29C516E
16位流通型EDAC
错误检测和校正单位
1.引言
该29C516E
ATMEL
EDAC是一个非常低的功率
流过的16位错误检测和校正单元
（ EDAC）的两个用户数据总线。经发用在
用于监视和校正的高完整性系统
数据值从存储器空间来。在一
处理器写周期，在每个存储单元（ 16位
宽） ，EDAC计算校验码（ 6位或8位宽度）为
补充说。当从存储器进行读操作时，
在29C516E验证整个校验码和数据
组合。它可以检测并能纠正所有的100 ％
单比特错误和检测所有双位错误。
当29C516E利用6校验字，它可以检测任何
错误在任何一个4位的存储器芯片。 8校验位
期权赋予检测所有错误的附加功能
对任何一个8位的存储器芯片。所有错误都
（通过2个错误标志），以便发出信号到主站系统
以允许所述处理器进行所需的操作。
该29C516E工作在两种模式：更正
或检测模式。在校正模式中，在单位
错误的补充（修正） 。然后，可用
整个数据被放置在输出端口和所述可校正上
错误标志被设置。的情况下的双位错误（或更多）的，
损坏的数据被放置在输出端口和上
无法纠正的错误标志被设置。需要注意的是，当有
两个以上的错误，那么某些位模式可能会出现
尽可能可纠正的错误。因此，如果
环境会产生这种类型的错误， EDAC必须
在用于检测并没有提供自动校正。
数据证分析必须做到的。
该29C516E充当一个数据缓冲器
μP内存
连接。甲流通EDAC被放置在数据
总线路径，所述处理器和存储器之间是
受保护的。该组成部分能够在服务于两个不同的
用户的一个存储空间。因此，它形成了界面
22位/ 24位（16 + 6/ 16 + 8）存储器数据总线之间，并
两个16位处理器的数据总线的高驱动器
能力（ -12.8毫安） 。的两个数据端口可用于
中的存储空间前面创建双端口总线。该
用户- 1（2）可以从/数据传输到存储器或
从/到用户-2 （1） ，通过绕过存储器。中
读取或写入的用户-1 （ 2 ）处理存储周期，
用户- 2 （ 1 ）要听的可能性
传送的数据。
2.特点
D
D
D
D
D
D
D
D
超低功耗CMOS
有6个或8个校验位的16位工作
快速错误检测： 31纳秒（最大）
快速纠错： 32纳秒（最大）
所有校正单比特错误
检测所有双位错误
一些检测多比特错误
检测到芯片错误（ X1，X4 & ×8 RAM格式）
D
D
D
D
D
D
D
可纠正和不可纠正的错误标志
两个用户数据总线
用户到用户的传输和聆听操作
在公交车的高驱动能力： -12.8毫安
TTL兼容
单5V
±10%
电源
100引脚多层四方扁平封装
（扁平引线或L含铅） 。
Atmel公司
启示录
E
(03
2007)
1
29C516E
3.接口
3.1 。功能框图
图1.Functional图
8
正确
SYNCHK
MEM1
EN1
RD/WR1
校验位
发电机
16
I / O
卜FF器
8
MC[0..7]
8
U1D[0..15]
U2/U1
TRANS
U2D[0..15]
16
16
I / O
卜FF器
16
调节器
16
16
I / O
卜FF器
16
29C516E
RD/WR2
EN2
MEM2
16
16
16
I / O
卜FF器
16
MD[0..15]
CERR
NCERR
N22
综合征
解码器
8
综合征
发电机
3.2 。框图
图2.Block图
VCC
正确
SYNCHK
N22
U1/U2
TRANS
U1D [ 0..15 ] MC [ 0..7 ]
EN1
MEM1
RD / WR1 MD [ 0..15 ]
U2D[0..15]
EN2
MEM2
RD/WR2
GND
29C516E
CERR
NCERR
2
启示录
E
(03
2007)
29C516E
3.3 。引脚配置为多层四方扁平封装（平或L含铅）
图3.Pin配置
INDEX CORNER
nc
nc
MEM2
GND
U2D[15]
U2D[14]
U2D[13]
U2D[12]
VCC
U2D[11]
U2D[10]
U2D[9]
U2D[8]
GND
U2D[7]
U2D[6]
U2D[5]
U2D[4]
VCC
U2D[3]
U2D[2]
U2D[1]
U2D[0]
GND
NCERR
CERR
N22
U1D[15]
nc
nc
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
100
99
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
84
83
82
81
VCC
RD/WR2
正确
SYNCHK
TRANS
U2/U1
EN2
GND
GND
MC[7]
MC[6]
MC[5]
MC[4]
VCC
MC[3]
MC[2]
MC[1]
MC[0]
nc
nc
MQFPF100
or
MQFPL100
（ TOP VIEW ）
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
nc
nc
GND
MD[15]
MD[14]
MD[13]
MD[12]
VCC
MD[11]
MD[10]
MD[9]
MD[8]
GND
MD[7]
MD[6]
MD[5]
MD[4]
VCC
MD[3]
MD[2]
MD[1]
MD[0]
GND
MEM1
EN1
RD/WR1
VCC
U1D[0]
nc
nc
nc
VCC
U1D[14]
U1D[13]
U1D[12]
GND
U1D[11]
U1D[10]
U1D[9]
U1D[8]
VCC
U1D[7]
U1D[6]
U1D[5]
U1D[4]
GND
U1D[3]
U1D[2]
U1D[1]
nc
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
启示录
E
(03
2007)
3
29C516E
3.4 。引脚说明
表1：
名字
引脚说明
I / O
活跃
描述
巴士
U1D[0..15]
U2D[0..15]
ΜD[0..15]
ΜC[0..7]
错误标志
CERR
NCERR
26
25
O
O
低
低
可纠正的错误
无法纠正的错误
53,49..47,45..42,40..37,35..33,28
23..20,18..15,13..10,8..5
59..62,64..67,69..72,74..77
83..86,88..91
I / O *
I / O *
I / O *
I / O *
高
高
高
高
用户1数据总线
用户2数据总线
存储器数据总线
内存检查- bit总线
一般的控制信号
正确
SYNCHK
N22
TRANS
98
97
27
96
I*
I*
I*
I*
高
低
高
H / L
当激活时， EDAC是正确的模式。如果低，
经发会在检测模式。
选择综合症位（高字节）和校验位
（低字节）来驱动所选择的用户数据总线。
当激活时， EDAC采用6校验位。如果低，则
EDAC采用8校验位的内存读取。
选择将要使用的数据路径。如果高， EDAC
访问该存储器中，如果低，经发访问转印
缓冲区。
选择谁是用户1和用户2的主
主机负责将RD / WRX ， MEMX和
ENX信号，以正确的方式。
U2/U1
95
I*
H / L
用户1控制信号
RD / WRT
EN1
MEM1
55
56
57
I*
I*
I*
H / L
低
低
用户1读/写信号
用户1输出使能
用户1内存选择
用户1控制信号
RD/WR2
EN2
MEM2
功率（缓冲器）
VCC
B
GND
B
功率（核心）
VCC
C
GND
C
100
93
I
I
–
–
核心供电（ 5 V标称）
核心0V参考
9,19,32,41,54,63,73,87
4,14,24,36,46,58,68,78,92
I
I
–
–
缓冲器供电（ 5 V标称）
缓冲器0 V标称参考
99
94
3
I*
I*
I*
H / L
低
低
用户2读/写信号
用户2输出使能
用户2存储器选择
*拉缓冲区
4
启示录
E
(03
2007)
29C516E
4.检查位代
检查位发生器产生8校验位
（不论N22值）输入用户数据字
UXD [ 0..15 ]如表2 。
例如：创建校验位0 ，位13 ， 12 ， 8 ， 7 ， 6 ， 5 ， 4和
0数据字进行异或运算在一起。
如果存储器装置8位宽时， 24位
（ MD [ 0..15 ] & MC [0..7] ）存储给错误
检测。但是，如果存储装置1位或4位宽度是
使用22位（ MD [ 0..15 ] & MC [ 0..5 ] ）存储给
错误检测。
表2 ：校验位代（指了一下UXD总线的XOR / NXOR使用）
MC [..]
奇偶
15
0
1
2
3
偶数（XOR）
偶数（XOR）
奇（ NXOR ）
奇（ NXOR ）
x
x
x
x
x
x
14
13
x
12
x
x
x
x
x
11
10
9
UXD [..]
8
x
x
7
x
6
x
x
x
x
5
x
4
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
3
2
1
0
x
4
5
6
7
偶数（XOR）
偶数（XOR）
偶数（XOR）
奇（ NXOR ）
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
5.综合症代
校正子发生器产生8综合征位
（不论N22值）从进入内存数据
字MD [ 0..15 ]和相关的检查位MC [0..7]
（或MC [ 0..5 ] ） ，根据在表3中。
综合征位SY [ x]是指向所生成的异或
检查位MC [ X]与赤位上一代
MD [..] 。
例如：创建综合征位3 ，第14位，
13 ，10， 4，3， 2，1和0的数据字的
（ MD [ 14,13,10,4,3,2,1,0 ] ）的NXORed 。然后，其结果
异或与相关的检查位（ MC [3] ）的
检查字节读取的同时，数据字
检查。
如果存储器采用x8的设备，则该位应该
物理划分如下： MC [0..7] ， MD [ 0..7 ]和
MD [ 8..15 ] 。对于X4的组织，该位应
分MC的[0..2] + MC的[6] ， MC [ 3..5 ] + MC [7] ，MD [0..3] ，
MD [ 4..7 ] ， MD [ 8..11 ]和MD [ 12..15 ] 。
表3 ：证候位产生（指了一下MD和MC巴士的XOR / NXOR使用）
SY [..]
奇偶
15
0
1
2
3
偶数（XOR）
偶数（XOR）
奇（ NXOR ）
奇（ NXOR ）
x
x
x
x
x
x
14
13
x
12
x
x
x
x
x
11
10
9
MD [..]
8
x
x
7
x
6
x
x
x
x
5
x
4
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
3
2
1
0
x
x
7
5
4
MC [..]
3
6
2
1
0
x
4
5
偶数（XOR）
偶数（XOR）
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
6
7
偶数（XOR）
奇（ NXOR ）
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
启示录
E
(03
2007)
5
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