MOC8111M ， MOC8112M ， MOC8113M 6引脚DIP光耦电源应用（无底座的连接）
2008年4月
MOC8111M ， MOC8112M ， MOC8113M
6引脚DIP光耦电源应用
（没有基连接）
特点
■
高隔离电压
■
■
tm
描述
该MOC811XM系列由砷化镓
红外发光二极管加上一个NPN光电晶体管。的基
晶体管不结合到一个外部引脚
增强抗干扰性。
■
■
■
7500 VAC峰1秒
高BV
首席执行官
最低70伏
在选定组电流传输比：
MOC8111M ： 20 ％以上。
MOC8112M ： 50 ％以上。
MOC8113M ：100％分钟。
在指定的最大饱和开关时间
美国保险商实验室（ UL）的认可
（文件＃ E90700 ，第2卷）
IEC60747-5-2批准（订购选项V）
应用
■
电源稳压器
■
数字逻辑输入
■
微处理器的输入
■
家电传感器系统
■
工业控制
套餐
概要
阳极1
6
6
1
1
6 N / C
阴极2
5收藏家
N / C 3
6
4发射器
1
2007仙童半导体公司
MOC8111M ， MOC8112M ， MOC8113M版本1.0.1
www.fairchildsemi.com
MOC8111M ， MOC8112M ， MOC8113M 6引脚DIP光耦电源应用（无底座的连接）
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。
此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。
符号
设备总
P
D
T
OPR
T
英镑
T
SOL
输入LED
I
F
I
F
（ PK）
V
R
P
D
参数
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作温度范围
存储温度范围
引线焊接温度（波峰焊）
（ 16"分之1的情况下， 10秒持续时间）
正向电流 - 连续
正向电流 - 峰值（ PW = 1μs的时间， 300pps ）
反向电压
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
价值
260
3.5
-40至+100
-40到+150
260
单位
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
°C
90
3
6
135
1.8
200
2.67
mA
A
V
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
输出晶体管
P
D
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
2007仙童半导体公司
MOC8111M ， MOC8112M ， MOC8113M版本1.0.1
www.fairchildsemi.com
2
MOC8111M ， MOC8112M ， MOC8113M 6引脚DIP光耦电源应用（无底座的连接）
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
符号
辐射源
V
F
V
R
C
J
I
R
BV
首席执行官
BV
ECO
I
首席执行官
C
CE
输入正向电压
反向电压
电容
反向漏电流
Breakdow电压，集电极到发射极
Breakdow电压，发射极到集电极
漏电流，集电极到发射极
电容，集电极到发射极
I
F
= 60毫安
I
F
= 10毫安
I
R
= 10A
V
F
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
F
= 1V ， F = 1.0MHz的
V
R
= 3.0V
I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0
I
E
= 100μA ，我
F
= 0
V
CE
= 10V ，我
F
= 0
V
CE
= 0 V ， F = 1mHz的
70
7
5
8
50
探测器
V
V
V
pF
6.0
1.35
1.15
15
50
65
.35
10
A
1.65
1.50
V
pF
V
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
隔离特性
符号
V
ISO
C
ISO
特征
输入输出隔离电压
隔离电容
测试条件
F = 60赫兹，吨= 1秒。
V
我-O
= 0中，f = 1MHz的
分钟。
7500
典型值。
0.5
马克斯。
单位
V
AC （ PK）
pF
传输特性
符号
CTR
特征
输出/输入电流
传输比
测试条件
I
F
= 10毫安，V
CE
= 5V
设备
MOC8111M
MOC8112M
MOC8113M
分钟。
20
50
100
TYP 。 MAX 。单位
%
DC特性
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极
饱和电压
AC特性
非饱和开关时间
t
on
t
关闭
t
on
t
r
t
关闭
t
f
开启时间
打开-O FF时间
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
I
F
= 10毫安，我
C
= 2.5毫安
所有
0.27
0.4
V
R
L
= 100
, I
C
= 2毫安，
V
CC
= 10V ，见图7
所有
所有
MOC8111M
MOC812M/3M
MOC8111M
MOC812M/3M
MOC8111M
MOC812M/3M
MOC8111M
MOC812M/3M
6.0
5.5
3.0
4.2
2.0
3.0
18
23
11
14
10
10
5.5
8.0
4.0
6.0
34
39
20
24
s
s
s
s
s
s
饱和开关时间
I
F
= 20mA时， V
CE
= 0.4V
I
F
= 10毫安，V
CE
= 0.4V
I
F
= 20mA时， V
CE
= 0.4V
I
F
= 10毫安，V
CE
= 0.4V
I
F
= 20mA时， V
CE
= 0.4V
I
F
= 10毫安，V
CE
= 0.4V
I
F
= 20mA时， V
CE
= 0.4V
I
F
= 10毫安，V
CE
= 0.4V
2007仙童半导体公司
MOC8111M ， MOC8112M ， MOC8113M版本1.0.1
www.fairchildsemi.com
3
MOC8111M ， MOC8112M ， MOC8113M 6引脚DIP光耦电源应用（无底座的连接）
典型性能特性
图。 1 LED的正向电压与正向电流
1.8
1.4
T
A
= 25°C
V
CE
= 5.0 V
1.2
归一
I
F
= 10毫安
图。 2归CTR与正向电流
1.7
V
F
- 正向电压（ V）
1.6
1.0
1.5
T
A
= -55°C
1.4
归一化CTR
100
0.8
0.6
1.3
1.2
T
A
= 25°C
1.1
T
A
= 100°C
1.0
1
10
0.4
0.2
0.0
0
5
10
15
20
I
F
- LED正向电流（mA ）
I
F
- 正向电流（mA ）
1.6
V
CE （SAT）
- 集电极 - 发射极饱和电压（ V）
图。 3归CTR与环境温度
图。 4集电极发射极饱和电压
VS集电极电流
100
1.4
I
F
= 5毫安
10
归一化CTR
1.2
I
F
= 10毫安
1.0
1
I
F
= 2.5毫安
0.1
0.8
I
F
= 20毫安
0.6
归一
I
F
= 10毫安
T
A
= 25°C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
0.01
I
F
= 5毫安
T
A
= 25°C
0.001
0.01
0.1
1
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
0.4
-75
10
T
A
- 环境温度（ ° C）
I
C
- 集电极电流（毫安）
图。 5切换速度与负载电阻
1000
I
F
= 10毫安
V
CC
= 10 V
T
A
= 25°C
1e+1
图。 6暗电流与环境温度。
I
首席执行官
- 集电极 - 发射极暗电流（ μA ）
1e+0
V
CE
= 10V
开关速度 - （微秒）
100
1e-1
T
关闭
T
f
10
1e-2
1e-3
T
on
1
Tr
1e-4
1e-5
0.1
0.1
1
10
100
1e-6
0
25
50
75
100
125
R-负载电阻值（kΩ ）
T
A
- 环境温度（ ° C）
2007仙童半导体公司
MOC8111M ， MOC8112M ， MOC8113M版本1.0.1
www.fairchildsemi.com
4
MOC8111M ， MOC8112M ， MOC8113M 6引脚DIP光耦电源应用（无底座的连接）
测试电路
V
CC
= 10V
波形
输入脉冲
I
F
输入
I
C
R
L
= 100
10%
90%
t
r
t
on
t
f
t
关闭
输出脉冲
产量
我调整
F
制作我
C
= 2毫安
图7.开关时间测试电路和波形
2007仙童半导体公司
MOC8111M ， MOC8112M ， MOC8113M版本1.0.1
www.fairchildsemi.com
5
MOC8111M ， MOC8112M ， MOC8113M 6引脚DIP光耦电源应用（无底座的连接）
2007年9月
MOC8111M ， MOC8112M ， MOC8113M
6引脚DIP光耦电源应用
（没有基连接）
特点
■
高隔离电压
■
■
tm
描述
该MOC811XM系列由砷化镓
红外发光二极管加上一个NPN光电晶体管。的基
晶体管不结合到一个外部引脚
增强抗干扰性。
■
■
■
7500 VAC峰1秒
高BV
首席执行官
最低70伏
在选定组电流传输比：
MOC8111M ： 20 ％以上。
MOC8112M ： 50 ％以上。
MOC8113M ：100％分钟。
在指定的最大饱和开关时间
美国保险商实验室（ UL）的认可
（文件＃ E90700 ，第2卷）
IEC60747-5-2批准（订购选项V）
应用
■
电源稳压器
■
数字逻辑输入
■
微处理器的输入
■
家电传感器系统
■
工业控制
套餐
概要
阳极1
6
6
1
1
6 N / C
阴极2
5收藏家
N / C 3
6
4发射器
1
2007仙童半导体公司
MOC8111M ， MOC8112M ， MOC8113M版本1.0.0
www.fairchildsemi.com
MOC8111M ， MOC8112M ， MOC8113M 6引脚DIP光耦电源应用（无底座的连接）
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。
此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。
符号
设备总
P
D
T
OPR
T
英镑
T
SOL
输入LED
I
F
I
F
（ PK）
V
R
P
D
参数
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作温度范围
存储温度范围
引线焊接温度（波峰焊）
（ 16"分之1的情况下， 10秒持续时间）
正向电流 - 连续
正向电流 - 峰值（ PW = 1μs的时间， 300pps ）
反向电压
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
价值
260
3.5
-40至+100
-40到+150
260
单位
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
°C
90
3
6
135
1.8
200
2.67
mA
A
V
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
输出晶体管
P
D
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
2007仙童半导体公司
MOC8111M ， MOC8112M ， MOC8113M版本1.0.0
www.fairchildsemi.com
2
MOC8111M ， MOC8112M ， MOC8113M 6引脚DIP光耦电源应用（无底座的连接）
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
符号
辐射源
V
F
V
R
C
J
I
R
BV
首席执行官
BV
ECO
I
首席执行官
C
CE
输入正向电压
反向电压
电容
反向漏电流
Breakdow电压，集电极到发射极
Breakdow电压，发射极到集电极
漏电流，集电极到发射极
电容，集电极到发射极
I
F
= 60毫安
I
F
= 10毫安
I
R
= 10A
V
F
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
F
= 1V ， F = 1.0MHz的
V
R
= 3.0V
I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0
I
E
= 100μA ，我
F
= 0
V
CE
= 10V ，我
F
= 0
V
CE
= 0 V ， F = 1mHz的
70
7
5
8
50
探测器
V
V
V
pF
6.0
1.35
1.15
15
50
65
.35
10
A
1.65
1.50
V
pF
V
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
隔离特性
符号
V
ISO
C
ISO
特征
输入输出隔离电压
隔离电容
测试条件
F = 60赫兹，吨= 1秒。
V
我-O
= 0中，f = 1MHz的
分钟。
7500
典型值。
0.5
马克斯。
单位
V
AC （ PK）
pF
传输特性
符号
CTR
特征
输出/输入电流
传输比
测试条件
I
F
= 10毫安，V
CE
= 5V
设备
MOC8111M
MOC8112M
MOC8113M
分钟。
20
50
100
TYP 。 MAX 。单位
%
DC特性
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极
饱和电压
AC特性
非饱和开关时间
t
on
t
关闭
t
on
t
r
t
关闭
t
f
开启时间
打开-O FF时间
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
I
F
= 10毫安，我
C
= 2.5毫安
所有
0.27
0.4
V
R
L
= 100
, I
C
= 2毫安，
V
CC
= 10V ，见图7
所有
所有
MOC8111M
MOC812M/3M
MOC8111M
MOC812M/3M
MOC8111M
MOC812M/3M
MOC8111M
MOC812M/3M
6.0
5.5
3.0
4.2
2.0
3.0
18
23
11
14
10
10
5.5
8.0
4.0
6.0
34
39
20
24
s
s
s
s
s
s
饱和开关时间
I
F
= 20mA时， V
CE
= 0.4V
I
F
= 10毫安，V
CE
= 0.4V
I
F
= 20mA时， V
CE
= 0.4V
I
F
= 10毫安，V
CE
= 0.4V
I
F
= 20mA时， V
CE
= 0.4V
I
F
= 10毫安，V
CE
= 0.4V
I
F
= 20mA时， V
CE
= 0.4V
I
F
= 10毫安，V
CE
= 0.4V
2007仙童半导体公司
MOC8111M ， MOC8112M ， MOC8113M版本1.0.0
www.fairchildsemi.com
3
MOC8111M ， MOC8112M ， MOC8113M 6引脚DIP光耦电源应用（无底座的连接）
典型性能特性
图。 1 LED的正向电压与正向电流
1.8
1.4
T
A
= 25°C
V
CE
= 5.0 V
1.2
归一
I
F
= 10毫安
图。 2归CTR与正向电流
1.7
V
F
- 正向电压（ V）
1.6
1.0
1.5
T
A
= -55°C
1.4
归一化CTR
100
0.8
0.6
1.3
1.2
T
A
= 25°C
1.1
T
A
= 100°C
1.0
1
10
0.4
0.2
0.0
0
5
10
15
20
I
F
- LED正向电流（mA ）
I
F
- 正向电流（mA ）
1.6
V
CE （SAT）
- 集电极 - 发射极饱和电压（ V）
图。 3归CTR与环境温度
图。 4集电极发射极饱和电压
VS集电极电流
100
1.4
I
F
= 5毫安
10
归一化CTR
1.2
I
F
= 10毫安
1.0
1
I
F
= 2.5毫安
0.1
0.8
I
F
= 20毫安
0.6
归一
I
F
= 10毫安
T
A
= 25°C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
0.01
I
F
= 5毫安
T
A
= 25°C
0.001
0.01
0.1
1
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
0.4
-75
10
T
A
- 环境温度（ ° C）
I
C
- 集电极电流（毫安）
图。 5切换速度与负载电阻
1000
I
F
= 10毫安
V
CC
= 10 V
T
A
= 25°C
1e+1
图。 6暗电流与环境温度。
I
首席执行官
- 集电极 - 发射极暗电流（ μA ）
1e+0
V
CE
= 10V
开关速度 - （微秒）
100
1e-1
T
关闭
T
f
10
1e-2
1e-3
T
on
1
Tr
1e-4
1e-5
0.1
0.1
1
10
100
1e-6
0
25
50
75
100
125
R-负载电阻值（kΩ ）
T
A
- 环境温度（ ° C）
2007仙童半导体公司
MOC8111M ， MOC8112M ， MOC8113M版本1.0.0
www.fairchildsemi.com
4
MOC8111M ， MOC8112M ， MOC8113M 6引脚DIP光耦电源应用（无底座的连接）
测试电路
V
CC
= 10V
波形
输入脉冲
I
F
输入
I
C
R
L
= 100
10%
90%
t
r
t
on
t
f
t
关闭
输出脉冲
产量
我调整
F
制作我
C
= 2毫安
图7.开关时间测试电路和波形
2007仙童半导体公司
MOC8111M ， MOC8112M ， MOC8113M版本1.0.0
www.fairchildsemi.com
5
QQ：2881677436 复制
