MP4212
东芝功率MOS FET模块
硅N&P沟道MOS型（四L
2
-π - MOSV在一）
MP4212
大功率高速开关应用
H-开关驱动器
4 -V闸驾驶性能
小包装由全成型（ SIP 10脚）
高消耗的功率耗散（ 4 -设备操作）
: P
T
= 4 W （ TA = 25 ° C）
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 120毫欧（典型值） （ N沟道）
160毫欧（典型值） （ P沟道）
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 5.0 S（典型值） （ N沟道）
4.0 S（典型值） （ PCH）
低漏电流：I
GSS
= ±10
μA
（最大值） （Ⅴ
GS
= ±16 V)
I
DSS
= 100
μA
（最大值） （Ⅴ
DS
= 60 V)
增强型： V
th
= 0.8 2.0 V（V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
工业应用
单位：mm
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
P
DT
E
AS
I
AR
1-device
手术
E
AR
E
艺术
T
ch
T
英镑
129
5
0.2
mJ
0.4
150
55
150
°C
°C
等级
NCH
60
60
±20
5
20
2.0
4.0
273
5
PCH
60
60
±20
5
20
单位
V
V
V
A
W
W
mJ
A
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-25A1C
重2.1克（典型值）
漏极功耗
（ 1 -设备操作， TA = 25 ° C）
漏极功耗
（ 4 -设备操作， TA = 25 ° C）
单脉冲雪崩能量
（注1 ）
雪崩电流
重复性雪崩
能源
（注2 ）4-设备
手术
通道温度
存储温度范围
注1 ：条件FO雪崩能量（单脉冲）测量
NCH ： V
DD
= 25 V ，起始物为
ch
= 25 ° C，L = 7 mH的，R
G
= 25
,
I
AR
= 5 A
PCH ： V
DD
=
25
五，起始物为
ch
= 25 ° C，L = 14.84 mH的，R
G
= 25
,
I
AR
=
5
A
注2 ：重复评价;脉冲宽度有限的最大通道温度
注3 ：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下（即工作温度/电流/电压等）内的绝对
最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” /降级的概念和方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
此晶体管是静电感应装置。请谨慎操作。
1
2006-10-27
MP4212
阵列配置
10
6
8
7
3
9
5
2
1
4
热特性
特征
热阻通道
环境
（ 4 -设备操作， TA = 25 ° C）
铅的最大温度
焊接用途
（案件从T = 10秒3.2毫米）
T
L
260
°C
符号
最大
单位
ΣR
第（章-a）的
31.2
° C / W
电气特性
（ TA = 25 ℃） （ N沟道MOS FET ）
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
符号
I
GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
th
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
10 V
V
GS
开启时间
开关时间
下降时间
t
f
t
on
0V
50
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
测试条件
V
GS
= ±16 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
V
GS
= 4 V，I
D
= 2.5 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.5 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 2.5 A
民
―
―
60
0.8
―
―
3.0
―
―
―
―
V
OUT
―
25
―
ns
―
55
―
典型值。
―
―
―
―
0.21
0.12
5.0
370
60
180
18
最大
±10
100
―
2.0
0.32
0.16
―
―
―
―
―
单位
μA
μA
V
V
S
pF
pF
pF
I
D
= 2.5 A
R
L
= 12
V
DD
≈
30 V
V
IN
: t
r
, t
f
< 5纳秒，值班
≤
1%, t
w
= 10
μs
―
170
―
打开-O FF时间
总栅极电荷
（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
≈
48 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 5 A
―
―
―
12
8
4
―
―
―
nC
nC
nC
2
2006-10-27
MP4212
源极 - 漏极二极管额定值和特性
（ TA = 25°C ）
特征
连续漏电流反向
脉冲漏极电流反向
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
测试条件
―
―
I
DR
= 5 A，V
GS
= 0 V
I
DR
= 5 A，V
GS
= 0 V
dI
DR
/ DT = 50 A / μs的
民
―
―
―
―
―
典型值。
―
―
―
70
0.1
最大
5
20
1.7
―
―
单位
A
A
V
ns
μC
电气特性
（ TA = 25 ° C） （ P沟道MOS FET ）
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
符号
I
GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
th
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
0V
V
GS
10
V
4.7
V
DS
=
10
V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
测试条件
V
GS
= ±16 V, V
DS
= 0 V
V
DS
=
60
V, V
GS
= 0 V
I
D
=
10
毫安，V
GS
= 0 V
V
DS
=
10
V，I
D
=
1
mA
V
GS
=
4
V，I
D
=
2.5
A
V
GS
=
10
V，I
D
=
2.5
A
V
DS
=
10
V，I
D
=2.5 A
民
―
―
60
0.8
―
―
2.0
―
―
―
―
I
D
=
2.5
A
R
L
= 12
V
OUT
―
45
―
ns
―
55
―
典型值。
―
―
―
―
0.24
0.16
4.0
630
95
290
25
最大
±10
100
―
2.0
0.28
0.19
―
―
―
―
―
单位
μA
μA
V
V
S
pF
pF
pF
开启时间
开关时间
下降时间
t
on
t
f
V
DD
≈ 30
V
打开-O FF时间
总栅极电荷
（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
t
关闭
V
IN
: t
r
, t
f
< 5纳秒，值班
≤
1%, t
w
= 10
μs
―
200
―
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
≈ 48
V, V
GS
=
10
V，I
D
=
5
A
―
―
―
22
16
6
―
―
―
nC
nC
nC
源极 - 漏极二极管额定值和特性
（ TA = 25°C ）
特征
连续漏电流反向
脉冲漏极电流反向
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
测试条件
―
―
I
DR
=
5
A，V
GS
= 0 V
I
DR
=
5
A，V
GS
= 0 V
dI
DR
/ DT = 50 A / μs的
民
―
―
―
―
―
典型值。
―
―
―
80
0.1
最大
5
20
1.7
―
―
单位
A
A
V
ns
μC
3
2006-10-27
QQ：2881677436 复制
