MOC303XM ， MOC304XM - 6引脚DIP零交叉光隔离器可控硅驱动器输出（ 250/400伏峰）
2010年9月
MOC3031M ， MOC3032M ， MOC3033M ，
MOC3041M ， MOC3042M ， MOC3043M
6引脚DIP零交叉光隔离器可控硅驱动器输出
（ 250/400伏峰）
特点
■
简化了逻辑控制的115 VAC电源
■
零电压穿越
■
2000 V的dv / dt /μs的典型， 1000 V / μs的保证
■
VDE认可（文件号： 94766 ） ，订购选项V
描述
该MOC303XM和MOC304XM设备包括一个
的GaAs红外发光二极管的光耦合到
执行的功能的单片硅检测器
零电压穿越两国双向可控硅驱动器。
它们被设计用于在接口三端双向可控硅
逻辑系统设备从115伏交流电供电
线，如电传打字机， CRT显示器，固态继电器，
工业控制，打印机，电机，电磁铁和
消费类电子产品等。
（例如， MOC3043VM ）
应用
■
螺线管/阀门控制
■
照明控制
■
静态电源开关
■
交流马达驱动器
■
温度控制
■
E.M.接触
■
交流电动机起动器
■
固态继电器
概要
包装纲要
阳极1
6个主要的术语。
阴极2
零
路口
电路
5 NC *
N / C 3
4主要名词。
*不要连接
（ TRIAC基板）
2005仙童半导体公司
MOC303XM ， MOC304XM版本1.0.7
www.fairchildsemi.com
MOC303XM ， MOC304XM - 6引脚DIP零交叉光隔离器可控硅驱动器输出（ 250/400伏峰）
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。
此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。
符号
设备总
T
英镑
T
OPR
T
SOL
T
J
V
ISO
P
D
辐射源
I
F
V
R
P
D
探测器
V
DRM
I
TSM
P
D
参数
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
结温范围
隔离浪涌电压
(1)
（峰值交流电压，60赫兹， 1秒持续时间，我
我-O
≤
2A)
器件总功耗@ 25°C
减免上述25℃
设备
所有
所有
所有
所有
所有
所有
价值
-40到+150
-40至+85
260 10
美国证券交易委员会
-40至+100
7500
250
2.94
单位
°C
°C
°C
°C
VAC （ PK）
mW
毫瓦/°C的
mA
V
mW
毫瓦/°C的
V
A
mW
毫瓦/°C的
连续正向电流
反向电压
总功率耗散25 ° C环境
减免上述25℃
所有
所有
所有
60
6
120
1.41
断态输出端子电压
峰值重复浪涌电流
（ PW = 100μs的， 120 ，PPS）
总功率耗散@ 25 ° C环境
减免上述25℃
MOC3031M/2M/3M
MOC3041M/2M/3M
所有
所有
所有
250
400
1
150
1.76
记
1.隔离浪涌电压，V
ISO
，是一个内部设备绝缘击穿的评价。对于本试验中，引脚1和图2是
常见，并且引脚4 ， 5和6是常见的。
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电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
符号
辐射源
V
F
I
R
探测器
I
DRM1
V
TM
dv / dt的
高峰阻断电流，
任一方向
峰值通态电压，
任一方向
的临界上升率
断态电压
为V
DRM
, I
F
= 0
(2)
I
TM
= 100毫安高峰期，我
F
= 0
I
F
= 0 （图9）
(4)
所有
所有
所有
1000
1.8
100
3
nA
V
V / μs的
输入正向电压
反向漏电流
I
F
= 30毫安
V
R
= 6V
所有
所有
1.25
0.01
1.5
100
V
A
参数
测试条件
设备
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
传输特性
符号
I
FT
DC特性
LED触发电流
测试条件
主要终端
电压= 3V
(3)
设备
MOC3031M/
MOC3041M
MOC3032M/
MOC3042M
MOC3033M/
MOC3043M
分钟。
典型值。
马克斯。
15
10
5
单位
mA
I
H
保持电流，
任一方向
所有
400
A
过零特性
符号
V
IH
特征
禁止电压
测试条件
I
F
=额定我
FT
， MT1 ， MT2
电压高于该装置
不会触发
关闭状态
I
F
=额定我
FT
额定V
DRM
关闭状态
设备
所有
分钟。
典型值。
马克斯。
20
单位
V
I
DRM2
泄漏抑制的
状态
所有
2
mA
注意事项：
2.测试电压必须在dv / dt的评级被应用。
3.所有设备都保证在触发的I
F
值小于或等于最大余
FT
。因此，建议
我的操作
F
我最大的谎言
FT
（ 15毫安的MOC3031M & MOC3041M ， 10毫安为MOC3032M & MOC3042M ，
5毫安的MOC3033M & MOC3043M ）和绝对最大值我
F
(60mA).
4.这是静态的dv / dt 。参见图9为测试电路。换向dv / dt为唯一的负载驱动晶闸管（多个）的一个函数。
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安全性和绝缘等级
按照IEC 60747-5-2 ，这是光电耦合器适用于仅在安全限制数据“安全的电气绝缘” 。
符合安全等级，由保护电路装置来保证。
符号
参数
根据DIN VDE 0110安装分类网络阳离子/ 1.89
表1
额定主电压< 150Vrms
额定电压主要< 300Vrms
气候分类科幻阳离子
污染度（ DIN VDE 0110 / 1.89 ）
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
Ⅰ-Ⅳ
Ⅰ-Ⅳ
55/100/21
2
175
1594
V
PEAK
CTI
V
PR
漏电起痕指数
输入到输出的测试电压，方法B ，
V
IORM
X 1.875 = V
PR
， 100 ％生产测试
用TM = 1秒，局部放电< 5PC
输入到输出的测试电压，方法a ，
V
IORM
×1.5 = V
PR
，类型和样品测试
用TM = 60秒，局部放电< 5PC
1275
V
PEAK
V
IORM
V
IOTM
马克斯。工作绝缘电压
最高允许过电压
外部爬电距离
外部间隙
绝缘厚度
850
6000
7
7
0.5
10
9
V
PEAK
V
PEAK
mm
mm
mm
RIO
在TS ，V绝缘电阻
IO
= 500V
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典型性能曲线
图1. LED正向电压与正向电流
1.6
1.5
800
I
F
= 30毫安
图2.通态特性
600
T
A
= 25°C
I
TM
，通态电流（毫安）
V
F
- 正向电压（ V）
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.1
T
A
= -40°C
400
200
0
-200
-400
-600
-800
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
1
10
100
-
4
-
3
-
2
-
1
0
1
2
3
4
I
F
- LED正向电流（mA ）
V
TM
，导通电压（伏）
图3.触发电流与温度的关系
1.3
10000
图4.漏电流，I
DRM
与温度的关系
I
DRM
漏电流（ NA）
1.2
1000
I
FT
归一化
1.1
100
1.0
10
0.9
归一
T
A
= 25
o
C
1
0.8
-40
-20
0
20
40
60
80
100
0.1
-40
-20
0
20
40
60
80
100
T
A
，环境温度（ ° C）
T
A
，环境温度（
o
C)
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