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MPS5172
通用晶体管
NPN硅
特点
无铅包可用*
http://onsemi.com
集热器
3
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
总功率耗散@ T
A
= 60°C
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
P
D
P
D
T
J
, T
英镑
价值
25
25
5.0
100
625
5.0
450
1.5
12
-55到+150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
mW
W
毫瓦/°C的
°C
TO-92 (TO- 226)
CASE 29
风格1
2
BASE
1
辐射源
1
2
3
热特性
特征
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
符号
R
qJA
R
QJC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
MPS
5172
AYWWG
G
标记图
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不正常
操作条件),并同时无效。如果超出这些限制,
设备功能操作不暗示,可能会出现损伤和可靠性
会受到影响。
MPS5172 =器件代码
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
订购信息
设备
MPS5172
MPS5172G
MPS5172RLRM
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术参考
手动, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
TO92
TO92
(无铅)
TO92
TO92
(无铅)
航运
5000 /散装
5000 /散装
2000 /弹药包
2000 /弹药包
MPS5172RLRMG
1
2005年12月 - 第2版
出版订单号:
MPS5172/D
MPS5172
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压(注1 )
(I
C
= 10 mA时,我
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 25 V,I
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 25 V,I
E
= 0)
(V
CB
= 25 V,I
E
= 0, T
A
= 100°C)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 5.0 V,I
C
= 0)
基本特征
(注1 )
直流电流增益
(V
CE
= 10 V,I
C
= 10 mA)的
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10 MADC ,我
B
= 1.0 MADC )
基射极电压ON
(I
C
= 10 MADC ,V
CE
= 10 V)
小信号特性
集电极 - 基极电容
(V
CB
= 10 V , F = 1.0兆赫)
小信号电流增益
(I
C
= 10 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 1.0千赫)
1.脉冲测试:脉冲宽度
300
女士,
占空比
2.0%.
C
cb
h
fe
1.6
100
10
750
pF
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
100
0.5
500
0.25
1.25
VDC
VDC
V
( BR ) CEO
I
CES
I
CBO
I
EBO
100
10
100
NADC
MADC
NADC
25
100
VDC
NADC
符号
最大
单位
http://onsemi.com
2
MPS5172
典型静态特性
400
T
J
= 125°C
^ h FE , DC电流增益
200
25°C
55°C
80
60
40
0.004 0.006 0.01
V
CE
= 1.0 V
V
CE
= 10 V
0.02 0.03
0.05 0.07 0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
I
C
,集电极电流(毫安)
3.0
5.0 7.0 10
20
30
50
70 100
100
图1.直流电流增益
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
1.0
T
J
= 25°C
IC ,集电极电流(毫安)
0.8
I
C
= 1.0毫安
10毫安
50毫安
百毫安
100
T
A
= 25°C
脉冲宽度= 300
ms
80占空比
2.0%
I
B
= 500
mA
400
mA
300
mA
0.6
60
200
mA
40
100
mA
20
0
0.4
0.2
0
0.002 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0
I
B
,基极电流(毫安)
5.0 10
20
0
5.0
10
15
20
25
30
35
V
CE
,集电极 - 发射极电压(伏)
40
图2.集电极饱和区
图3.收集特性
1.2
V,电压(V )
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
T
J
= 25°C
θ
V,温度系数(MV /
°
C)
1.4
1.6
0.8
*适用于我
C
/I
B
h
FE
/2
25 ° C至125°C
V
BE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE(上)
@ V
CE
= 1.0 V
0
*q
VC
对于V
CE ( SAT )
- 55 ° C至25°C时
0.8
25 ° C至125°C
1.6
q
VB
对于V
BE
0.2
- 55 ° C至25°C时
50
100
V
CE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
0.2
0.5 1.0 2.0
5.0
10
20
I
C
,集电极电流(毫安)
50
100
2.4
0.1
0.5
1.0 2.0
5.0 10 20
I
C
,集电极电流(毫安)
图4. “开”电压
图5.温度系数
http://onsemi.com
3
MPS5172
典型的动态特性
F T ,电流增益带宽积(兆赫)
500
T
J
= 25°C
F = 100 MHz的
300
200
C,电容(pF )
V
CE
= 20 V
5.0 V
10
7.0
5.0
C
ib
C
ob
T
J
= 25°C
F = 1.0 MHz的
3.0
2.0
100
70
50
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50
1.0
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
I
C
,集电极电流(毫安)
V
R
,反向电压(伏)
图6.电流增益 - 带宽积
图7.电容
http://onsemi.com
4
MPS5172
R(T ),瞬态热阻
(归一化)
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100 200
P
( PK)
t
1
t
2
图9
占空比D = T
1
/t
2
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT&T
1
(见AN- 569 )
Z
qJA (T )
= R (t)的
R
qJA
T
J(下PK)
T
A
= P
( PK)
Z
qJA (T )
0.01
0.01 0.02
500 1.0 k 2.0 k
5.0 k 10 k 20 k 50 k 100 k
吨,时间( ms)的
图8.热响应
10
4
V
CC
= 30 V直流
IC ,集电极电流( NA)
10
3
10
2
10
1
10
0
10
1
10
2
40 20
I
CBO
I
CEX
@ V
BE (OFF)的
= 3.0伏
I
首席执行官
设计说明:使用热响应数据
0
+ 20
+ 40
+ 60
+ 80 + 100 + 120 + 140 + 160
T
J
,结温( ° C)
网络连接gure 10 。
400
IC ,集电极电流(毫安)
200
100
60
40
20
10
6.0
4.0
2.0
1.0毫秒
T
C
= 25°C
T
A
= 25°C
dc
100
ms
10
ms
1.0 s
期刊功率脉冲串可以表示
利用该模型,并在DE-在图9所示的模型作为
副热响应归一化的有效瞬态
图8中的耐热性进行了计算各种
占空比。
qJA (T )
,乘以从图中得到的值
8由稳态值R
qJA
.
例如:
该MPS3904正在消退的后续下2.0瓦特高峰
荷兰国际集团的条件:
t
1
= 1.0毫秒,T
2
= 5.0毫秒。 (D = 0.2)
使用图8以1.0毫秒的脉冲宽度和D = 0.2,则
阅读R(T )是0.22 。
因此,峰值上升,结温
DT
= R(T )× P
( PK)
个R
qJA
= 0.22 ×2.0 ×200 = 88 ℃。
欲了解更多信息,请参见安森美半导体的应用
笔记中AN569 / D ,可从文献分布
化中心或在我们的网站www.onsemi.com 。
dc
T
J
= 150°C
电流限制
热限制
第二击穿极限
4.0
6.0
8.0
10
20
40
V
CE
,集电极 - 发射极电压(伏)
安全工作区曲线表明我
C
V
CE
范围
必须可靠运行被观察的晶体管。
具体电路集电极负载线必须低于
由适用的曲线所示限度。
图11的数据是基于
J(下PK)
= 150_C ;牛逼
C
or
T
A
是可变的,这取决于条件。脉冲曲线
有效的占空比来假定T 10 %
J(下PK)
150℃。牛逼
J(下PK)
可以从数据中计算图8中在高的情况下或
环境温度下,热限制将减少
可处理到值小于限制功率
通过二次击穿的罚款。
图11 。
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MPS5172RLRM
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-22929859
联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
MPS5172RLRM
ON
2025+
26820
TO-226-3
【原装优势★★★绝对有货】
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
MPS5172RLRM
onsemi
24+
10000
TO-92(TO-226)
原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
MPS5172RLRM
onsemi
24+
10000
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全新原装现货,原厂代理。
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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√ 欧美㊣品
▲10/11+
9098
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ON/安森美
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TO-92-3
全新原装正品/质量有保证
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8812
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