MC74LCX573
低电压CMOS
八路透明锁存器
引脚排列流
与5 V容限输入和输出
（三态，非反相）
该MC74LCX573是一种高性能的，非反相八进制
透明锁存器从2.3至3.6 V电源供电。高
阻抗TTL兼容的输入显著降低电流
加载输入驱动器，而TTL兼容输出提供改进
开关噪声性能。 A V
I
规范的5.5 V允许
MC74LCX573投入安全地驱动从5.0 V设备。
该MC74LCX573包含8个D型锁存器与三态标准
输出。当锁存使能（ LE ）输入为高电平，对DN数据
输入端进入锁存器。在这种情况下，锁存器是透明的，
也就是说，锁存器输出将每次的D输入的变化而变化的状态。
当LE为低电平时，锁存器存储，这是存在的信息
在D输入建立时间高至低跳变前
的LE 。 3态输出标准由输出控制
启用（ OE ）输入。当OE为低电平时，标准输出
启用。当OE为高电平时，标准输出处于高
阻抗状态，但这并不与新的数据进入干涉
所述锁存器。通过设计LCX573流程方便易PC
电路板布局。
特点
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记号
图表
20
SOIC20
DW后缀
CASE 751D
1
LCX573
AWLYYWWG
20
1
20
TSSOP20
DT后缀
CASE 948E
1
LCX
573
ALYWG
G
20
1
20
SOEIAJ20
M后缀
CASE 967
1
74LCX573
AWLYWWG
专为2.3 3.6 V V
CC
手术
5.0 V的容错 - 接口能力，具有5.0 V TTL逻辑
支持实时插入和拔出
I
关闭
规范保证高阻抗当V
CC
= 0 V
LVTTL兼容
LVCMOS兼容
24毫安平衡输出库和源能力
20
1
在附近的所有三个逻辑状态零静态电流（ 10
毫安）
大幅度降低了系统电源要求
闭锁性能超过500 mA。
A
=大会地点
L， WL
=晶圆地段
Y, YY
=年
W， WW =工作周
G
= Pb-Free包装
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第3页。
ESD性能：
人体模型>2000 V
机器型号>200 V
无铅包可用*
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年5月 - 启示录7
出版订单号：
MC74LCX573/D
MC74LCX573
最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
参数
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
DC输出源/灌电流
每个电源引脚DC电源电流
每个接地引脚直流接地电流
价值
-0.5到+7.0
0.5
≤
V
I
≤
+7.0
0.5
≤
V
O
≤
+7.0
0.5
≤
V
O
≤
V
CC
+ 0.5
50
50
+50
±50
±100
±100
输出三态
输出高电平或者低电平状态（注1 ）
V
I
＆ LT ; GND
V
O
＆ LT ; GND
V
O
＆ GT ; V
CC
条件
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
T
英镑
存储温度范围
-65到+150
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1. I
O
绝对最大额定值必须遵守。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
I
OH
电源电压
输入电压
输出电压
高电平输出电流
（高或低状态）
(3State)
V
CC
= 3.0 V 3.6 V
V
CC
= 2.7 V 3.0 V
V
CC
= 2.3 V 2.7 V
V
CC
= 3.0 V 3.6 V
V
CC
= 2.7 V 3.0 V
V
CC
= 2.3 V 2.7 V
40
0
参数
操作
数据保存时间只有
民
2.0
1.5
0
0
0
典型值
2.5, 3.3
2.5, 3.3
最大
3.6
3.6
5.5
V
CC
5.5
24
12
8
+ 24
+ 12
+8
+85
10
单位
V
V
V
mA
I
OL
低电平输出电流
mA
T
A
DT / DV
经营自由的空气温度
输入转换上升或下降率，V
IN
从0.8 V至2.0 V ，V
CC
= 3.0 V
°C
NS / V
订购信息
设备
MC74LCX573DW
MC74LCX573DWG
MC74LCX573DWR2
MC74LCX573DWR2G
MC74LCX573DT
MC74LCX573DTG
MC74LCX573DTR2
MC74LCX573DTR2G
MC74LCX573M
MC74LCX573MG
MC74LCX573MEL
包
SOIC20
SOIC20
（无铅）
SOIC20
SOIC20
（无铅）
TSSOP20*
TSSOP20*
TSSOP20*
TSSOP20*
SOEIAJ20
SOEIAJ20
（无铅）
SOEIAJ20
航运
38单位/铁
38单位/铁
1000磁带和放大器;卷轴
1000磁带和放大器;卷轴
75单位/铁
75单位/铁
2000磁带&卷轴
2000磁带&卷轴
40单位/铁
40单位/铁
2000磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
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3
MC74LCX573
DC电气特性
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
符号
V
IH
特征
高电平输入电压（注2 ）
条件
2.3 V
≤
V
CC
≤
2.7 V
2.7 V
≤
V
CC
≤
3.6 V
V
IL
低电平输入电压（注2 ）
2.3 V
≤
V
CC
≤
2.7 V
2.7 V
≤
V
CC
≤
3.6 V
V
OH
高电平输出电压
2.3 V
≤
V
CC
≤
3.6 V ;我
OL
= 100
mA
V
CC
= 2.3 V ;我
OH
= -8毫安
V
CC
= 2.7 V ;我
OH
= -12毫安
V
CC
= 3.0 V ;我
OH
= -18毫安
V
CC
= 3.0 V ;我
OH
= -24毫安
V
OL
低电平输出电压
2.3 V
≤
V
CC
≤
3.6 V ;我
OL
= 100
mA
V
CC
= 2.3 V ;我
OL
= 8毫安
V
CC
= 2.7 V ;我
OL
= 12毫安
V
CC
= 3.0 V ;我
OL
= 16毫安
V
CC
= 3.0 V ;我
OL
= 24毫安
I
I
I
OZ
I
关闭
I
CC
DI
CC
输入漏电流
三态输出电流
关机漏电流
静态电源电流
2.3 V
≤
V
CC
≤
3.6 V; 0 V
≤
V
I
≤
5.5 V
2.3
≤
V
CC
≤
3.6 V; 0V
≤
V
O
≤
5.5 V;
V
I
= V
IH
或V
IL
V
CC
= 0 V; V
I
或V
O
= 5.5 V
2.3
≤
V
CC
≤
3.6 V; V
I
= GND或V
CC
2.3
≤
V
CC
≤
3.6 V; 3.6
≤
V
I
或V
O
≤
5.5 V
增加我
CC
每个输入
2.3
≤
V
CC
≤
3.6 V; V
IH
= V
CC
0.6 V
V 2.这些值
I
用于测试仅直流电气特性。
V
CC
0.2
1.8
2.2
2.4
2.2
0.2
0.6
0.4
0.4
0.55
±5
±5
10
10
±10
500
mA
mA
mA
mA
mA
V
民
1.7
2.0
0.7
0.8
V
V
最大
单位
V
AC特性
t
R
= t
F
= 2.5纳秒;
L
= 500
W
范围
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
C
L
= 50 pF的
符号
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PZH
t
PZL
t
PHZ
t
PLZ
t
s
t
h
t
w
t
OSHL
t
OSLH
参数
传播延迟
D
n
与O
n
传播延迟
LE与O
n
输出使能时间到高
和低电平
输出禁止时间从
高低电平
建立时间，高或低
D
n
以LE
保持时间，高或低
D
n
以LE
LE脉冲宽度，高
输出至输出扭曲
（注3）
波形
1
3
2
2
3
3
3
民
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
2.5
1.5
3.3
1.0
1.0
最大
8.0
8.0
8.5
8.5
8.5
8.5
6.5
6.5
V
CC
= 2.7 V
C
L
= 50 pF的
民
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
2.5
1.5
3.3
最大
9.0
9.0
9.5
9.5
9.5
9.5
7.0
7.0
V
CC
= 2.5 V
±
0.2 V
C
L
= 30 pF的
民
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
4.0
2.0
4.0
ns
最大
9.6
9.6
10.5
10.5
10.5
10.5
7.8
7.8
单位
ns
ns
ns
ns
3.斜度被定义为实际的传播延迟为同一装置的任何两个单独的输出之间的差的绝对值。
本说明书适用于任何输出以相同的方向切换，无论是高到低（叔
OSHL
）或低到高（T
OSLH
） ;参数
通过设计保证。
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4
MC74LCX573
动态切换特性
T
A
= +25°C
符号
V
OLP
V
OLV
特征
动态低峰值电压
（注4 ）
动态低电压谷
（注4 ）
条件
V
CC
= 3.3 V ，C
L
= 50 pF的，V
IH
= 3.3 V, V
IL
= 0 V
V
CC
= 2.5 V ，C
L
= 30 pF的，V
IH
= 2.5 V, V
IL
= 0 V
V
CC
= 3.3 V ，C
L
= 50 pF的，V
IH
= 3.3 V, V
IL
= 0 V
V
CC
= 2.5 V ，C
L
= 30 pF的，V
IH
= 2.5 V, V
IL
= 0 V
民
典型值
0.8
0.6
0.8
0.6
最大
单位
V
V
V
V
的定义为“n”个输出端4的数量。测量“N - 1 ”的输出由高到低或低到高的开关。剩下的输出
在低状态测量。
电容特性
符号
C
IN
C
I / O
C
PD
参数
输入电容
输入/输出电容
功率耗散电容
条件
V
CC
= 3.3 V, V
I
= 0 V或V
CC
V
CC
= 3.3 V, V
I
= 0 V或V
CC
10兆赫，V
CC
= 3.3 V, V
I
= 0 V或V
CC
典型
7
8
25
单位
pF
pF
pF
OE
VMI
V
CC
Dn
VMI
t
PLH
VMO
VMI
0V
t
PHL
V
OH
On
VMO
V
OL
On
波形1 - 传播延迟
t
R
= t
F
= 2.5纳秒，10％至90％ ; F = 1兆赫;吨
W
= 500纳秒
t
PZL
VMO
t
PLZ
On
t
PZH
VMO
t
PHZ
VMI
V
CC
0V
V
OH
V
HZ
V
LZ
V
OL
波形2 - 输出启用和禁用时报
t
R
= t
F
= 2.5纳秒，10％至90％ ; F = 1兆赫;吨
W
= 500纳秒
2.7 V
Dn
1.5 V
0V
t
s
LE
1.5 V
t
w
1.5 V
0V
t
PLH
, t
PHL
V
OH
On
1.5 V
V
OL
t
h
2.7 V
符号
VMI
VMO
V
HZ
V
LZ
3.3 V
+
0.3 V
1.5 V
1.5 V
V
OL
+ 0.3 V
V
OL
0.3 V
V
CC
2.7 V
1.5 V
1.5 V
V
OL
+ 0.3 V
V
OL
0.3 V
2.5 V
+
0.2 V
V
CC
/2
V
CC
/2
V
OL
+ 0.15 V
V
OL
0.15 V
波形3 - LE到对传输延迟，最小LE
脉冲宽度， DN到LE建立和保持时间
t
R
= t
F
= 2.5纳秒，10％至90％ ; F = 1兆赫;吨
W
= 500纳秒，除非说明
图3. AC波形
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5
QQ：2881677436 复制
