MMDF2N02E
功率MOSFET
2安培， 25伏
N沟道SO- 8 ，双
这些微型表面贴装MOSFET具有超低低R
DS （ ON）
和真逻辑电平的性能。他们是能承受的
高能量雪崩和减刑模式和
漏极 - 源极二极管具有低的反向恢复时间。 MiniMOSt
设备被用于低电压设计，高速开关
应用中的功率效率是重要的。典型应用
是直流 - 直流转换器，和在便携式电池电源管理
供电的产品，如计算机，打印机，蜂窝和无绳
手机。它们也可以被用于在质谱的低电压电机控制
存储产品，如磁盘驱动器和磁带驱动器。雪崩
被指定的能量，以消除在设计中的猜测
电感性负载的切换，并提供附加的安全余量针对
意外的电压瞬变。
特点
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2安培， 25伏
R
DS （ ON）
= 100毫瓦
N沟道
D
分离
（无铅）
G
S
超低低R
DS （ ON）
提供更高的效率和延长电池寿命
逻辑电平栅极驱动器 - 可通过逻辑IC驱动
小型SO- 8表面贴装封装 - 节省电路板空间
二极管电桥电路的特点是使用
I
DSS
指定在高温下
较高的雪崩能量
安装信息的SO- 8封装提供
无铅包装是否可用
记号
图
8
8
1
SO8
CASE 751
风格11
1
F2N02
AYWWG
G
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 连续
漏电流 - 连续@ T
A
= 25°C
漏电流
- 连续@ T
A
= 100°C
漏电流
- 单脉冲（T
p
≤
10
女士）
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注1 ）
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 起始物为
J
= 25°C （V
DD
= 20伏直流电，
V
GS
= 10伏，峰值I
L
= 9.0 APK ，
L = 6.0 mH的，R
G
= 25
W)
热阻，结到环境
（注1 ）
最大无铅焊接温度的
目的， 0.0625 “从案例10秒
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
E
AS
价值
25
±
20
3.6
2.5
18
2.0
-55到150
245
单位
VDC
VDC
ADC
APK
W
°C
mJ
F2N02 =器件代码
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
引脚分配
Source1
Gate1
Source2
Gate2
1
2
3
4
8
7
6
5
Drain1
Drain1
Drain2
Drain2
R
qJA
T
L
62.5
260
° C / W
°C
订购信息
设备
MMDF2N02ER2
MMDF2N02ER2G
包
SO8
SO8
（无铅）
航运
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.安装在2 “方FR4电路板（ 1 ”平方2盎司铜0.06 “厚单面）与
1死运作，持续10秒。最大。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
出版订单号：
MMDFN02E/D
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年2月， - 启示录7
MMDF2N02E
功率MOSFET开关
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是充电
控制。各种开关间隔的长度（申）
由如何快速FET输入电容可确定
从发电机通过电流进行充电。
已发布的电容数据是难以用于
计算的上升和下降，因为漏 - 栅电容
变化很大随施加电压。因此，门
电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计
平均输入电流（I
G（ AV ）
）可以由一个作
驱动电路的初步分析，以便：
T = Q / I
G（ AV ）
在上升和下降时间间隔切换时，
阻性负载，V
GS
实际上保持恒定的水平
被誉为高原电压，V
SGP
。因此，上升和下降
时间可近似由下：
t
r
= Q
2
个R
G
/(V
GG
V
普遍优惠制
)
t
f
= Q
2
个R
G
/V
普遍优惠制
哪里
V
GG
=栅极驱动电压，其中从0变到V
GG
R
G
=栅极驱动电阻和Q
2
和V
普遍优惠制
读
从栅极充电曲线。
在导通和关断延迟时间，栅极电流
不是恒定的。最简单的计算使用合适的
在一个标准方程用于从所述电容值曲线
电压的变化的RC网络。该方程为：
t
D（上）
= R
G
C
国际空间站
在[V
GG
/(V
GG
V
普遍优惠制
)]
t
D（关闭）
= R
G
C
国际空间站
在（V
GG
/V
普遍优惠制
)
的电容（C
国际空间站
）从电容曲线上读
在对应于关断状态的条件时的电压
计算牛逼
D（上）
和读出在对应于一个电压
导通状态时，计算吨
D（关闭）
.
在高开关速度，寄生电路元件
复杂的分析。 MOSFET的电感
源引，内包装，在电路布线
这是通用的漏极和栅极的电流路径，
产生一个电压，在这减小了栅极驱动器的源
电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的
是漏极电流的函数，在数学溶液
复杂的。 MOSFET的输出电容也
复杂的数学。最后， MOSFET的
有限的内部栅极电阻，有效地增加了
所述驱动源的电阻，但内阻
难以测量，因此，没有被指定。
V
DS
= 0 V
C
国际空间站
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
VGS ，栅极至源极电压（伏）
12
QT
9
V
DS
V
GS
16
1000
C，电容（pF ）
800
600
400
200
0
10
12
C
RSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
5
V
GS
0
V
DS
5
10
15
20
25
6
Q1
3
Q3
0
0
2
4
6
8
I
D
= 2.3 A
T
J
= 25°C
10
Q2
8
4
0
12
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图7.电容变化
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
http://onsemi.com
4
VDS ，漏极至源极电压（伏）
1200
QQ：2880707522 复制
