MMSZ5221ET1系列
首选设备
齐纳稳压器
500 mW的SOD- 123表面贴装
三全系列齐纳二极管的方便提供，
表面贴装塑料SOD- 123封装。这些器件提供了一个
方便的替代无铅34封装形式。
特点
http://onsemi.com
无铅包可用
500毫瓦级别的FR- 4和FR- 5局
广齐纳反向电压范围 - 2.4 V至110 V
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
通用，中等电流
ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型
峰值功率 - 225 W（ 8
x
20
女士）
1
阴极
2
阳极
2
1
SOD123
CASE 425
风格1
标记图
机械特性：
260℃ 10秒
极性：
阴极指示的极性带
可燃性等级：
符合UL 94 V -0
最大额定值
等级
峰值功耗@ 20
ms
（注1 ）
@ T
L
≤
25°C
总功耗的FR- 5局，
（注2 ） @ T
L
= 75°C
75°C以上降额
热阻（注3 ）
结到环境
热阻（注3 ）
结到铅
结温和存储温度范围
符号
P
pk
P
D
500
6.7
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
340
150
-55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
最大
225
单位
W
XXX =具体设备守则
M =日期代码
订购信息
设备**
MMSZ52xxET1
MMSZ52xxET1G
MMSZ52xxET3
MMSZ52xxET3G
包
SOD123
SOD123
（无铅）
SOD123
SOD123
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
**的“T1”的后缀是指一个8毫米， 7寸盘。
在“T3”的后缀是指一个8毫米， 13英寸卷筒。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
按照图11 1.非重复性电流脉冲。
2， FR - 5 = 3.5 ×1.5英寸，采用建议的最低足迹。
通过红外线扫描方法得到3.热电阻测量。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
电气特性表的第2页上栏
此数据表。
设备上市
粗体，斜体
是安森美半导体
首选
设备。
首选
设备推荐
选择以供将来使用和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年2月 - 第4版
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳
表面处理：
完成耐腐蚀，易焊
最大外壳焊接温度的目的：
XXX M
出版订单号：
MMSZ5221ET1/D
MMSZ5221ET1系列
电气特性
(T
A
= 25°C ，除非
另有说明，V
F
= 0.95 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
符号
V
Z
I
ZT
Z
ZT
I
ZK
Z
ZK
I
R
V
R
I
F
V
F
参数
反向击穿电压@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZK
反向漏电流@ V
R
反向电压
正向电流
正向电压@ I
F
V
Z
V
R
I
R
V
F
I
ZT
V
I
F
I
齐纳稳压器
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 0.9 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
齐纳电压
（注4和5）
设备
记号
V
Z
(V)
民
喃
最大
@ I
ZT
mA
齐纳阻抗
（注6 ）
Z
ZT
@ I
ZT
W
Z
ZK
@ I
ZK
W
mA
漏电流
I
R
@ V
R
mA
V
设备
MMSZ5221ET1
MMSZ5223ET1
MMSZ5226ET1
MMSZ5228ET1
CA1
CA3
CA6
CA8
2.28
2.57
3.14
3.71
2.4
2.7
3.3
3.9
2.52
2.84
3.47
4.10
20
20
20
20
30
30
28
23
1200
1300
1600
1900
0.25
0.25
0.25
0.25
100
75
25
10
1
1
1
1
MMSZ5229ET1
MMSZ5231ET1
MMSZ5232ET1 ，G
MMSZ5234ET1
MMSZ5235ET1
MMSZ5236ET1 ，G
MMSZ5237ET1
CA9
CB2
CB3
CB5
CB6
CB7
CB8
4.09
4.85
5.32
5.89
6.46
7.13
7.79
4.3
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
4.52
5.36
5.88
6.51
7.14
7.88
8.61
20
20
20
20
20
20
20
22
17
11
7
5
6
8
2000
1600
1600
1000
750
500
500
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
5
5
5
5
3
3
3
1
2
3
4
5
6
6.5
MMSZ5240ET1 ，G
MMSZ5242ET1 ，G
MMSZ5243ET1
MMSZ5244ET1
CC2
CC4
CC5
CC6
9.50
11.40
12.35
13.30
10
12
13
14
10.50
12.60
13.65
14.70
20
20
9.5
9.0
17
30
13
15
600
600
600
600
0.25
0.25
0.25
0.25
3
1
0.5
0.1
8
9.1
9.9
10
MMSZ5245ET1
MMSZ5246ET1
MMSZ5248ET1
MMSZ5250ET1
CC7
CC8
CD1
CD3
14.25
15.20
17.10
19.00
15
16
18
20
15.75
16.80
18.90
21.00
8.5
7.8
7.0
6.2
16
17
21
25
600
600
600
600
0.25
0.25
0.25
0.25
0.1
0.1
0.1
0.1
11
12
14
15
MMSZ5252ET1
MMSZ5255ET1
MMSZ5256ET1
MMSZ5257ET1
MMSZ5263ET1
CD5
CD8
CD9
CE1
CE7
22.80
26.60
28.50
31.35
53.20
24
28
30
33
56
25.20
29.40
31.50
34.65
58.80
5.2
4.5
4.2
3.8
2.2
33
44
49
58
150
600
600
600
700
1300
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
18
21
23
25
43
4所示的类型的数字有一个标准的公差
±5%
在额定齐纳电压。
5.额定齐纳电压测量在T处于热平衡装置结
L
= 30°C
$1°C.
6. Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。
在规定的限度是我
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
与AC频率= 1千赫。
http://onsemi.com
2
MMSZ5221ET1系列
典型特征
q
VZ
，温度系数（毫伏/ ° C）
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1
2
3
V
Z
@ I
ZT
典型的牛逼
C
值
FOR MMSZ5221BT1系列
q
VZ
，温度系数（毫伏/ ° C）
100
典型的牛逼
C
值
FOR MMSZ5221BT1系列
V
Z
@ I
ZT
10
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
11
12
1
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
100
图1.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
图2.温度系数
（温度范围 - 55 ° C至+ 150 ° C）
P
pk
，峰值浪涌功率（瓦特）
1.2
P
D
，功耗（瓦）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
P
D
与牛逼
L
1000
矩形
波形，T
A
= 25°C
100
P
D
与牛逼
A
10
0
25
50
75
100
T，温度（ ° C）
125
150
1
0.1
1
10
100
PW ，脉冲宽度（毫秒）
1000
图3.稳态功率降额
图4.最大非重复性浪涌电源
1000
Z
ZT
，动态阻抗（ W）
T
J
= 25°C
I
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
F = 1千赫
1000
I
F
，正向电流（mA ）
75 V （ MMSZ5267BT1 ）
91 V（ MMSZ5270BT1 ）
I
Z
= 1毫安
100
5毫安
20毫安
10
100
10
150°C
1
1
1
10
V
Z
，额定齐纳电压
100
0.4
0.5
75°C 25°C
0°C
1.1
1.2
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
F
，正向电压（ V）
齐纳电压对图5.影响
齐纳阻抗
图6.典型正向电压
http://onsemi.com
3
QQ：2881677436 复制
