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MCP4821/MCP4822
12位DAC,内置V
REF
和SPI 接口
特点
12位分辨率
± 0.2最低位DNL (典型值)。
±2 LSB INL (典型值)。
单通道或双通道
轨到轨输出
与20 MHz时钟支持SPI 接口
双DAC的同时锁存
与LDAC引脚
4.5 μs的快速建立时间
可选的统一或2x增益输出
2.048V内部带隙基准电压源
50 PPM /°C, V
REF
温度COEF网络cient
2.7V至5.5V单电源供电
扩展级温度范围: -40 ° C至+ 125°C
描述
Microchip Technology Inc.的MCP482X器件
2.7V - 5.5V ,低功耗,低DNL , 12位数字 - 模拟
转换器(DAC )与内部带隙电压
参考,可选2个缓冲输出和串行
外设接口( SPI ) 。
MCP482X系列的DAC提供高精确度
和工业应用的低噪声性能
其中,校准或信号补偿(如
温度,压力和湿度)是必需的。
MCP482X器件在扩展可用
温度范围和PDIP , SOIC和MSOP
包。
MCP482X器件采用电阻串
建筑,以其固有的低DNL的优势
误差,低比例温度系数和快速
的稳定时间。这些器件工作在
扩展级温度范围。 MCP482X系列
包括双缓冲寄存器,允许simulta-
利用LDAC引脚neous更新。这些器件还
集成了上电复位( POR)电路,以确保
可靠的电。
应用
设定点或失调微调
传感器校准
精密可选择电压基准
便携式仪表(电池供电)
光通信设备的校准
封装类型
8引脚PDIP , SOIC , MSOP
CS 2
SCK 3
SDI 4
MCP4821
MCP4822
框图
CS
SDI
SCK
LDAC
V
DD
1
8 V
OUTA
7 AV
SS
6 SHDN
5 LDAC
接口逻辑
POWER- ON
RESET
V
DD
AV
SS
输入
寄存器A
DAC
A
注册
输入
寄存器B
DAC
B
注册
STRING
DAC
B
2.048V
V
REF
8引脚PDIP , SOIC , MSOP
V
DD
1
CS 2
SCK 3
SDI 4
8 V
OUTA
7 AV
SS
6 V
OUTB
5 LDAC
STRING
DAC
A
收益
逻辑
产量
运算放大器
产量
逻辑
收益
逻辑
V
OUTA
SHDN
V
OUTB
2005年Microchip的科技公司
DS21953A第1页
MCP4821/MCP4822
1.0
电动
特征
注意:
上面讲的那些最大的“上市
“,可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值,器件的功能操作
这些或任何上述其他条件的说明
本规范运作上市,是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值
V
DD
.............................................................................................................
6.5V
所有输入和输出................... AV
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
在输入引脚电流.............................................. ...... ± 2毫安
在电源引脚电流.............................................. 。 ± 50毫安
在输出引脚电流.............................................. 。 ± 25毫安
储存温度.....................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度。电源采用................- 55 ° C至+ 125°C
所有引脚的ESD保护
........... ≥
4千伏( HBM ) ,
400V ( MM )
最高结温(T
J
) . .........................+150°C
5V AC / DC特性
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,V
DD
= 5V , AV
SS
= 0V, V
REF
= 2.048V ,输出缓冲器增益( G) = 2倍,
R
L
= 5 kΩ到GND ,C
L
= 100 pF的,T
A
= -40+ 85°C 。典型值在+ 25°C 。
参数
电源要求
输入电压
输入电流 -
MCP4821
输入电流
-
MCP4822
硬件关断电流
软件关断电流
上电复位阈值
DC精度
决议
INL误差
DNL
(注1 )
偏移误差
偏移误差温度
系数
增益误差
增益误差温度
系数
标称参考电压
温度COEF网络cient
(注1 )
n
INL
DNL
V
OS
V
OS
/°C
g
E
12
-12
-0.75
-1
-2
2
±0.2
±0.02
0.16
-0.44
-0.10
-3
12
+0.75
1
2
最低位
最低位
% FSR的
PPM /°C的
PPM /°C的
% FSR的
PPM /°C的
设备是单调
代码= 0x000h
-45 ℃至25 ℃的
+ 25 ° C至85°C
代码0xFFFh ,不包括失调
错误
V
DD
I
DD
I
SHDN
I
SHDN_SW
V
POR
2.7
330
415
0.3
3.3
2.0
5.5
400
750
2
6
A
A
A
V
数字输入接地,输出
卸载,代码= 0x000的
符号
典型值
最大
单位
条件
Δ
G / ℃,
V
REF
内部基准电压(V
REF
)
2.008
输出噪声(V
REF
噪声)
输出噪声密度
E
NREF
( 0.110赫兹)
e
NREF
( 1千赫)
e
NREF
( 10千赫)
1 / f转折频率
注1 :
2:
f
角落
在设计上,而不是生产测试。
太小量化。
2.048
125
0.25
45
0.09
290
1.2
1.0
400
2.088
325
0.65
160
0.32
V
PPM /°C的
LSB /°C的
PPM /°C的
LSB /°C的
V
p-p
V/
Hz
V/
Hz
Hz
V
OUTA
当G = 1X和
代码= 0xFFFh
-40 ℃至0 ℃下
-40 ℃至0 ℃下
0 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 85°C
代码= 0xFFFh ,G = 1
代码= 0xFFFh ,G = 1
代码= 0xFFFh ,G = 1
Δ
V
REF
/°C
DS21953A第2页
2005年Microchip的科技公司
MCP4821/MCP4822
5V AC / DC特性(续)
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,V
DD
= 5V , AV
SS
= 0V, V
REF
= 2.048V ,输出缓冲器增益( G) = 2倍,
R
L
= 5 kΩ到GND ,C
L
= 100 pF的,T
A
= -40+ 85°C 。典型值在+ 25°C 。
参数
输出放大器器
输出摆幅
相位裕度
压摆率
短路电流
建立时间
动态性能
DAC至DAC串扰
主要代码跳变毛刺
数字馈通
模拟串扰
注1 :
2:
在设计上,而不是生产测试。
太小量化。
<10
45
<10
<10
nV-s表示
nV-s表示
nV-s表示
nV-s表示
注2
1 LSB变化主进位
( 0111 ... 1111至1000年... 0000 )
注2
注2
V
OUT
PM
SR
I
SC
t
解决
0.010
V
DD
– 0.040
66
0.55
15
4.5
24
°
V / μs的
mA
s
在1/2 LSB终值从
1/4至3/4满量程范围
精度优于1为最低位
V
OUT
= 10 mV至(V
DD
- 40毫伏)
符号
典型值
最大
单位
条件
3V AC / DC特性
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,V
DD
= 3V , AV
SS
= 0V, V
REF
= 2.048V外部输出缓冲器增益( G) = 1X ,
R
L
= 5 kΩ到GND ,C
L
= 100 pF的,T
A
= -40+ 85°C 。在25℃下的典型值
参数
电源要求
输入电压
输入电流 -
MCP4821
输入电流
-
MCP4822
硬件关断电流
软件关断电流
上电复位门限
DC精度
决议
INL误差
DNL
(注1 )
偏移误差
偏移误差温度
系数
增益误差
增益误差温度
系数
注1 :
2:
n
INL
DNL
V
OS
V
OS
/°C
g
E
12
-12
-0.75
-1
-2
±3
±0.3
±0.02
0.5
-0.77
-0.15
-3
12
0.75
1
2
最低位
最低位
% FSR的
PPM /°C的
PPM /°C的
% FSR的
PPM /°C的
设备是单调
代码0x000h
-45 ° C至+ 25°C
+ 25 ° C至+ 85°C
代码0xFFFh ,不包括场外
设置错误
V
DD
I
DD
I
SHDN
I
SHDN_SW
V
POR
2.7
300
415
0.25
2
2.0
5.5
400
750
2
6
A
A
A
V
数字输入接地,输出
卸载,代码= 0x000的
符号
典型值
最大
单位
条件
Δ
G / ℃,
在设计上,而不是生产测试。
太小量化。
2005年Microchip的科技公司
DS21953A第3页
MCP4821/MCP4822
3V AC / DC特性(续)
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,V
DD
= 3V , AV
SS
= 0V, V
REF
= 2.048V外部输出缓冲器增益( G) = 1X ,
R
L
= 5 kΩ到GND ,C
L
= 100 pF的,T
A
= -40+ 85°C 。在25℃下的典型值
参数
内部基准电压(V
REF
)
标称参考电压
温度COEF网络cient
(注1 )
V
REF
2.008
输出噪声(V
REF
噪声)
输出噪声密度
E
NREF
( 0.110赫兹)
e
NREF
( 1千赫)
e
NREF
( 10千赫)
1 / f转折频率
输出放大器器
输出摆幅
相位裕度
压摆率
短路电流
建立时间
动态性能
DAC至DAC串扰
主要代码跳变毛刺
<10
45
nV-s表示
nV-s表示
注2
1 LSB变化主进位
(
0111 ... 1111
1000...0000
)
注2
注2
V
OUT
PM
SR
I
SC
t
解决
0.010
V
DD
– 0.040
66
0.55
14
4.5
24
°
V / μs的
mA
s
在1/2 LSB终值从
1/4至3/4满量程范围
精度优于1为最低位
V
OUT
= 10 mV至(V
DD
- 40毫伏)
f
角落
2.048
125
0.25
45
0.09
290
1.2
1.0
400
2.088
325
0.65
160
0.32
V
PPM /°C的
LSB /°C的
PPM /°C的
LSB /°C的
V
p-p
V/
Hz
V/
Hz
Hz
V
OUTA
当G = 1X和
代码= 0xFFFh
-40 ℃至0 ℃下
-40 ℃至0 ℃下
0 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 85°C
代码= 0xFFFh ,G = 1
代码= 0xFFFh ,G = 1
代码= 0xFFFh ,G = 1
符号
典型值
最大
单位
条件
Δ
V
REF
/°C
数字馈通
模拟串扰
注1 :
2:
在设计上,而不是生产测试。
太小量化。
<10
<10
nV-s表示
nV-s表示
5V扩展温度规范
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,V
DD
= 5V , AV
SS
= 0V, V
REF
= 2.048V ,输出缓冲器增益( G) = 2倍,
R
L
= 5 kΩ到GND ,C
L
= 100 pF的。典型值在+ 125 ° C时测试或仿真。
参数
电源要求
输入电压
输入电流 -
MCP4821
输入电流
-
MCP4822
硬件关断电流
软件关断电流
上电复位门限
DC精度
决议
INL误差
注1 :
2:
n
INL
在设计上,而不是生产测试。
太小量化。
12
±4
最低位
V
DD
I
DD
I
SHDN
I
SHDN_SW
V
POR
2.7
350
440
1.5
5
1.85
5.5
A
A
A
V
数字输入接地,输出
卸载,代码= 0x000的
符号
典型值
最大
单位
条件
DS21953A第4页
2005年Microchip的科技公司
MCP4821/MCP4822
5V扩展温度规范(续)
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,V
DD
= 5V , AV
SS
= 0V, V
REF
= 2.048V ,输出缓冲器增益( G) = 2倍,
R
L
= 5 kΩ到GND ,C
L
= 100 pF的。典型值在+ 125 ° C时测试或仿真。
参数
DNL
(注1 )
偏移误差
偏移误差温度
系数
增益误差
增益误差温度
系数
内部基准电压(V
REF
)
标称参考电压
温度COEF网络cient
(注1 )
V
REF
输出噪声(V
REF
噪声)
输出噪声密度
E
NREF
( 0.1 - 10赫兹)
e
NREF
( 1千赫)
e
NREF
( 10千赫)
1 / f转折频率
输出放大器器
输出摆幅
相位裕度
压摆率
短路电流
建立时间
动态性能
DAC至DAC串扰
主要代码跳变毛刺
<10
45
nV-s表示
nV-s表示
注2
1 LSB变化主进位
(
0111 ... 1111
1000...0000
)
注2
注2
V
OUT
PM
SR
I
SC
t
解决
0.010
V
DD
– 0.040
66
0.55
17
4.5
°
V / μs的
mA
s
在1/2 LSB终值从
1/4至3/4满量程范围
精度优于1为最低位
V
OUT
= 10 mV至(V
DD
- 40毫伏)
f
角落
2.048
125
0.25
45
0.09
290
1.2
1.0
400
V
PPM /°C的
LSB /°C的
PPM /°C的
LSB /°C的
V
p-p
V/
Hz
V/
Hz
Hz
V
OUTA
当G = 1X和
代码= 0xFFFh
-40 ℃至0 ℃下
-40 ℃至0 ℃下
0 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 85°C
代码= 0xFFFh ,G = 1
代码= 0xFFFh ,G = 1
代码= 0xFFFh ,G = 1
符号
DNL
V
OS
V
OS
/°C
g
E
典型值
±0.25
±0.02
-5
-0.10
-3
最大
单位
最低位
% FSR的
PPM /°C的
% FSR的
PPM /°C的
条件
设备是单调
代码0x000h
+ 25 ° C至+ 125°C
代码0xFFFh ,不包括失调
错误
Δ
G / ℃,
Δ
V
REF
/°C
数字馈通
模拟串扰
注1 :
2:
在设计上,而不是生产测试。
太小量化。
<10
<10
nV-s表示
nV-s表示
2005年Microchip的科技公司
DS21953A第5页
MCP4801/4811/4821
8月10日/ 12-位电压输出数位类比转换器
与内部V
REF
和SPI接口
特点
MCP4801 : 8位电压输出DAC
MCP4811 : 10位电压输出DAC
MCP4821 : 12位电压输出DAC
轨到轨输出
SPI接口,具有20 MHz的时钟支持
DAC输出的同时锁存
与LDAC引脚
4.5 μs的快速建立时间
可选的统一或2x增益输出
2.048V内部参考电压
50 PPM /°C, V
REF
温度COEF网络cient
2.7V至5.5V单电源供电
扩展级温度范围: -40 ° C至+ 125°C
描述
在MCP4801 /四千八百二十一分之四千八百十一器件是单声道
8位, 10位和12位缓冲电压输出
数字 - 模拟分别转换器(DAC ) 。该
器件采用2.7V至5.5V电源供电,工作
一个SPI兼容的串行外设接口。
该器件具有高精度内部电压
引用( V
REF
= 2.048V ) 。用户可以配置
该器件的满量程范围为2.048V或4.096V通过
设置增益选择选项位( 1 2增益) 。
该设备可以在主动或关机操作
通过设置配置寄存器位或者使用模式
SHDN引脚。在关断模式下,大多数的内部
电路,包括输出放大器,被关闭的情况
功率节省,而放大器输出端(Ⅴ
OUT
)阶段
配置为呈现已知的高阻抗输出
负载( 500 k typical 。
该器件包括双缓冲寄存器,
使各DAC输出的同步更新
利用LDAC引脚。这些器件还包含一个
上电复位(POR )电路,以确保可靠的加电
了。
该器件采用电阻串结构,具有
其固有的低DNL误差的优点,低比率
温度系数和快速建立时间。
这些器件的额定工作于扩展
温度范围( + 125 ℃)。
该设备提供了高精确度和低噪声
用于消费和工业应用中的性能
其中,校准或信号补偿(如
温度,压力和湿度)是必需的。
在MCP4801 /四千八百二十一分之四千八百十一器件可在
PDIP , SOIC , MSOP和DFN封装。
应用
设定点或失调微调
传感器校准
精密可选择电压基准
便携式仪表(电池供电)
光通信设备的校准
相关产品
(1)
P / N
MCP4801
MCP4811
MCP4821
MCP4802
MCP4812
MCP4822
MCP4901
MCP4911
MCP4921
MCP4902
MCP4912
MCP4922
DAC
决议
8
10
12
8
10
12
8
10
12
8
10
12
通道
1
1
1
2
2
2
1
1
1
2
2
2
国内
(2.048V)
电压
参考
(V
REF
)
注1 :
这里列出的产品也有类似的
交流/直流表演。
2010 Microchip的技术公司
DS22244B第1页
MCP4801/4811/4821
封装类型
PDIP , SOIC , MSOP
MCP48X1
V
DD
1
CS 2
SCK 3
SDI 4
8 V
OUT
7 V
SS
6 SHDN
5 LDAC
V
DD
CS
DFN ( 2×3 ) *
1
2
9
8 V
OUT
7 V
SS
6 SHDN
5 LDAC
SCK 3
SDI 4
MCP4801 :
8位DAC单
MCP4811 :
10位DAC单
MCP4821 :
12位DAC单
*包括裸露的散热焊盘( EP ) ;看
表3-1 。
框图
LDAC
CS
SDI
SCK
接口逻辑
POWER- ON
RESET
输入
注册
V
DD
V
SS
DAC
注册
V
REF
(2.048V)
STRING
DAC
产量
运算放大器
产量
逻辑
收益
逻辑
SHDN
V
OUT
DS22244B第2页
2010 Microchip的技术公司
MCP4801/4811/4821
1.0
电动
特征
注意:
上面讲的那些最大的“上市
“,可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值,器件的功能操作
这些或任何上述其他条件的说明
本规范运作上市,是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值
V
DD
.............................................................................................................
6.5V
所有输入和输出..................... V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
在输入引脚电流.............................................. ...... ± 2毫安
在电源引脚电流.............................................. 。 ± 50毫安
在输出引脚电流.............................................. 。 ± 25毫安
储存温度.....................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度。电源采用................- 55 ° C至+ 125°C
所有引脚的ESD保护
4
千伏( HBM ) ,
400V
(MM)
最高结温(T
J
) . .........................+150°C
电气特性
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,V
DD
= 5V, V
SS
= 0V, V
REF
= 2.048V,
输出缓冲器增益( G) = 2X , RL = 5 k至GND ,C
L
= 100 pF的,T
A
= -40+ 85°C 。典型值为+ 25°C 。
参数
电源要求
工作电压
工作电流
符号
V
DD
I
DD
2.7
典型值
330
最大
5.5
400
单位
条件
A
所有数字输入接地,
模拟输出(V
OUT
)是
卸载。代码= 000H
POR电路被关闭
POR电路仍然接通
硬件关断电流
软件关断电流
上电复位门限
DC精度
MCP4801
决议
INL误差
DNL
MCP4811
决议
INL误差
DNL
MCP4821
决议
INL误差
DNL
偏移误差
偏移误差温度
系数
增益误差
增益误差温度
系数
注1 :
2:
I
SHDN
I
SHDN_SW
V
POR
0.3
3.3
2.0
2
6
A
A
V
n
INL
DNL
n
INL
DNL
n
INL
DNL
V
OS
V
OS
/°C
g
E
G /°C的
8
-1
-0.5
10
-3.5
-0.5
12
-12
-0.75
-1
-2
±0.125
±0.1
±0.5
±0.1
±2
±0.2
±0.02
0.16
-0.44
-0.10
-3
1
+0.5
3.5
+0.5
12
+0.75
1
2
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
PPM /°C的
PPM /°C的
注1
-45 ° C至+ 25°C
+ 25 ° C至+ 85°C
% FSR典= 0x000h
注1
注1
% FSR代码= 0xFFFh的,
不包括偏移误差
PPM /°C的
通过设计保证单调对所有代码。
此参数由设计保证,而不是100 %测试。
2010 Microchip的技术公司
DS22244B第3页
MCP4801/4811/4821
电气特性(续)
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,V
DD
= 5V, V
SS
= 0V, V
REF
= 2.048V,
输出缓冲器增益( G) = 2X , RL = 5 k至GND ,C
L
= 100 pF的,T
A
= -40+ 85°C 。典型值为+ 25°C 。
参数
内部参考电压
温度COEF网络cient
(注2 )
符号
V
REF
2.008
典型值
2.048
125
0.25
45
0.09
290
1.2
1.0
400
0.01
V
DD
– 0.04
66
0.55
15
4.5
最大
2.088
325
0.65
160
0.32
单位
V
PPM /°C的
LSB /°C的
PPM /°C的
LSB /°C的
V
p-p
μV / √Hz的
μV / √Hz的
Hz
V
条件
V
OUT
当G = 1X和
代码= 0xFFFh
-40 ℃至0 ℃下
-40 ℃至0 ℃下
0 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 85°C
代码= 0xFFFh ,G = 1X
代码= 0xFFFh ,G = 1X
代码= 0xFFFh ,G = 1X
内部基准电压(V
REF
)
V
REF
/°C
输出噪声(V
REF
噪声)
输出噪声密度
E
NREF
( 0.110赫兹)
e
NREF
( 1千赫)
e
NREF
( 10千赫)
1 / f转折频率
输出放大器器
输出摆幅
f
角落
V
OUT
相位裕度
压摆率
短路电流
建立时间
PM
SR
I
SC
t
解决
24
度( ° )C
L
= 400 pF的,R
L
=
V / μs的
mA
s
精度优于1最低位
对于V
OUT
= 10 mV至
(V
DD
- 40毫伏)
Within ½ LSb of final value
从至满量程范围
1 LSB各地的主要变化
随身携带( 0111 ... 1111
1000...0000)
动态性能(注2 )
主要代码跳变毛刺
45
nV-s表示
数字馈通
注1 :
2:
<10
nV-s表示
通过设计保证单调对所有代码。
此参数由设计保证,而不是100 %测试。
DS22244B第4页
2010 Microchip的技术公司
MCP4801/4811/4821
扩展温度的电特性
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,V
DD
= 5V, V
SS
= 0V, V
REF
= 2.048V ,输出缓冲器增益( G) = 2倍,
R
L
= 5 kΩ到GND ,C
L
= 100 pF的。典型值为+ 125 ° C时测试或仿真。
参数
电源要求
工作电压
工作电流
符号
V
DD
I
DD
2.7
典型值
350
最大
5.5
单位
条件
A
所有数字输入接地,
模拟输出(V
OUT
)是
卸载。代码= 000H
POR电路被关闭
POR电路仍然接通
硬件关断
当前
软件关断电流
上电复位门限
DC精度
MCP4801
决议
INL误差
DNL
MCP4811
决议
INL误差
DNL
MCP4821
决议
INL误差
DNL
偏移误差
偏移误差温度
系数
增益误差
增益误差温度
系数
内部参考电压
温度COEF网络cient
(注2 )
I
SHDN
I
SHDN_SW
V
POR
1.5
5
1.85
A
A
V
n
INL
DNL
n
INL
DNL
n
INL
DNL
V
OS
V
OS
/°C
g
E
8
10
12
±0.25
±0.2
±1
±0.2
±4
±0.25
±0.02
-5
-0.10
-3
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
PPM /°C的
注1
+ 25 ° C至+ 125°C
% FSR典= 0x000h
注1
注1
% FSR代码= 0xFFFh的,
不包括偏移误差
PPM /°C的
G / ℃,
V
REF
内部基准电压(V
REF
)
输出噪声(V
REF
噪声)
输出噪声密度
E
NREF
( 0.1 - 10赫兹)
e
NREF
( 1千赫)
e
NREF
( 10千赫)
1 / f转折频率
注1 :
2:
f
角落
2.048
125
0.25
45
0.09
290
1.2
1.0
400
V
PPM /°C的
LSB /°C的
PPM /°C的
LSB /°C的
V
p-p
V/
Hz
V/
Hz
Hz
V
OUT
当G = 1X和
代码= 0xFFFh
-40 ℃至0 ℃下
-40 ℃至0 ℃下
0 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 85°C
代码= 0xFFFh ,G = 1X
代码= 0xFFFh ,G = 1X
代码= 0xFFFh ,G = 1X
V
REF
/°C
通过设计保证单调对所有代码。
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