新产品
新产品
新产品
MMSZ5225 THRU MMSZ5267
齐纳二极管
SOD-123
.022 (0.55)
特点
硅平面功率齐纳二极管
标准的齐纳电压容差为± 5 ％
用“B”的后缀。其他公差
可根据要求提供。
这些二极管也是微型MELF情况下可用
指定ZMM5225 ... ZMM5267 ， DO- 35例
型号命名1N5225 1N5267 ...和SOT-23的情况下
同类型指定MMBZ5225 ... MMBZ5267 。
阴极标记
.152 (3.85)
.140 (3.55)
.112 (2.85)
.100 (2.55)
顶视图
最大。 0.004 （0.1）
最大。 0.053 （ 1.35 ）
分钟。 0.010 （0.25）
最大。 0.006 （ 0.15 ）
.067 (1.70)
.055 (1.40)
机械数据
案例：
SOD- 123塑料外壳
重量：
约。 0.01克
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
符号
价值
单位
齐纳电流（见表“特性” ）
在T功耗
L
= 75°C
最高结温
存储温度范围
P
合计
T
j
T
S
500
(1)
150
-65到+175
mW
°C
°C
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
热阻结到环境空气
在我正向电压
F
= 10毫安
R
θJA
V
F
–
–
–
–
340
(1)
0.9
° C / W
伏
注意事项：
（ 1 ） FR - 4或FR- 5板最低建议焊盘布局。
1/20/99
MMSZ5225 THRU MMSZ5267
电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
TYPE
记号
CODE
额定齐纳
电压
(3)
at
I
ZT
V
Z
(V)
最大齐纳
阻抗
(1)
TEST
当前
I
ZT
（MA ）
at
I
ZT
Z
ZT
()
at
I
ZK
= 0.25毫安
Z
ZK
()
最大
反向漏电流
典型
温辐射
系数
α
vz
(%/K)
I
R
(A)
测试电压
V
R
(V)
MMSZ5225
MMSZ5226
MMSZ5227
MMSZ5228
MMSZ5229
MMSZ5230
MMSZ5231
MMSZ5232
MMSZ5233
MMSZ5234
MMSZ5235
MMSZ5236
MMSZ5237
MMSZ5238
MMSZ5239
MMSZ5240
MMSZ5241
MMSZ5242
MMSZ5243
MMSZ5244
MMSZ5245
MMSZ5246
MMSZ5247
MMSZ5248
MMSZ5249
MMSZ5250
MMSZ5251
MMSZ5252
MMSZ5253
MMSZ5254
MMSZ5255
MMSZ5256
MMSZ5257
MMSZ5258
MMSZ5259
MMSZ5260
MMSZ5261
MMSZ5262
MMSZ5263
MMSZ5264
MMSZ5265
MMSZ5266
MMSZ5267
C5
D1
D2
D3
D4
D5
E1
E2
E3
E4
E5
F1
F2
F3
F4
F5
H1
H2
H3
H4
H5
J1
J2
J3
J4
J5
K1
K2
K3
K4
K5
M1
M2
M3
M4
M5
N1
N2
N3
N4
N5
P1
P2
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.0
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
47
51
56
60
62
68
75
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
9.5
9.0
8.5
7.8
7.4
7.0
6.6
6.2
5.6
5.2
5.0
4.6
4.5
4.2
3.8
3.4
3.2
3.0
2.7
2.5
2.2
2.1
2.0
1.8
1.7
30
28
24
23
22
19
17
11
7
7
5
6
8
8
10
17
22
30
13
15
16
17
19
21
23
25
29
33
35
41
44
49
58
70
80
93
105
125
150
170
185
230
270
1600
1600
1700
1900
2000
1900
1600
1600
1600
1000
750
500
500
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
700
700
800
900
1000
1100
1300
1400
1400
1600
1700
-0.075
-0.070
-0.065
-0.060
-0.055
±0.030
±0.030
+0.038
+0.038
+0.045
+0.050
+0.058
+0.062
+0.065
+0.068
+0.075
+0.076
+0.077
+0.079
+0.082
+0.082
+0.083
+0.084
+0.085
+0.086
+0.086
+0.087
+0.087
+0.089
+0.090
+0.091
+0.091
+0.092
+0.093
+0.094
+0.095
+0.095
+0.096
+0.096
+0.097
+0.097
+0.097
+0.098
50
25
15
10
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
2.0
1.0
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
6.5
6.5
7.0
8.0
8.4
9.1
9.9
10
11
12
13
14
14
15
17
18
19
21
21
23
25
27
30
33
36
39
43
46
47
52
56
注意事项：
（1）齐纳阻抗从1kHz的交流电压具有有效值的交流电流时，其导致来自
值等于齐纳电流的10％ （我
ZT
还是我
ZK
）被叠加在我
ZT
还是我
ZK
。齐纳阻抗的测量是在两个点，以确保在一个锋利的膝
故障曲线，消除不稳定的单位。
（ 2 ）测量与热平衡器件结。
MMSZ5225 -V以MMSZ5267 -V
威世半导体
小信号齐纳二极管
特点
硅平面功率齐纳二极管。
标准齐纳电压容差为± 5 ％
e3
用"B"后缀（例如： MMSZ5225B -V）
后缀“ C”为± 2 ％容差
这些二极管也是MiniMELF情况下可用
与指定TZM5225 ... TZM5267 ，
DO- 35例类型指定1N5225 ...
1N5267和SOT23封装外壳的类型名称
化MMBZ5225 -V ... MMBZ5267 -V 。
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
17431
机械数据
案例：
SOD123塑料外壳
重量：
约。 9.3毫克
包装代码/选项：
GS18 / 10％ 13 "卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒
GS08 / 3元7 "卷轴（8毫米磁带） ， 15 K /盒
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
齐纳电流（见表"Characteristics" ）
功耗
1)
测试条件
T
L
= 75 °C
符号
P
合计
价值
500
1)
单位
mW
在FR - 4或FR - 5局以最小的推荐焊盘布局。
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到环境空气
最高结温
存储温度范围
1)
测试条件
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
340
1)
150
- 65 + 175
单位
K / W
°C
°C
在FR - 4或FR - 5局以最小的推荐焊盘布局。
文档编号85774
修订版1.5 ， 20 -MAR -06
www.vishay.com
1
MMSZ5225 -V以MMSZ5267 -V
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25 C ，除非另有说明
最大V
F
= 0.9 V ，在我
F
= 10毫安
部分号码
记号
CODE
公称
齐纳
电压
2)
V
Z
在我
ZT
V
MMSZ5225
MMSZ5226
MMSZ5227
MMSZ5228
MMSZ5229
MMSZ5230
MMSZ5231
MMSZ5232
MMSZ5233
MMSZ5234
MMSZ5235
MMSZ5236
MMSZ5237
MMSZ5238
MMSZ5239
MMSZ5240
MMSZ5241
MMSZ5242
MMSZ5243
MMSZ5244
MMSZ5245
MMSZ5246
MMSZ5247
MMSZ5248
MMSZ5249
MMSZ5250
MMSZ5251
MMSZ5252
MMSZ5253
MMSZ5254
MMSZ5255
MMSZ5256
MMSZ5257
MMSZ5258
MMSZ5259
MMSZ5260
MMSZ5261
MMSZ5262
MMSZ5263
MMSZ5264
MMSZ5265
MMSZ5266
MMSZ5267
1)
TEST
当前
I
ZT
mA
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
9.5
9.0
8.5
7.8
7.4
7.0
6.6
6.2
5.6
5.2
5.0
4.6
4.5
4.2
3.8
3.4
3.2
3.0
2.7
2.5
2.2
2.1
2.0
1.8
1.7
最大动态
阻抗
1)
Z
ZT
在我
ZT
Ω
30
28
24
23
22
19
17
11
7
7
5
6
8
8
10
17
22
30
13
15
16
17
19
21
23
25
29
33
35
41
44
49
58
70
80
93
105
125
150
170
185
230
270
Z
ZK
在我
ZK
= 0.25毫安
Ω
1600
1600
1700
1900
2000
1900
1600
1600
1600
1000
750
500
500
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
700
700
800
900
1000
1100
1300
1400
1400
1600
1700
典型的温度
系数
α
VZ
%/°C
- 0.075
- 0.070
- 0.065
- 0.060
- 0.055
± 0.030
± 0.030
+ 0.038
+ 0.038
+ 0.045
+ 0.050
+ 0.058
+ 0.062
+ 0.065
+ 0.068
+ 0.075
+ 0.076
+ 0.077
+ 0.079
+ 0.082
+ 0.082
+ 0.083
+ 0.084
+ 0.085
+ 0.086
+ 0.086
+ 0.087
+ 0.087
+ 0.089
+ 0.090
+ 0.091
+ 0.091
+ 0.092
+ 0.093
+ 0.094
+ 0.095
+ 0.095
+ 0.096
+ 0.096
+ 0.097
+ 0.097
+ 0.097
+ 0.098
最大反向
漏电流
I
R
A
50
25
15
10
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
2.0
1.0
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
R
V
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
6.5
6.5
7.0
8.0
8.4
9.1
9.9
10
11
12
13
14
14
15
17
18
19
21
21
23
25
27
30
33
36
39
43
46
47
52
56
C5
D1
D2
D3
D4
D5
E1
E2
E3
E4
E5
F1
F2
F3
F4
F5
H1
H2
H3
H4
H5
J1
J2
J3
J4
J5
K1
K2
K3
K4
K5
M1
M2
M3
M4
M5
N1
N2
N3
N4
N5
P1
P2
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.0
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
47
51
56
60
62
68
75
齐纳阻抗是从1千赫兹的交流电压具有的RMS值等于10％的交流电流时，其导致来自
齐纳电流（I
ZT
还是我
ZK
）被叠加在我
ZT
还是我
ZK
。齐纳阻抗的测量是在两个点，以确保在一个锋利的膝
故障曲线，消除不稳定的单位。
2)
测量与热平衡器件结。
文档编号85774
修订版1.5 ， 20 -MAR -06
www.vishay.com
2
MMSZ5225 -V以MMSZ5267 -V
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
www.vishay.com
4
文档编号85774
修订版1.5 ， 20 -MAR -06
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改，恕不另行通知。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
（统称为“Vishay ” ） ，对本文档中的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
日前，Vishay不承担任何及由此产生的任何产品的使用或应用程序的所有责任本文中的任何或描述
本文提供的，在法律允许的最大范围内的信息。产品规格没有扩展或者
以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，包括但不限于本文保修
其中，适用于这些产品。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本
文档或任何Vishay的行为。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生使用，或维持生命的应用程序，除非
另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
www.vishay.com
1
QQ：2881677436 复制
