摩托罗拉
设计师
半导体技术资料
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通过MMDFS2P102 / D
FETKY
数据表
MMDFS2P102
P沟道功率MOSFET
与肖特基整流器
20伏
RDS （ ON） = 0.16
W
VF = 0.39伏特
MOSFET和肖特基整流器
该FETKY 产品系列采用了低RDS（on ） ，真正的逻辑电平MOSFET
打包带行业领先的低正向压降，低泄漏肖特基势垒整流器
提供节省空间的配置高效率的组件。独立的引出线
对于TMOS和肖特基死允许灵活地使用单一组分，用于切换
并且在各种各样的应用，例如降压转换器整流功能，
降压 - 升压同步整流，低压电机控制和负载管理
换货的电池组，充电器，手机等便携产品。
HDTMOS功率MOSFET，低VF ，低IR肖特基整流器
较低的元件布局和库存成本以及
节省电路板空间
逻辑电平栅极驱动器 - 可通过逻辑IC驱动
安装信息的SO- 8封装提供
IDSS指定高温
应用信息提供
A
CASE 751-05 ，风格18
（ SO- 8 ）
1
2
3
4
8
7
6
5
C
C
D
D
A
S
G
MOSFET的最大额定值
（ TJ = 25 ° C除非另有说明） （ 1 ）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（ RGS = 1.0M，
W
)
栅极 - 源极电压 - 连续
漏电流（ 3 ） - 连续@ TA = 25°C
- 连续@ TA = 100℃
- 单脉冲（ TP
10
m
s)
符号
VDSS
VDGR
VGS
ID
ID
IDM
PD
EAS
价值
20
顶视图
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
APK
瓦
mJ
＆ QUOT ;
20
3.3
2.1
20
2.0
324
20
v
总功率耗散@ TA = 25 ° C（ 2 ）
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量 - 开始TJ = 25°C
VDD = 30 V直流， VGS = 5.0伏， VDS = 20伏直流电， IL = 9.0 APK， L = 10毫亨， RG = 25
W
肖特基整流器最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
反向重复峰值电压
阻断电压DC
平均正向电流（ 3 ） （额定VR ） TA = 100℃
峰值重复正向电流（ 3 ） （额定VR ，方波， 20千赫） TA = 105℃
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下，半波，单相， 60赫兹）
VRRM
VR
IO
IFRM
IFSM
20
1.0
2.0
20
伏
安培
安培
安培
器件标识
2P102
设备
MMDFS2P102R2
订购信息
带尺寸
13″
胶带宽度
12毫米压纹带
QUANTITY
2500台
（1）负号为P沟道器件为清楚起见省略。
（ 2 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
250
s,
占空比
≤
2.0%.
（ 3 ）安装在2 “方FR4电路板（ 1 ”平方2盎司铜0.06 “厚单面） ，持续10秒。最大。
设计师的数据为“最坏情况”的条件
- 设计师的数据表允许大多数电路的设计完全是从显示的信息。 SOA限制
曲线 - 表示对器件特性的边界 - 被给予促进“最坏情况”的设计。
HDTMOS和设计师的有摩托罗拉，Inc.的商标TMOS是Motorola，Inc.的注册商标。
FETKY是国际整流器公司的商标。
摩托罗拉TMOS
摩托罗拉1997年公司
产品预览数据
1
MMDFS2P102
热特性 - 肖特基MOSFET
热电阻 - 结到环境（ 1 ） - MOSFET
热电阻 - 结到环境（ 2 ） - MOSFET
热电阻 - 结到环境（ 3 ） - MOSFET
热电阻 - 结到环境（ 1 ） - 肖特基
热电阻 - 结到环境（ 2 ） - 肖特基
热电阻 - 结到环境（ 3 ） - 肖特基
工作和存储温度范围
R
q
JA
R
q
JA
R
q
JA
R
q
JA
R
q
JA
R
q
JA
TJ ， TSTG
167
100
62.5
204
122
83
- 55 150
° C / W
（ 1 ）安装有最低建议焊盘尺寸， PC板FR4 。
（ 2 ）安装在2 “方FR4电路板（ 1 ”平方2盎司铜0.06 “厚单面） ，稳态。
（ 3 ）安装在2 “方FR4电路板（ 1 ”平方2盎司铜0.06 “厚单面） ，持续10秒。最大。
2
摩托罗拉TMOS产品预览数据
MMDFS2P102
MOSFET电气特性
（ TJ = 25 ° C除非另有说明） （ 1 ）
特征
开关特性
漏源电压
（ VGS = 0伏， ID = 0.25 mA）的
温度系数（正）
零栅漏电流
（ VDS = 30 V直流， VGS = 0伏）
（ VDS = 20伏直流电， VGS = 0伏， TJ = 125°C ）
门体漏电流（ VGS =
±
20伏直流电， VDS = 0 ）
基本特征（ 2 ）
栅极阈值电压
（VDS = VGS ， ID = 0.25 mA）的
温度系数（负）
静态漏源电阻
（ VGS = 10 VDC ， ID = 2.0 ADC ）
（ VGS = 4.5伏， ID = 2.5 ADC ）
正向跨导（ VDS = 3.0伏， ID = 1.0 ADC ）
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性（ 3 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
(
（VDS = 16 Vd的， n = 2.0的ADC，
VDC ，
2 0 AD，
VGS = 10 V直流）
VDC ，
（ VDS = 10 Vd的ID = 2.0 ADC ，
2 0广告
VGS = 4.5伏，
4 5 VDC
RG = 6.0
)
)
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
QT
Q1
Q2
Q3
漏源二极管特性
在正向电压（ 2 ）
反向恢复时间
(
（ IS = 2 0广告， VDD = 15 V ，
2.0 ADC ，
V,
DIS / DT = 100 A / μs）内
反向恢复电荷存储
—
—
—
—
—
—
—
—
19
66
25
37
15
1.2
5.0
4.0
38
132
50
74
20
—
—
—
nC
ns
（ VDS = 16伏， VGS = 0伏，
VDC
VDC
F = 1.0兆赫）
西塞
科斯
CRSS
—
—
—
420
290
116
588
406
232
pF
VGS （ TH）
1.0
—
RDS （ ON）
—
—
政府飞行服务队
2.0
0.118
0.152
3.0
0.160
0.180
—
姆欧
1.5
4.0
2.0
—
VDC
毫伏/°C的
欧
V（ BR ） DSS
20
—
IDSS
—
—
IGSS
—
—
—
—
1.0
10
100
NADC
—
25
—
—
VDC
毫伏/°C的
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
（ IS = 2.0 ADC ，
VGS = 0伏）
VSD
—
TRR
ta
tb
QRR
—
—
—
—
1.5
38
17
21
0.034
2.1
—
—
—
—
V
ns
C
肖特基整流器电气特性
（ TJ = 25° C除非另有说明）
最大正向电压（ 2 ）
IF = 1.0
10
IF = 2.0 A
最大瞬时反向电流（ 2 ）
VR = 20 V
变化最大电压率
VR = 20 V
dv / dt的
IR
VF
TJ = 25°C
0.47
0.58
TJ = 25°C
0.05
10,000
TJ = 125°C
0.39
0.53
TJ = 125°C
10
V/
m
s
mA
伏
（1）负号为P沟道器件为清楚起见省略。
（ 2 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
微秒，
占空比
≤
2.0%.
（ 3 ）开关特性是独立的工作温度。
摩托罗拉TMOS产品预览数据
3
MMDFS2P102
典型FET电气特性
VDS = 0
1000
C，电容（pF ）
800
600
CRSS
400
200
0
–10
西塞
科斯
CRSS
西塞
VGS = 0
TJ = 25°C
VGS ，栅极至源极电压（伏）
1200
12
QT
10
14
8.0
6.0
4.0
2.0
Q3
0
0
4.0
8.0
VDS
12
QG ，总栅极电荷（ NC）
Q1
Q2
VGS
ID = 2.0 A
TJ = 25°C
12
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
16
18
16
– 5.0
VGS
0
VDS
5.0
10
15
20
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
图7.电容变化
1000
2.0
VGS = 0 V
TJ = 25°C
IS ，源电流（安培）
10
1.6
T， TIME （ NS ）
1.2
100
TD （关闭）
tf
tr
10
1.0
TD （上）
100
0.8
0.4
0
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
VSD ，源 - 漏极电压（伏）
RG ，栅极电阻（欧姆）
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
图10.二极管的正向电压与
当前
100
EAS ，单脉冲漏极 - 源
雪崩能量（兆焦耳）
安装在2 “平方FR4电路板（ 1 ”平方2盎司铜0.06 “
厚单面）与一个模操作， 10秒以内。
VGS = 20 V
单脉冲
TC = 25°C
dc
350
300
250
200
150
100
50
0
ID = 6.0
ID ，漏极电流（ AMPS ）
10
10毫秒
1.0毫秒
100
m
s
10
m
s
1.0
0.1
RDS （ ON）限制
热限制
套餐限制
0.1
1.0
10
100
0.01
VDS ，漏极至源极电压（伏）
25
50
75
100
125
150
TJ ，起动结温（ ° C）
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
图12.最大雪崩能量对比
开始结温
摩托罗拉TMOS产品预览数据
5
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