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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2652页 > MOC207M
MOC205M ， MOC206M ， MOC207M - 小外形光耦合器晶体管输出
2013年4月
MOC205M ， MOC206M ， MOC207M
小外形光耦合器晶体管输出
特点
■
U.L.认可（文件＃ E90700 ，第2卷）
■
VDE认可（文件＃ 136616 ）
■
■
■
■
■
描述
这些器件由一个砷化镓红外线的
发光二极管的光耦合到一个单片硅
光电晶体管检测器，在一个表面安装的，小
大纲，塑料封装。它们非常适用于高
密度的应用，并省去了吞吐量
该板的安装。
（添加选项“V”的VDE认证，即MOC205VM ）
紧密匹配的电流传输比
方便的塑料SOIC - 8表面贴装
包装样式
最低BV
首席执行官
70 V保证
标准的SOIC - 8封装，具有0.050"引线间隔
2500 V高输入输出隔离
AC （ RMS）
保证
应用
■
反馈控制电路
■
接口和不同的耦合系统
势和阻抗
■
通用开关电路
■
监控和检测电路
概要
包装外形
阳极
1
8
N / C
阴极
2
7
BASE
图2.包装外形
N / C
3
6
集热器
N / C
4
5
辐射源
图1.原理图
2005仙童半导体公司
MOC205M ， MOC206M ， MOC207M版本1.0.2
www.fairchildsemi.com
MOC205M ， MOC206M ， MOC207M - 小外形光耦合器晶体管输出
绝对最大额定值
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。
此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。
T
A
= 25 ° C除非另有规定ED 。
符号
辐射源
I
F
I
F
（ PK）
V
R
P
D
探测器
V
首席执行官
V
ECO
V
CBO
I
C
P
D
设备总
V
ISO
P
D
T
A
T
英镑
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极 - 基极电压
等级
正向电流 - 连续
正向电流 - 峰值（ PW = 100微秒， 120 ，PPS）
反向电压
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
价值
60
1.0
6.0
90
0.8
70
7.0
70
150
150
1.76
2500
250
2.94
-40至+100
-40到+150
单位
mA
A
V
mW
毫瓦/°C的
V
V
V
mA
mW
毫瓦/°C的
VAC （ RMS）
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
集电极电流连续
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
输入输出隔离电压
中（f = 60赫兹，吨= 1分钟）
(1)(2)(3)
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作温度范围
存储温度范围
注意事项：
1.隔离浪涌电压，V
ISO
，是一个内部设备绝缘击穿的评价。
2.在本试验中，引脚1和2是常见的，销5 ， 6和7中是常见的。
3. V
ISO
2500 V评级
AC （ RMS）
对于t = 1分钟相当于3000伏的额定
AC （ RMS）
对于t = 1秒
2005仙童半导体公司
MOC205M ， MOC206M ， MOC207M版本1.0.2
www.fairchildsemi.com
2
MOC205M ， MOC206M ， MOC207M - 小外形光耦合器晶体管输出
电气特性
T
A
= 25 ° C除非另有规定ED 。
符号
辐射源
V
F
I
R
C
IN
I
CEO1
I
CEO2
BV
首席执行官
BV
ECO
C
CE
CTR
参数
输入正向电压
反向漏电流
输入电容
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 发射极电容
集电极输出电流
(4)
MOC205M
MOC206M
MOC207M
隔离浪涌电压
(1)(2)(3)
绝缘电阻
(2)
隔离电容
(2)
开启时间
打开-O FF时间
上升时间
下降时间
测试条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 6.0 V
分钟。
TYP 。 *
1.15
0.001
18
马克斯。
1.5
100
单位
V
A
pF
探测器
V
CE
= 10 V ，T
A
= 25°C
V
CE
= 10 V ，T
A
= 100°C
I
C
= 100 A
I
E
= 100 A
F = 1.0兆赫，V
CE
= 0
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 10 V
40
63
100
F = 60 Hz的交流（峰值）
T = 1分钟
V = 500 V
I
C
= 2毫安，我
F
= 10毫安
V = 0 V ， F = 1兆赫
I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V,
R
L
= 100
Ω
（图12）
I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V,
R
L
= 100
Ω
（图12）
I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V,
R
L
= 100
Ω
（图12）
I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V,
R
L
= 100
Ω
（图12）
0.2
7.5
5.7
3.2
4.7
2500
10
11
0.4
80
125
200
VAC （ RMS）
Ω
V
pF
s
s
s
s
70
7.0
1.0
1.0
100
10
7.0
50
nA
A
V
V
pF
%
再加
V
ISO
R
ISO
C
ISO
t
on
t
关闭
t
r
t
f
V
CE （SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
*在T典型值
A
= 25°C
注意事项：
1.隔离浪涌电压，V
ISO
，是一个内部设备绝缘击穿的评价。
2.在本试验中，引脚1和2是常见的，销5 ， 6和7中是常见的。
3. V
ISO
2500 V评级
AC （ RMS）
对于t = 1分钟相当于3000伏的额定
AC （ RMS）
对于t = 1秒。
4.电流传输比（ CTR ） = I
C
/I
F
x 100%.
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3
MOC205M ， MOC206M ， MOC207M - 小外形光耦合器晶体管输出
典型性能曲线
1.8
10
1.7
V
F
- 正向电压（ V）
1.6
I
C
- 输出集电极电流（归）
1.5
1
V
CE
= 5 V
归到我
F
= 10毫安
1.4
T
A
= –55°C
1.3
T
A
= 25°C
1.2
0.1
1.1
T
A
= 100°C
1.0
1
10
100
I
F
- LED正向电流（mA ）
图3. LED正向电压与正向电流
0.01
0.1
1
10
100
I
F
- LED输入电流（mA）
图4.输出个当前与输入电流
10
I
C
- 输出集电极电流（归）
1.6
I
C
- 输出集电极电流（归）
1.4
1.2
1.0
1
0.8
0.6
0.4
0.2
I
F
= 10毫安
归到V
CE
= 5 V
0.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
归一化到T
A
= 25°C
0.1
-80
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
T
A
=环境温度（℃）
V
CE
- 集电极 - 发射极电压（ V）
图5.输出电流与环境温度
10000
1.0
图6.输出电流 - 集电极 - 发射极电压
I
首席执行官
- 集电极发射极暗电流（ NA）
1000
V
CE
= 10 V
0.9
I
F
= 20毫安
0.8
0.7
100
归一化CTR
0.6
0.5
I
F
= 10m的
I
F
= 5毫安
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
10
1
V
CE
= 5 V ，T
A
= 25°C
标准化为：
CTR为R
BE
=打开
10
100
1000
0.1
0
20
40
60
80
100
T
A
=环境温度（℃）
R
BE
- 基极电阻值（kΩ ）
图7.暗电流与环境温度
图8.点击率与RBE （不饱和）
2005仙童半导体公司
MOC205M ， MOC206M ， MOC207M版本1.0.2
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4
MOC205M ， MOC206M ， MOC207M - 小外形光耦合器晶体管输出
典型性能曲线
（续）
1.0
0.9
3.5
4.0
V
CC
= 10 V
I
C
= 2毫安
R
L
= 100Ω
标准化为：
t
on
在r
BE
=打开
0.8
I
F
= 20毫安
3.0
归一化CTR
0.7
0.6
0.5
I
F
= 5毫安
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
10
V
CE
= 0.3 V ，T
A
= 25°C
标准化为：
CTR为R
BE
=打开
100
1000
0.5
I
F
= 10m的
归一吨
on
2.5
2.0
1.5
1.0
0.0
0.01
0.1
1
10
100
R
BE
- 基极电阻值（kΩ ）
R
BE
–
基极电阻（M
Ω
)
图9. CTR与RBE （饱和）
图10.归一吨与RBE
1.6
1.4
1.2
V
CC
= 10 V
I
C
= 2毫安
R
L
= 100
Ω
标准化为：
t
关闭
在r
BE
=打开
f
归一吨
关闭
f
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.01
0.1
1
10
100
R
BE
- 基极电阻
(M
Ω
)
图11.归花花公子与RBE
测试电路
V
CC
= 10 V
波形
输入脉冲
I
F
输入
R
BE
I
C
R
L
10%
90%
t
r
t
on
我调整
F
制作我
C
= 2毫安
t
f
t
关闭
输出脉冲
产量
图12.开关时间测试电路和波形
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MOC205M ， MOC206M ， MOC207M - 小外形光耦合器晶体管输出
2013年4月
MOC205M ， MOC206M ， MOC207M
小外形光耦合器晶体管输出
特点
■
U.L.认可（文件＃ E90700 ，第2卷）
■
VDE认可（文件＃ 136616 ）
■
■
■
■
■
描述
这些器件由一个砷化镓红外线的
发光二极管的光耦合到一个单片硅
光电晶体管检测器，在一个表面安装的，小
大纲，塑料封装。它们非常适用于高
密度的应用，并省去了吞吐量
该板的安装。
（添加选项“V”的VDE认证，即MOC205VM ）
紧密匹配的电流传输比
方便的塑料SOIC - 8表面贴装
包装样式
最低BV
首席执行官
70 V保证
标准的SOIC - 8封装，具有0.050"引线间隔
2500 V高输入输出隔离
AC （ RMS）
保证
应用
■
反馈控制电路
■
接口和不同的耦合系统
势和阻抗
■
通用开关电路
■
监控和检测电路
概要
包装外形
阳极
1
8
N / C
阴极
2
7
BASE
图2.包装外形
N / C
3
6
集热器
N / C
4
5
辐射源
图1.原理图
2005仙童半导体公司
MOC205M ， MOC206M ， MOC207M版本1.0.2
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MOC205M ， MOC206M ， MOC207M - 小外形光耦合器晶体管输出
绝对最大额定值
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。
此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。
T
A
= 25 ° C除非另有规定ED 。
符号
辐射源
I
F
I
F
（ PK）
V
R
P
D
探测器
V
首席执行官
V
ECO
V
CBO
I
C
P
D
设备总
V
ISO
P
D
T
A
T
英镑
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极 - 基极电压
等级
正向电流 - 连续
正向电流 - 峰值（ PW = 100微秒， 120 ，PPS）
反向电压
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
价值
60
1.0
6.0
90
0.8
70
7.0
70
150
150
1.76
2500
250
2.94
-40至+100
-40到+150
单位
mA
A
V
mW
毫瓦/°C的
V
V
V
mA
mW
毫瓦/°C的
VAC （ RMS）
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
集电极电流连续
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
输入输出隔离电压
中（f = 60赫兹，吨= 1分钟）
(1)(2)(3)
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作温度范围
存储温度范围
注意事项：
1.隔离浪涌电压，V
ISO
，是一个内部设备绝缘击穿的评价。
2.在本试验中，引脚1和2是常见的，销5 ， 6和7中是常见的。
3. V
ISO
2500 V评级
AC （ RMS）
对于t = 1分钟相当于3000伏的额定
AC （ RMS）
对于t = 1秒
2005仙童半导体公司
MOC205M ， MOC206M ， MOC207M版本1.0.2
www.fairchildsemi.com
2
MOC205M ， MOC206M ， MOC207M - 小外形光耦合器晶体管输出
电气特性
T
A
= 25 ° C除非另有规定ED 。
符号
辐射源
V
F
I
R
C
IN
I
CEO1
I
CEO2
BV
首席执行官
BV
ECO
C
CE
CTR
参数
输入正向电压
反向漏电流
输入电容
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 发射极电容
集电极输出电流
(4)
MOC205M
MOC206M
MOC207M
隔离浪涌电压
(1)(2)(3)
绝缘电阻
(2)
隔离电容
(2)
开启时间
打开-O FF时间
上升时间
下降时间
测试条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 6.0 V
分钟。
TYP 。 *
1.15
0.001
18
马克斯。
1.5
100
单位
V
A
pF
探测器
V
CE
= 10 V ，T
A
= 25°C
V
CE
= 10 V ，T
A
= 100°C
I
C
= 100 A
I
E
= 100 A
F = 1.0兆赫，V
CE
= 0
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 10 V
40
63
100
F = 60 Hz的交流（峰值）
T = 1分钟
V = 500 V
I
C
= 2毫安，我
F
= 10毫安
V = 0 V ， F = 1兆赫
I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V,
R
L
= 100
Ω
（图12）
I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V,
R
L
= 100
Ω
（图12）
I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V,
R
L
= 100
Ω
（图12）
I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V,
R
L
= 100
Ω
（图12）
0.2
7.5
5.7
3.2
4.7
2500
10
11
0.4
80
125
200
VAC （ RMS）
Ω
V
pF
s
s
s
s
70
7.0
1.0
1.0
100
10
7.0
50
nA
A
V
V
pF
%
再加
V
ISO
R
ISO
C
ISO
t
on
t
关闭
t
r
t
f
V
CE （SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
*在T典型值
A
= 25°C
注意事项：
1.隔离浪涌电压，V
ISO
，是一个内部设备绝缘击穿的评价。
2.在本试验中，引脚1和2是常见的，销5 ， 6和7中是常见的。
3. V
ISO
2500 V评级
AC （ RMS）
对于t = 1分钟相当于3000伏的额定
AC （ RMS）
对于t = 1秒。
4.电流传输比（ CTR ） = I
C
/I
F
x 100%.
2005仙童半导体公司
MOC205M ， MOC206M ， MOC207M版本1.0.2
www.fairchildsemi.com
3
MOC205M ， MOC206M ， MOC207M - 小外形光耦合器晶体管输出
典型性能曲线
1.8
10
1.7
V
F
- 正向电压（ V）
1.6
I
C
- 输出集电极电流（归）
1.5
1
V
CE
= 5 V
归到我
F
= 10毫安
1.4
T
A
= –55°C
1.3
T
A
= 25°C
1.2
0.1
1.1
T
A
= 100°C
1.0
1
10
100
I
F
- LED正向电流（mA ）
图3. LED正向电压与正向电流
0.01
0.1
1
10
100
I
F
- LED输入电流（mA）
图4.输出个当前与输入电流
10
I
C
- 输出集电极电流（归）
1.6
I
C
- 输出集电极电流（归）
1.4
1.2
1.0
1
0.8
0.6
0.4
0.2
I
F
= 10毫安
归到V
CE
= 5 V
0.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
归一化到T
A
= 25°C
0.1
-80
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
T
A
=环境温度（℃）
V
CE
- 集电极 - 发射极电压（ V）
图5.输出电流与环境温度
10000
1.0
图6.输出电流 - 集电极 - 发射极电压
I
首席执行官
- 集电极发射极暗电流（ NA）
1000
V
CE
= 10 V
0.9
I
F
= 20毫安
0.8
0.7
100
归一化CTR
0.6
0.5
I
F
= 10m的
I
F
= 5毫安
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
10
1
V
CE
= 5 V ，T
A
= 25°C
标准化为：
CTR为R
BE
=打开
10
100
1000
0.1
0
20
40
60
80
100
T
A
=环境温度（℃）
R
BE
- 基极电阻值（kΩ ）
图7.暗电流与环境温度
图8.点击率与RBE （不饱和）
2005仙童半导体公司
MOC205M ， MOC206M ， MOC207M版本1.0.2
www.fairchildsemi.com
4
MOC205M ， MOC206M ， MOC207M - 小外形光耦合器晶体管输出
典型性能曲线
（续）
1.0
0.9
3.5
4.0
V
CC
= 10 V
I
C
= 2毫安
R
L
= 100Ω
标准化为：
t
on
在r
BE
=打开
0.8
I
F
= 20毫安
3.0
归一化CTR
0.7
0.6
0.5
I
F
= 5毫安
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
10
V
CE
= 0.3 V ，T
A
= 25°C
标准化为：
CTR为R
BE
=打开
100
1000
0.5
I
F
= 10m的
归一吨
on
2.5
2.0
1.5
1.0
0.0
0.01
0.1
1
10
100
R
BE
- 基极电阻值（kΩ ）
R
BE
–
基极电阻（M
Ω
)
图9. CTR与RBE （饱和）
图10.归一吨与RBE
1.6
1.4
1.2
V
CC
= 10 V
I
C
= 2毫安
R
L
= 100
Ω
标准化为：
t
关闭
在r
BE
=打开
f
归一吨
关闭
f
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.01
0.1
1
10
100
R
BE
- 基极电阻
(M
Ω
)
图11.归花花公子与RBE
测试电路
V
CC
= 10 V
波形
输入脉冲
I
F
输入
R
BE
I
C
R
L
10%
90%
t
r
t
on
我调整
F
制作我
C
= 2毫安
t
f
t
关闭
输出脉冲
产量
图12.开关时间测试电路和波形
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