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乐山无线电公司, LTD 。
硅热载流子二极管
肖特基二极管
MMDL301T1
这些装置主要用于高效率的UHF和VHF设计
探测器的应用程序。它们容易适应许多其它的快速切换
射频和数字应用。它们在一种廉价的塑料包被提供
低成本,大批量消费类和工业/商业需求。
他们是在一个表面贴装封装。
极低的少数载流子寿命 - 15 PS (典型值)
非常低电容 - 1.5 pF的(最大) @ V
R
= 15 V
低反向漏 - 我
R
= 13 NADC (典型值)
器件标识: 4T
30伏硅
热载流子探测器
和开关二极管
1
2
1
阴极
2
阳极
塑料SOD- 323
CASE 477
最大额定值
( T
J
= 125 ° C除非另有说明)
符号
V
R
等级
反向电压
价值
30
单位
热特性
符号
P
D
特征
器件总功耗FR - 5局, *
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
结存储
温度范围
最大
200
1.57
635
-55到+ 150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
R
θJA
T
J
, T
英镑
* FR- 5最小焊盘
订购信息
设备
MMDL301T1
SOD–323
航运
3000 /磁带&卷轴
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
反向击穿电压
(I
R
= 10
A)
二极管电容
(V
R
= 15 V , F = 1.0MHz的)图1
反向漏
(V
R
= 25 V )图3
正向电压
(I
F
= 1.0 MADC )图4
正向电压
(I
F
= 10 MADC )图4
符号
V
( BR )R
C
T
I
R
V
V
F
30
典型值
最大
单位
pF
NADC
VDC
VDC
0.9
13
0.38
0.52
1.5
200
0.45
0.6
F
S2–1/3
乐山无线电公司, LTD 。
MMDL301T1
典型电气特性
C
T
,总电容(PF )
F = 1.0 MHz的
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
3.0
6.0
9.0
12
15
18
21
24
27
30
τ,
少子寿命( PS )
2.8
500
400
克拉考尔法
300
200
100
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V
R
,反向电压(伏)
I
F
,正向电流(mA )
图1.总电容
图2.少子寿命
10
100
I
R
,反向漏电流( μA )
T
A
= 100°C
1.0
I
F
,正向电流(mA )
10
T
A
= 85°C
T
A
= –40°C
0.1
75°C
1.0
0.01
25°C
T
A
= 25°C
0.001
0
6.0
12
18
24
30
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
R
,反向电压(伏)
V
F
,正向电压(伏)
图3.反向泄漏
图4.正向电压
I
F(峰)
电容式
传导
I
R(峰)
前锋
传导
存储
传导
采样
PADS
DUT
示波器
(50
INPUT)
正弦
发电机
镇流器
( PADS )
衡量寿命的图5克拉考尔法
S2–2/3
乐山无线电公司, LTD 。
MMDL301T1
包装尺寸
SOD–323
塑料包装
CASE 477-02
发出
K
A
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI Y14.5M ,
1982.
2.控制尺寸:毫米。
3.引线厚度给定每L / F的绘画与
焊料镀层。
MILLIMETERS
暗淡
E
D
1
2
B
英寸
最大
0.063
0.071
0.045
0.053
0.031
0.039
0.010
0.016
0.006 REF
0.000
0.004
0.0035
0.0070
0.091
0.106
C
J
注3
H
A
B
C
D
E
H
J
K
最大
1.60
1.80
1.15
1.35
0.80
1.00
0.25
0.40
0.15 REF
0.00
0.10
0.089
0.177
2.30
2.70
风格1 :
PIN 1阴极
0.63 mm
0.025’’
2.阳极
1.60 mm
0.063’’
2.85 mm
0.112’’
mm
英寸
0.83 mm
0.033’’
(
)
SOD–323
焊接足迹
S2–3/3
MMDL301T1
首选设备
硅热载流子二极管
肖特基二极管
这些设备主要用于高效率的UHF设计和
VHF探测器的应用。它们容易适应许多其他
快速切换的RF和数字应用。他们在提供
廉价的塑料封装低成本,大批量消费
工业/商用的需求。它们是在一个可用的
表面贴装封装。
http://onsemi.com
极低的少数载流子寿命 - 15 PS (典型值)
非常低电容 - 1.5 pF的(最大) @ VR = 15 V
低反向漏 - IR = 13 NADC (典型值)
器件标识: 4T
30伏硅
热载流子探测器
和开关二极管
1
2
最大额定值
( TJ = 125 ° C除非另有说明)
符号
VR
反向电压
等级
价值
30
单位
塑料
SOD–323
CASE 477
热特性
符号
PD
特征
器件总功耗FR - 5局, *
TA = 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
结存储
温度范围
最大
200
1.57
635
-55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
1
阴极
2
阳极
R
qJA
TJ , TSTG
订购信息
设备
MMDL301T1
SOD–323
航运
3000 /磁带&卷轴
* FR- 5最小焊盘
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明)
特征
反向击穿电压(IR = 10
A)
总电容( VR = 15 V , F = 1.0兆赫)图1
反向漏电流( VR = 25 V )图3
正向电压(IF = 1.0 MADC )图4
正向电压( IF = 10 MADC )图4
符号
V( BR )R
CT
IR
VF
VF
30
典型值
0.9
13
0.38
0.52
最大
1.5
200
0.45
0.6
单位
pF
NADC
VDC
VDC
半导体元件工业有限责任公司, 2001年
1
2000年1月 - 修订版0
出版订单号:
MMDL301T1/D
MMDL301T1
典型电气特性
2.8
(C T) ,总电容(PF )
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
3.0
6.0
18
9.0
12
15
21
VR ,反向电压(伏)
24
27
30
F = 1.0 MHz的
500
t
,少数载流子寿命( PS )
400
克拉考尔法
300
200
100
0
0
10
20
30
40
50
60
70
IF ,正向电流(mA )
80
90
100
图1.总电容
图2.少子寿命
10
TA = 100℃
100
IF ,正向电流(mA )
IR ,反向漏电流(
m
A)
1.0
10
TA = 85°C
TA = -40°C
0.1
75°C
0.01
25°C
1.0
TA = 25°C
0.001
0
6.0
12
18
VR ,反向电压(伏)
24
30
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
VF ,正向电压(伏)
1.0
1.2
图3.反向泄漏
图4.正向电压
如果(峰)
电容式
传导
IR(高峰)
前锋
传导
存储
传导
正弦
发电机
镇流器
( PADS )
PADS
DUT
采样
示波器
(50
W
INPUT)
衡量寿命的图5克拉考尔法
http://onsemi.com
2
MMDL301T1
包装尺寸
K
A
SOD–323
塑料包装
CASE 477-02
发出
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3.引线厚度给定每L / F绘图
焊料电镀。
暗淡
A
B
C
D
E
H
J
K
MILLIMETERS
英寸
最大
最大
1.60
1.80
0.063
0.071
1.15
1.35
0.045
0.053
0.80
1.00
0.031
0.039
0.25
0.40
0.010
0.016
0.15 REF
0.006 REF
0.00
0.10
0.000
0.004
0.089
0.177 0.0035 0.0070
2.30
2.70
0.091
0.106
D
1
2
B
E
C
J
注3
H
风格1 :
PIN 1阴极
2.阳极
0.63 mm
0.025
1.60 mm
0.063
2.85 mm
0.112
mm
英寸
0.83 mm
0.033
SOD–323
焊接足迹
http://onsemi.com
3
MMDL301T1
热复合是贝格斯公司的一个注册商标。
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留修改的权利
恕不另行通知这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定的任何保证,声明或担保
目的,也不SCILLC承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任,并明确拒绝承担任何责任,
包括但不限于特殊,间接或附带损失。这可能SCILLC数据表提供“典型”参数和/或
规格可以做不同在不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数,包括“典型”必须是
验证每个客户的客户应用的技术专家。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。
SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况或死亡
可能会发生。如果买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC
其管理人员,员工,附属公司,联营公司及分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师费无害
所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔,即使此类索赔称,
SCILLC是疏忽就部分的设计和制造。 SCILLC是一个机会均等/肯定行动雇主。
出版物订货信息
文学履行:
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ,丹佛,科罗拉多州80217美国
电话:
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真:
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件:
ONlit@hibbertco.com
N.美国技术支持:
800-282-9855免费电话美国/加拿大
日本:
安森美半导体,日本顾客焦点中心
4-32-1西五反田,品川区,东京,日本141-0031
电话:
81–3–5740–2700
电子邮件:
r14525@onsemi.com
安森美半导体网站:
http://onsemi.com
有关更多信息,请联系您当地的
销售代表。
http://onsemi.com
4
MMDL301T1/D
MMDL301T1
首选设备
硅热载流子二极管
肖特基二极管
这些设备主要用于高效率的UHF设计和
VHF探测器的应用。它们容易适应许多其他
快速切换的RF和数字应用。他们在提供
廉价的塑料封装低成本,大批量消费
工业/商用的需求。它们是在一个可用的
表面贴装封装。
http://onsemi.com
极低的少数载流子寿命 - 15 PS (典型值)
非常低电容 - 1.5 pF的(最大) @ VR = 15 V
低反向漏 - IR = 13 NADC (典型值)
器件标识: 4T
30伏硅
热载流子探测器
和开关二极管
1
2
最大额定值
( TJ = 125 ° C除非另有说明)
符号
VR
反向电压
等级
价值
30
单位
塑料
SOD–323
CASE 477
热特性
符号
PD
特征
器件总功耗FR - 5局, *
TA = 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
结存储
温度范围
最大
200
1.57
635
-55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
1
阴极
2
阳极
R
qJA
TJ , TSTG
订购信息
设备
MMDL301T1
SOD–323
航运
3000 /磁带&卷轴
* FR- 5最小焊盘
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明)
特征
反向击穿电压(IR = 10
A)
总电容( VR = 15 V , F = 1.0兆赫)图1
反向漏电流( VR = 25 V )图3
正向电压(IF = 1.0 MADC )图4
正向电压( IF = 10 MADC )图4
符号
V( BR )R
CT
IR
VF
VF
30
典型值
0.9
13
0.38
0.52
最大
1.5
200
0.45
0.6
单位
pF
NADC
VDC
VDC
半导体元件工业有限责任公司, 2001年
1
2000年1月 - 修订版0
出版订单号:
MMDL301T1/D
MMDL301T1
典型电气特性
2.8
(C T) ,总电容(PF )
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
3.0
6.0
18
9.0
12
15
21
VR ,反向电压(伏)
24
27
30
F = 1.0 MHz的
500
t
,少数载流子寿命( PS )
400
克拉考尔法
300
200
100
0
0
10
20
30
40
50
60
70
IF ,正向电流(mA )
80
90
100
图1.总电容
图2.少子寿命
10
TA = 100℃
100
IF ,正向电流(mA )
IR ,反向漏电流(
m
A)
1.0
10
TA = 85°C
TA = -40°C
0.1
75°C
0.01
25°C
1.0
TA = 25°C
0.001
0
6.0
12
18
VR ,反向电压(伏)
24
30
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
VF ,正向电压(伏)
1.0
1.2
图3.反向泄漏
图4.正向电压
如果(峰)
电容式
传导
IR(高峰)
前锋
传导
存储
传导
正弦
发电机
镇流器
( PADS )
PADS
DUT
采样
示波器
(50
W
INPUT)
衡量寿命的图5克拉考尔法
http://onsemi.com
2
MMDL301T1
包装尺寸
K
A
SOD–323
塑料包装
CASE 477-02
发出
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3.引线厚度给定每L / F绘图
焊料电镀。
暗淡
A
B
C
D
E
H
J
K
MILLIMETERS
英寸
最大
最大
1.60
1.80
0.063
0.071
1.15
1.35
0.045
0.053
0.80
1.00
0.031
0.039
0.25
0.40
0.010
0.016
0.15 REF
0.006 REF
0.00
0.10
0.000
0.004
0.089
0.177 0.0035 0.0070
2.30
2.70
0.091
0.106
D
1
2
B
E
C
J
注3
H
风格1 :
PIN 1阴极
2.阳极
0.63 mm
0.025
1.60 mm
0.063
2.85 mm
0.112
mm
英寸
0.83 mm
0.033
SOD–323
焊接足迹
http://onsemi.com
3
MMDL301T1
热复合是贝格斯公司的一个注册商标。
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留修改的权利
恕不另行通知这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定的任何保证,声明或担保
目的,也不SCILLC承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任,并明确拒绝承担任何责任,
包括但不限于特殊,间接或附带损失。这可能SCILLC数据表提供“典型”参数和/或
规格可以做不同在不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数,包括“典型”必须是
验证每个客户的客户应用的技术专家。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。
SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况或死亡
可能会发生。如果买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC
其管理人员,员工,附属公司,联营公司及分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师费无害
所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔,即使此类索赔称,
SCILLC是疏忽就部分的设计和制造。 SCILLC是一个机会均等/肯定行动雇主。
出版物订货信息
文学履行:
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ,丹佛,科罗拉多州80217美国
电话:
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真:
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件:
ONlit@hibbertco.com
N.美国技术支持:
800-282-9855免费电话美国/加拿大
日本:
安森美半导体,日本顾客焦点中心
4-32-1西五反田,品川区,东京,日本141-0031
电话:
81–3–5740–2700
电子邮件:
r14525@onsemi.com
安森美半导体网站:
http://onsemi.com
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销售代表。
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MMDL301T1
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885134554 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885134398 复制

电话:0755-22669259 83214703
联系人:李先生,夏小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华强北路上步工业区102栋618室
MMDL301T1
ON
2116+
50000
SOD-323
现货原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1248156793 复制 点击这里给我发消息 QQ:519794981 复制

电话:0755-83242658
联系人:廖先生
地址:广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
MMDL301T1
ON
24+
8000
100%原装正品,只做原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
MMDL301T1
onsemi
24+
10000
SOD-323
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
MMDL301T1
ON/安森美
24+
9634
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