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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2428页 > MCR08MT1G
MCR08B ， MCR08M
首选设备
敏感栅
可控硅整流器器
反向阻断晶闸管
专为线路供电的消费类应用PNPN设备
如继电器和灯驱动器，小型电动机的控制，对栅极驱动器
较大的晶闸管，以及传感和检测电路。供给
表面贴装自动化生产使用的软件包。
特点
http://onsemi.com
敏感的门极触发电流
阻断电压为600 V
玻璃表面钝化的可靠性和一致性
表面贴装封装
无铅包可用
可控硅
0.8安培RMS
200通600伏
G
A
K
记号
图
SOT223
CASE 318E
10风格
1
AYW
CR08x
G
G
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压（注1 ）
（正弦波，
GK
= 1000
W
T
J
= 25 110℃ ）
MCR08BT1
MCR08MT1
通态电流有效值
（所有的导通角;吨
C
= 80°C)
峰值不重复浪涌电流
（1/2周期的正弦波， 60赫兹，T
C
= 25°C)
电路熔断思考（ T = 8.3毫秒）
正向峰值功率门
(T
C
= 80℃ ，T = 1.0
女士）
平均功耗门
(T
C
= 80℃， t为8.3毫秒）
工作结温范围
存储温度范围
符号
V
DRM ，
V
RRM
200
600
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
2
t
P
GM
P
G（ AV ）
T
J
T
英镑
0.8
8.0
0.4
0.1
0.01
-40到+110
-40到+150
A
A
A
2
s
W
1
W
°C
°C
2
3
4
价值
单位
V
1
CR08x =器件代码
X = B或M
A
=大会地点
Y
=年
W
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
引脚分配
阴极
阳极
门
阳极
热特性
等级
热阻，结到环境
PCB按图1安装
热阻，结到标签
测定阳极片毗邻环氧
最大器件温度的可焊
ING目的（ 10秒最大）
符号
R
qJA
R
QJT
T
L
价值
156
25
260
单位
° C / W
° C / W
°C
订购信息
设备
MCR08BT1
MCR08BT1G
MCR08MT1
MCR08MT1G
包
SOT223
SOT223
（无铅）
SOT223
SOT223
（无铅）
航运
1000 /磁带&Reel
1000 /磁带&Reel
1000 /磁带和放大器;卷轴
1000 /磁带和放大器;卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1. V
DRM
和V
RRM
对于所有类型的可以在一个连续的基础上被应用。评级
适用于零或负的栅极电压;然而，正栅极电压应
不能应用并发与在阳极上的负电位。闭塞
电压不得以使得该电压的恒定源测试
该器件的收视率超过了。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年4月 - 修订版5
出版订单号：
MCR08BT1/D
MCR08B ， MCR08M
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
峰值重复正向或反向阻断电流（注2 ）
(V
AK
=额定V
DRM
或V
RRM
, R
GK
= 1000
W
T
J
= 25°C
T
J
= 110°C
基本特征
正向峰值通态电压（注1 ） （我
T
= 1.0 A峰值）
门极触发电流（连续DC） （注3 ）（V
AK
= 12伏，R
L
= 100
W)
保持电流（注3 ）（V
AK
= 12伏，启动电流= 20 mA）的
门极触发电压（连续DC ） （注3 ）（V
AK
= 12伏，R
L
= 100
W)
动态特性
爆击率-的高层关态电压
(V
pk
=额定V
DRM
, T
C
= 110℃ ，R
GK
= 1000
W,
指数法）
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
3. R
GK
= 1000
W
被包括在测量。
4. R
GK
不包括在测量。
dv / dt的
10
V / ms的
V
TM
I
GT
I
H
V
GT
1.7
200
5.0
0.8
V
mA
mA
V
I
DRM
, I
RRM
10
200
mA
mA
符号
民
典型值
最大
单位
可控硅电压电流特性
符号
V
DRM
I
DRM
V
RRM
I
RRM
V
TM
I
H
参数
重复峰值关闭状态正向电压
峰值正向阻断电流
峰值重复关闭状态反向电压
峰值反向电流阻断
山顶上的电压状态
保持电流
I
RRM
在V
RRM
+电流
阳极+
V
TM
在国家
I
H
+电压
反向隔离区
（关断状态）
0.15
3.8
0.079
2.0
0.091 0.091
2.3
2.3
0.079
2.0
0.984
25.0
0.059 0.059 0.059
1.5
1.5
1.5
英寸
mm
I
DRM
在V
DRM
正向阻断区
（关断状态）
反向雪崩区
阳极 -
0.244
6.2
0.096
2.44
0.059
1.5
0.096
2.44
0.059
1.5
0.472
12.0
0.096
2.44
板垂直安装在CINCH 8840边缘连接器。
板的厚度= 65 MIL 。 ，铜箔厚度= 2.5 MIL 。
材料： G10玻纤环氧基
图1. PCB的热阻抗和SOT- 223电源测试
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2
MCR08B ， MCR08M
IT，瞬时通态电流（ AMPS ）
10
R
θJA
，结到环境
热电阻， （
°
C / W ）
1.0
0.1
一般在T
J
= 110°C
马克斯在T
J
= 110°C
马克斯在T
J
= 25°C
0
1.0
2.0
3.0
4.0
v
T
，瞬时导通电压（伏）
0.01
160
150
140
130
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
典型
最大
装置安装在
图1区= L
2
PCB板标签区域
如图所示
L
4
L
1 2 3
最低
足迹= 0.076厘米
2
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
箔面积（cm
2
)
图2.通态特性
图3.结到环境的热
电阻与铜接头区
110
T A ，最大允许
环境温度（
°
C)
1.0厘米
2
铝箔， 50
60赫兹半波
180°
120°
α
= 30°
60°
α
传导
角
110
100
T A ，最大允许
环境温度（
°
C)
90
80
70
60
50
40
30
20
0
0.1
α
= 30°
60°
90°
50或60 Hz半波
α
α =
传导
角
100
90
80
70
60
50
40
30
α =
dc
dc
180°
120°
90°
0.2
0.3
0.4
0.5
20
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
I
T（ AV ）
，通态平均电流（安培）
I
T（ AV ）
，通态平均电流（安培）
图4.电流降额，最小焊盘尺寸
参考：环境温度
110
T A ，最大允许
环境温度（
°
C)
100
90
80
70
60
50
α
角
图5.电流降额，1.0厘米见方的垫
参考：环境温度
110
dc
T（选项卡） ，最大允许
标签温度（
°
C)
50或60 Hz半波
180°
α
= 30°
60°
90°
120°
dc
焊盘面积= 4.0厘米
2
, 50
或60 Hz半波
180°
α
= 30°
60°
90°
120°
α
α =
传导
角
α =
传导
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
85
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
I
T（ AV ）
，通态平均电流（安培）
I
T（ AV ）
，通态平均电流（安培）
图6.电流降额2.0厘米见方的垫
参考：环境温度
图7.电流降额
参考文献：阳极片
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3
MCR08B ， MCR08M
1.0
0.9
最大平均功率
P（ AV ） ，耗散（瓦）
0.8
α =
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
120°
180°
dc
α
传导
角
1.0
α
= 30°
60°
90°
- [R T，瞬态热阻
归
0.1
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1.0
10
100
I
T（ AV ）
，通态平均电流（安培）
T，时间（秒）
图8.功耗
图9.热响应设备
安装在图1的印刷电路板
VGT ，门极触发电压（伏）
0.7
V
AK
= 12 V
R
L
= 100
W
2.0
V
AK
= 12 V
R
L
= 3.0千瓦
0.5
0.4
I H ，保持电流
（归一化）
110
0.6
1.0
0.3
40
20
0
20
40
60
80
0
40
20
0
20
40
60
80
110
T
J
，结温（ ° C）
T
J
，结温（ ° C）
图10.典型栅极触发电压
VERSUS结温
图11.典型的归保持电流
VERSUS结温
0.7
V GT ，门极触发电压（伏）
0.65
0.6
1000
I GT ，门极触发电流（
μ
A)
R
GK
= 1000
W,
电阻器
当前包含
0.55
0.5
V
AK
= 12 V
R
L
= 100
W
T
J
= 25°C
100
V
AK
= 12 V
R
L
= 100
W
10
无栅极电阻
0.45
0.4
0.35
0.3
0.1
1.0
10
100
1000
1.0
40
20
0
20
40
60
80
110
I
GT
，门极触发电流（mA）
T
J
，结温（ ° C）
图12. V的典型范围
GT
与我的测量
GT
图13.典型栅极触发电流
VERSUS结温
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4
MCR08B ， MCR08M
100
T
J
= 25°C
10
I
GT
= 48
mA
10000
5000
IH ，保持电流（毫安）
1000
静态的dv / dt （V /
μ
S)
500
100
50
10
5.0
1.0
0.5
0.1
1.0
10
100
1000
10,000
100,000
0.1
10
100
1000
125°
110°
75°
10,000
100,000
50°
T
J
= 25°
V
pk
= 400 V
I
GT
= 7
mA
1.0
R
GK
，门极 - 阴极电阻（欧姆）
R
GK
，门极 - 阴极电阻（欧姆）
图14.保持电流范围对
门极 - 阴极电阻
图15.指数静态dv / dt的抗结
温度和门极 - 阴极电阻端接
10000
1000
静态的dv / dt （V /
μ
S)
500
100
50
400 V
300 V
200 V
100 V
10000
T
J
= 110°C
1000
静态的dv / dt （V /
μ
S)
500
100
50
10
5.0
R
GK
= 1.0 k
R
GK
= 100
T
J
= 110°C
400 V （峰值）
50 V
500 V
10
5.0
1.0
10
100
1000
10,000
1.0
0.01
R
GK
= 10 k
0.1
1.0
10
100
C
GK
，门极 - 阴极电容（ NF）
R
GK
，门极 - 阴极电阻（欧姆）
图16.指数静态dv / dt的峰值相比
电压和门极 - 阴极电阻端接
图17.指数静态dv / dt的对比
门极 - 阴极电容和电阻
10000
1000
静态的dv / dt （V /
μ
S)
500
100
50
10
5.0
1.0
10
I
GT
= 15
mA
100
1000
10,000
100,000
门极 - 阴极电阻（欧姆）
I
GT
= 5
mA
I
GT
= 70
mA
I
GT
= 35
mA
图18.指数静态dv / dt的对比
门极 - 阴极终端电阻和
产品触发电流灵敏度
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5
查看更多MCR08MT1GPDF信息
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MI-P5ZY-MXW
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MURS360BT3G
MOC8111SVM
M38127E4-XXXFS
MI-QC6X3-IVX
MAX4236BESA
MU9C1480A-50DC
M38279M4-XXXFS
MI-LC2P-MV
M95020-WDW6P
MI-P6PX-IYA
MXR-8RB-4SD
MX7528LEWP
M38225E3MHP
MC74ACT175D
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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    MCR08MT1G
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市正信鑫科技有限公司
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25+
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联系人：李
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电话：0755-83798683
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
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全新原装正品/质量有保证
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电话：0755-29275935
联系人：李小姐
地址：广东省深圳市华强北赛格科技园6C18
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ON
新年份
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只做原装正品
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联系人：李林
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
MCR08MT1G
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