MOC3031M ， MOC3032M ， MOC3033M ， MOC3041M ， MOC3042M ， MOC3043M 6引脚DIP零交叉光隔离器可控硅驱动器输出（ 250/400伏峰）
2005年6月
MOC3031M ， MOC3032M ， MOC3033M ， MOC3041M ，
MOC3042M ， MOC3043M
6引脚DIP零交叉光隔离器可控硅驱动器输出
（ 250/400伏峰）
特点
■
简化网络连接的ES逻辑控制115伏交流电源
■
零电压穿越
■
2000 V的dv / dt /μs的典型， 1000 V / μs的保证
■
VDE认可（文件号： 94766 ） ，订购选项V
（例如， MOC3043VM ）
描述
该MOC303XM和MOC304XM设备包括一个的AlGaAs
红外发光二极管光耦合到一个单片硅
检测器进行零电压交叉bilat-的功能
ERAL可控硅驱动器。
它们被设计用于在逻辑的接口三端双向可控硅
系统设备从115伏交流线供电，如
电传打字机， CRT显示器，固态继电器，工业控制，
打印机，电机，电磁阀及消费类电子产品等。
应用
■
螺线管/阀门控制
■
静态电源开关
■
温度控制
■
交流电动机起动器
■
照明控制
■
交流马达驱动器
■
E.M.接触
■
固态继电器
概要
6
6
1
阳极1
6个主要的术语。
阴极2
5 NC *
零
路口
电路
1
N / C 3
4主要名词。
6
*不要连接
（ TRIAC基板）
1
1
MOC3031M ， MOC3032M ， MOC3033M ， MOC3041M ， MOC3042M ， MOC3043M版本1.0.1
2005仙童半导体公司
www.fairchildsemi.com
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绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
设备总
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
结温范围
隔离浪涌电压
(1)
（峰值交流电压，60赫兹， 1秒持续时间）
器件总功耗@ 25°C
减免上述25℃
辐射源
连续正向电流
反向电压
总功率耗散25 ° C环境
减免上述25℃
探测器
断态输出端子电压
V
DRM
I
TSM
P
D
MOC3031M/2M/3M
MOC3041M/2M/3M
重复峰值浪涌电流（ PW = 100微秒， 120 ，PPS）
总功率耗散@ 25 ° C环境
减免上述25℃
记
1.隔离浪涌电压，V
ISO
，是一个内部设备绝缘击穿的评价。对于本试验中，引脚1和2是常见的，并且引脚4 ， 5和6是
常见的。
符号
T
英镑
T
OPR
T
SOL
T
J
V
ISO
P
D
设备
所有
所有
所有
所有
所有
所有
价值
-40到+150
-40至+85
260 ，持续10秒
-40至+100
7500
250
2.94
单位
°C
°C
°C
°C
VAC （ PK）
mW
毫瓦/°C的
I
F
V
R
P
D
所有
所有
所有
60
6
120
1.41
mA
V
mW
毫瓦/°C的
250
400
1
150
1.76
V
所有
所有
所有
A
mW
毫瓦/°C的
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
参数
辐射源
输入正向电压
反向漏电流
探测器
高峰阻断电流，两个方向
峰值通态电压，任一方向
断态电压临界上升率
为V
DRM
, I
F
= 0（注1 ）
I
TM
= 100 mA峰值，我
F
= 0
I
F
= 0 （FI gure 9 ，注3）
I
DRM1
V
TM
dv / dt的
所有
所有
所有
1000
1.8
100
3
nA
V
V / μs的
I
F
= 30毫安
V
R
= 6 V
V
F
I
R
所有
所有
1.25
0.01
1.5
100
V
A
测试条件
符敏装置
典型值
最大单位
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
DC特性
LED触发电流
测试条件
主端电压= 3V
（注2 ）
符号
I
FT
设备
MOC3031M/
MOC3041M
MOC3032M/
MOC3042M
MOC3033M/
MOC3043M
民
典型值
最大
15
10
5
单位
mA
保持电流，两个方向
I
H
所有
400
A
2
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过零特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
特征
禁止电压
测试条件
I
F
=额定我
FT
， MT1 ， MT2电压
高于该设备将不会触发
关闭状态
I
F
=额定我
F
额定V
DRM
，关断状态
符号
V
IH
设备
所有
民
典型值
最大
20
单位
V
泄漏抑制状态
记
I
DRM2
所有
500
A
1.测试电压必须在dv / dt的评级被应用。
2.所有设备都保证在触发的I
F
值小于或等于最大余
FT
。因此，推荐的工作我
F
我最大的谎言
FT
（15毫安MOC3031M & MOC3041M 10毫安MOC3032M & MOC3042M 5毫安MOC3033M & MOC3043M ）和绝对最大值我
F
（60 mA）的。
3.这是静态的dv / dt 。参见图9为测试电路。换向dv / dt为唯一的负载驱动晶闸管（多个）的一个函数。
3
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图1. LED正向电压与正向电流
1.6
1.5
800
图2.通态特性
I
F
= 30毫安
600
T
A
= 25°C
I
TM
，通态电流（毫安）
V
F
- 正向电压（ V）
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.1
T
A
= -40°C
400
200
0
-200
-400
-600
-800
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
1
10
100
-
4
-
3
-
2
-
1
0
1
2
3
4
I
F
- LED正向电流（mA ）
V
TM
，导通电压（伏）
图3.触发电流与温度的关系
1.3
10000
图4.漏电流，I
DRM
与温度的关系
I
DRM
漏电流（ NA）
1.2
1000
I
FT
归一化
1.1
100
1.0
10
0.9
归一
T
A
= 25
o
C
1
0.8
-40
-20
0
20
40
60
80
100
0.1
-40
-20
0
20
40
60
o
80
100
T
A
，环境温度（ ° C）
T
A
，环境温度（ C）
4
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图5.我
DRM2
- 泄漏在禁止状态与温度的关系
1.8
图6. LED电流来触发与LED脉冲宽度
16
归一
PW
IN
>> 100
s
1.6
I
FT
， LED触发电流（ NORMAILZED ）
80
100
14
12
10
8
6
4
2
0
1
10
I
DRM2
归一化
1.4
I
F
=额定我
FT
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-40
-20
0
20
40
60
T
A
，环境温度（ ° C）
100
PW
IN
， LED触发脉冲宽度（ μS ）
图7.保持电流，我
H
与温度的关系
3.2
2.8
1.3
图8.禁止电压与温度的关系
I
H
，保持电流（归一化）
1.2
归一
2.4
T
A
= 25° C
V
INH
- 归
1.1
2.0
1.6
1.2
0.8
1.0
0.9
0.8
0.4
0.7
0.0
-40
-40
-20
0
20
40
60
80
100
-20
0
20
40
60
80
100
T
A
，环境温度（ ° C）
T
A
，环境温度（ ° C）
5
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