瓷
体。
英寸
民
最大
0.750 0.785
0.245 0.280
0.155 0.200
0.015 0.020
0.055 0.065
0.100 BSC
0.008 0.015
0.125 0.170
0.300 BSC
0°
15°
0.020 0.040
MILLIMETERS
民
最大
19.05 19.94
6.23
7.11
3.94
5.08
0.39
0.50
1.40
1.65
2.54 BSC
0.21
0.38
3.18
4.31
7.62 BSC
0°
15°
0.51
1.01
-T-
座位
飞机
K
F
G
D
14 PL
0.25 (0.010)
M
N
T A
S
M
J
14 PL
0.25 (0.010)
M
T
B
S
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
L
M
N
SUF科幻X
塑料DIP封装
CASE 646-06
ISSUE L
14
8
B
1
7
注意事项：
1. LEADS WITHIN 0.13 （ 0.005 ） RADIUS真
位置底座面最大
物质条件。
2.尺寸L为中央导线时的
平行地形成。
3.尺寸B不包括塑模
闪光灯。
4.圆角可选。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
N
英寸
民
最大
0.715
0.770
0.240
0.260
0.145
0.185
0.015
0.021
0.040
0.070
0.100 BSC
0.052
0.095
0.008
0.015
0.115
0.135
0.300 BSC
0
_
10
_
0.015
0.039
MILLIMETERS
民
最大
18.16
19.56
6.10
6.60
3.69
4.69
0.38
0.53
1.02
1.78
2.54 BSC
1.32
2.41
0.20
0.38
2.92
3.43
7.62 BSC
0
_
10
_
0.39
1.01
A
F
C
N
H
G
D
座位
飞机
L
J
K
M
–A–
14
8
后缀
塑料SOIC封装
CASE 751A -03
本期
–B–
1
7
P
7 PL
0.25 (0.010)
M
B
M
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 （ 0.006 ）
每边。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127 （ 0.005 ） TOTAL
超过D尺寸的
最大的物质条件。
G
C
R
X 45°
F
座位
飞机
D
14 PL
K
M
M
B
S
J
0.25 (0.010)
T
A
S
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
民
最大
8.75
8.55
4.00
3.80
1.75
1.35
0.49
0.35
1.25
0.40
1.27 BSC
0.25
0.19
0.25
0.10
7°
0°
5.80
6.20
0.25
0.50
英寸
民
最大
0.337 0.344
0.150 0.157
0.054 0.068
0.014 0.019
0.016 0.049
0.050 BSC
0.008 0.009
0.004 0.009
7°
0°
0.228 0.244
0.010 0.019
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
5
摩托罗拉
摩托罗拉
半导体技术资料
四2输入异
或门
高性能硅栅CMOS
在MC54 / 74HC86A在引出线的LS86相同的;该装置是
在功能上MM74C86和L86相似，但有不同的引脚排列。该
设备输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器，它们与LSTTL输出兼容。
输出驱动能力： 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2 6 V
低输入电流： 1
A
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
第7A号
芯片的复杂性： 56场效应管或14个等效门
MC54/74HC86A
后缀
陶瓷封装
CASE 632-08
1
14
14
1
SUF科幻X
塑料包装
CASE 646-06
14
1
后缀
SOIC封装
CASE 751A -03
14
1
DT后缀
TSSOP封装
CASE 948G -01
逻辑图
订购信息
A1
B1
A2
B2
A3
B3
A4
B4
1
2
4
5
9
10
12
13
3
Y1
MC54HCXXAJ
MC74HCXXAN
MC74HCXXAD
MC74HCXXADT
陶瓷的
塑料
SOIC
TSSOP
6
Y2
Y = A
⊕
B
= AB + AB
引脚分配
A1
B1
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
VCC
B4
A4
Y4
B3
A3
Y3
8
Y3
11
Y1
Y4
A2
B2
Y2
GND
14脚VCC =
PIN 7 = GND
功能表
输入
A
L
L
H
H
B
L
H
L
H
产量
Y
L
H
H
L
3/97
摩托罗拉1997年公司
1
REV 1
MC54/74HC86A
最大额定值*
符号
VCC
VIN
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
- 0.5 VCC + 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
450
VOUT
IIN
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
mA
mA
mA
IOUT
直流输出电流，每个引脚
ICC
PD
直流电源电流， VCC和GND引脚
功率消耗在静止空气中，塑料或陶瓷DIP
SOIC封装
TSSOP封装
储存温度
mW
TSTG
TL
- 65至+ 150
260
300
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
v
v
_
C
_
C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装）
（陶瓷DIP ）
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
陶瓷DIP ： - 10毫瓦/
_
c从100
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参阅摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
VCC
参数
民
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压（参考GND）
VIN，VOUT
TA
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
VCC
– 55
0
0
0
+ 125
1000
500
400
_
C
ns
TR ， TF
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
S B升
VIH
参数
P
试验C迪我
T
条件
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25
_
C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
v
85
_
C
v
125
_
C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
单位
U I
V
最低高电平输入
电压
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
v
v
v
VIL
最大低电平输入
电压
VOUT = 0.1 V或VCC - 0.1 V
|电流输出|
20
A
V
VOH
最小高电平输出
电压
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
V
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
v
2.4毫安
v
4.0毫安
v
5.2毫安
2.48
3.98
5.48
2.34
3.84
5.34
2.20
3.70
5.20
摩托罗拉
2
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
MC54/74HC86A
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
VOL
参数
测试条件
VCC
V
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
- 55
25
_
C
0.1
0.1
0.1
v
85
_
C
v
125
_
C
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
0.33
0.40
0.40
0.40
单位
V
最大低电平输出
电压
VIN = VIH或VIL
|电流输出|
20
A
v
VIN = VIH或VIL |电流输出|
|电流输出|
|电流输出|
VIN = VCC或GND
VIN = VCC或GND
IOUT = 0
A
v
2.4毫安
v
4.0毫安
v
5.2毫安
0.26
0.26
0.26
IIN
最大输入漏电流
最大静态电源
电流（每包）
±
0.1
1.0
±
1.0
10
±
1.0
40
A
A
ICC
注：关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
AC电气特性
（ CL = 50 pF的输入T， TF = 6 = NS）
保证限额
符号
S B升
tPLH的，
的TPH1
参数
P
VCC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
—
- 55
25
_
C
100
80
20
17
75
30
15
13
10
v
85
_
C
v
125
_
C
125
90
25
21
95
40
19
16
10
150
110
31
26
110
55
22
19
10
单位
U I
ns
最大传输延迟，输入A或B到输出Y
（图1和图2）
tTLH ，
TTHL
最大输出转换时间，任何输出
（图1和图2）
ns
CIN
最大输入电容
pF
注意事项：
1.对于传播延迟与负载以外50 pF的，看到摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
典型参数值2.信息可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
典型的25°C ， VCC = 5.0 V
CPD
功耗
P
迪I I电容（P G） *
i
（每门） *
33
pF
F
*用于确定无负载的动态功耗： PD = C PD V CC 2 F + I CC V CC 。对于负载的考虑，见第2章
摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
3
摩托罗拉
MC54/74HC86A
外形尺寸
后缀
陶瓷DIP封装
CASE 632-08
ISSUE
8
-A-
14
-B-
1
7
C
L
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.尺寸L TO领先时中心
平行地形成。
4. DIMESNION F可以收窄至0.76 （ 0.030 ）
WHERE领先进入陶瓷
体。
英寸
民
最大
0.750 0.785
0.245 0.280
0.155 0.200
0.015 0.020
0.055 0.065
0.100 BSC
0.008 0.015
0.125 0.170
0.300 BSC
0°
15°
0.020 0.040
MILLIMETERS
民
最大
19.05 19.94
6.23
7.11
3.94
5.08
0.39
0.50
1.40
1.65
2.54 BSC
0.21
0.38
3.18
4.31
7.62 BSC
0°
15°
0.51
1.01
-T-
座位
飞机
K
F
G
D
14 PL
0.25 (0.010)
M
N
T A
S
M
J
14 PL
0.25 (0.010)
M
T
B
S
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
L
M
N
SUF科幻X
塑料DIP封装
CASE 646-06
ISSUE L
14
8
B
1
7
注意事项：
1. LEADS WITHIN 0.13 （ 0.005 ） RADIUS真
位置底座面最大
物质条件。
2.尺寸L为中央导线时的
平行地形成。
3.尺寸B不包括塑模
闪光灯。
4.圆角可选。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
N
英寸
民
最大
0.715
0.770
0.240
0.260
0.145
0.185
0.015
0.021
0.040
0.070
0.100 BSC
0.052
0.095
0.008
0.015
0.115
0.135
0.300 BSC
0
_
10
_
0.015
0.039
MILLIMETERS
民
最大
18.16
19.56
6.10
6.60
3.69
4.69
0.38
0.53
1.02
1.78
2.54 BSC
1.32
2.41
0.20
0.38
2.92
3.43
7.62 BSC
0
_
10
_
0.39
1.01
A
F
C
N
H
G
D
座位
飞机
L
J
K
M
–A–
14
8
后缀
塑料SOIC封装
CASE 751A -03
本期
–B–
1
7
P
7 PL
0.25 (0.010)
M
B
M
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 （ 0.006 ）
每边。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127 （ 0.005 ） TOTAL
超过D尺寸的
最大的物质条件。
G
C
R
X 45°
F
座位
飞机
D
14 PL
K
M
M
B
S
J
0.25 (0.010)
T
A
S
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
民
最大
8.75
8.55
4.00
3.80
1.75
1.35
0.49
0.35
1.25
0.40
1.27 BSC
0.25
0.19
0.25
0.10
7°
0°
5.80
6.20
0.25
0.50
英寸
民
最大
0.337 0.344
0.150 0.157
0.054 0.068
0.014 0.019
0.016 0.049
0.050 BSC
0.008 0.009
0.004 0.009
7°
0°
0.228 0.244
0.010 0.019
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
5
摩托罗拉
QQ：2881677436 复制
