MC14518B ， MC14520B
双专柜
该MC14518B双BCD计数器和MC14520B双二进制
计数器与MOS P沟道和N沟道构造
增强型器件在一个单片结构。每
由两个相同的，独立的，内部同步4级
计数器。计数器阶段是D型触发器，具有可互换
对于递增的时钟和使能线无论是正向或
作为层叠多个阶段时所需的负向过渡。
每个计数器可以通过施加一个高层次上的复位线被清除。
此外， MC14518B将计算出所有未定义的状态中
两个时钟周期。这些互补MOS专柜发现
在多级同步或波纹数量的应用程序的主要用途
需要低功耗和/或高抗噪性。
特点
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记号
图表
16
PDIP16
P后缀
CASE 648
MC145xxBCP
AWLYYWWG
1
16
SOIC16
DW后缀
CASE 751G
在所有输入端保护二极管
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
内部同步高内部和外部速度
逻辑边缘超频设计 - 递增正跳变
时钟或启用负迁移
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
无铅包可用*
最大额定值
（电压参考V
SS
） （注1 ）
符号
V
DD
V
in
, V
OUT
I
in
, I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
T
L
参数
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
（ DC或瞬态）
输入或输出电流
每个引脚（ DC或瞬态）
功耗，
每包（注2 ）
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
（ 8秒焊接）
价值
-0.5至18.0
-0.5到V
DD
+ 0.5
±10
500
-55到+125
-65到+150
260
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
xx
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
G
145xxB
AWLYYWWG
1
16
SOEIAJ16
后缀f
CASE 966
1
= 18或20
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
=无铅指标
MC145xxB
ALYWG
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第7页。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.最大额定值是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。
2.温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/ _C从65_C为125_C
该器件包含保护电路，以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是，必须采取预防措施，以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作，V
in
和V
OUT
应受限制
到范围V
SS
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如，
无论是V
SS
或V
DD
） 。未使用的输出必须悬空。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年1月 - 修订版5
出版订单号：
MC14518B/D
MC14518B ， MC14520B
电气特性
（电压参考V
SS
)
特征
符号
V
OL
V
DD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
V
IH
5.0
10
15
I
OH
来源
5.0
5.0
10
15
I
OL
5.0
10
15
15
—
5.0
10
15
5.0
10
15
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
0.64
1.6
4.2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
±
0.1
—
5.0
10
20
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
0.51
1.3
3.4
—
—
—
—
—
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
0.88
2.25
8.8
±
0.00001
5.0
0.005
0.010
0.015
—
—
—
—
—
—
—
±
0.1
7.5
5.0
10
20
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
0.36
0.9
2.4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
±
1.0
—
150
300
600
MADC
3.5
7.0
11
—
—
—
3.5
7.0
11
2.75
5.50
8.25
—
—
—
3.5
7.0
11
—
—
—
MADC
民
—
—
—
55_C
25_C
125_C
最大
民
—
—
—
典型值
(3.)
0
0
0
最大
民
—
—
—
最大
单位
VDC
输出电压
V
in
= V
DD
或0
“0”电平
0.05
0.05
0.05
—
—
—
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
—
—
—
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
—
—
—
1.5
3.0
4.0
VDC
“1”电平
V
in
= 0或V
DD
输入电压
“0”电平
(V
O
= 4.5或0.5伏）
(V
O
= 9.0或1.0伏）
(V
O
= 13.5或1.5伏）
“1”电平
(V
O
= 0.5或4.5伏）
(V
O
= 1.0或9.0伏）
(V
O
= 1.5或13.5伏）
输出驱动电流
(V
OH
= 2.5伏）
(V
OH
= 4.6伏）
(V
OH
= 9.5伏）
(V
OH
= 13.5伏）
(V
OL
= 0.4伏）
(V
OL
= 0.5伏）
(V
OL
= 1.5伏）
输入电流
输入电容
(V
in
= 0)
静态电流
（每包）
总电源电流
(4.) (5.)
（动态加静态，
每包）
(C
L
= 50 pF的所有输出，全
缓冲切换）
V
IL
—
—
—
—
—
—
2.25
4.50
6.75
—
—
—
V
OH
4.95
9.95
14.95
4.95
9.95
14.95
5.0
10
15
4.95
9.95
14.95
VDC
VDC
SINK
I
in
C
in
I
DD
μAdc
pF
μAdc
I
T
I
T
= (0.6
μA /千赫）
F +我
DD
I
T
= (1.2
μA /千赫）
F +我
DD
I
T
= (1.7
μA /千赫）
F +我
DD
μAdc
3.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
4.给出的公式是只在25_C的典型特征。
5.计算总电源电流在负载以外50 pF的：
I
T
(C
L
) = I
T
（ 50 pF的） + （C
L
- 50 ） VFK
其中：I
T
在
μA
（每包） ，C
L
在PF， V = （V
DD
– V
SS
）在伏中，f以kHz为输入频率，以及k = 0.002 。
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3
MC14518B ， MC14520B
开关特性
(6.)
(C
L
= 50 pF的，T
A
= 25_C)
特征
所有类型
典型值
(7.)
100
50
40
符号
t
TLH
,
t
THL
V
DD
5.0
10
15
民
—
—
—
最大
200
100
80
ns
5.0
10
15
t
PHL
5.0
10
15
t
瓦特（H）的
t
瓦特（L）的
f
cl
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
—
—
—
200
100
70
—
—
—
—
—
—
440
200
140
280
120
90
–5
15
20
330
130
90
100
50
35
2.5
6.0
8.0
—
—
—
220
100
70
125
55
40
– 45
– 15
–5
650
230
170
—
—
—
1.5
3.0
4.0
15
5
4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
ns
—
—
—
280
115
80
560
230
160
ns
单位
ns
输出上升时间和下降时间
t
TLH
, t
THL
= （ 1.5纳秒/ PF ）C
L
+ 25纳秒
t
TLH
, t
THL
= （ 0.75纳秒/ PF ）C
L
+ 12.5纳秒
t
TLH
, t
THL
= （ 0.55纳秒/ PF ）C
L
+ 9.5纳秒
传播延迟时间
时钟Q /启用以Q
t
PLH
, t
PHL
= （ 1.7纳秒/ PF ）C
L
+ 215纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.66纳秒/ PF ）C
L
+ 97纳秒
t
PLH
, t
PHL
= （ 0.5纳秒/ PF ）C
L
+ 75纳秒
重置为Q
t
PHL
= （ 1.7纳秒/ PF ）C
L
+ 265纳秒
t
PHL
= （ 0.66纳秒/ PF ）C
L
+ 117纳秒
t
PHL
= （ 0.66纳秒/ PF ）C
L
+ 95纳秒
时钟脉冲宽度
t
PLH
,
t
PHL
时钟脉冲频率
兆赫
时钟或启用上升和下降时间
t
THL
, t
TLH
μs
启用脉冲宽度
t
WH （ E）
ns
复位脉冲宽度
t
WH （注册商标）
ns
复位移走时间
t
REM
ns
6.给出的公式是只在25_C的典型特征。
7.数据标记为“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
V
DD
500
μF
脉冲
发电机
I
D
Q0
Q1
Q2
ê Q3
R
V
SS
20纳秒
50%
90%
10%
20纳秒
V
SS
0.01
μF
陶瓷的
C
L
C
L
C
L
C
L
变量
宽度
图1.功耗测试电路和波形
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4
MC14518B ， MC14520B
V
DD
脉冲
发电机
Q0
Q1
Q2
Q3
V
SS
C
L
C
L
C
L
Q
20纳秒
时钟
输入
t
WH
t
PLH
20纳秒
90%
50%
10%
t
PHL
t
WL
90%
t
r
t
f
V
DD
V
SS
C
E
R
C
L
50%
10%
图2.开关时间测试电路和波形
1
时钟
启用
RESET
1
Q0
MC14518B
Q1
Q2
Q3
Q0
Q1
Q2
Q3
2 3
4 5
6
7 8
9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
2 3
4 5
6
7 8
9 0 1
2 3
4 5
6
7 8
9 0
1
2 3
4 5
6
7 8
9 10 11 12 13 14 15 0
1 2
3
4
MC14520B
图3.时序图
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5
摩托罗拉
半导体技术资料
双专柜
该MC14518B双BCD计数器和MC14520B双二进制计数器
用的MOS P沟道和N沟道增强模式构造
器件在一个单片结构。每个由两个相同的，
独立，内部同步4级计数器。柜台阶段
在D型触发器，具有可互换的时钟和使能线
递增不论是从正向或负向过渡
级联多个阶段时必需的。每个计数器可以被清除
施加高级别上的复位线。此外， MC14518B将计数
出在两个时钟周期的所有不确定的状态。这些补充
MOS向上计数器发现在多级同步或波纹的主要用途
需要低功耗和/或高噪声计数的应用
免疫力。
在所有输入端保护二极管
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
内部同步高内部和外部速度
逻辑边缘超频设计 - 递增的正跳变
时钟或启用负跳变
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
最大额定值*
（电压参考VSS）
符号
VDD
参数
直流电源电压
MC14518B
MC14520B
L结尾
陶瓷的
CASE 620
P后缀
塑料
CASE 648
DW后缀
SOIC
CASE 751G
订购信息
MC14XXXBCP
MC14XXXBCL
MC14XXXBDW
塑料
陶瓷的
SOIC
价值
单位
V
V
mA
mW
- 0.5 + 18.0
±
10
500
- 65至+ 150
260
VIN，VOUT
IIN，电流输出
PD
TSTG
TL
输入或输出电压（ DC或瞬态）
输入或输出电流（ DC或瞬态）
每个引脚
功耗，每包
储存温度
焊接温度（ 8秒焊接）
0.5 VDD + 0.5
TA = - 55 °至125°C的所有软件包。
框图
时钟
1
2
启用
7
时钟
9
10
启用
15
VDD = 16 PIN
VSS = 8 PIN
C
R
Q0
Q1
Q2
Q3
11
12
13
14
C
R
Q0
Q1
Q2
Q3
3
4
5
6
_
C
_
C
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/
_
C来自65
_
C至125
_
C
陶瓷“L”套餐： - 12毫瓦/
_
c从100
_
C至125
_
C
真值表
时钟
启用
1
0
X
X
0
1
X
X
RESET
0
0
0
0
0
0
1
行动
递增计数器
递增计数器
没有变化
没有变化
没有变化
没有变化
Q0通Q3 = 0
X =无关
该器件包含保护电路，
警惕损害，由于高静
电压或电场。然而，预
注意事项必须注意避免应用
超过最大额定电压较高的任何电压
年龄这个高阻抗电路。为了正确
操作中， Vin和Vout的应受限制
到的范围内的VSS
（ VIN或VOUT ）
VDD 。
未使用的输入必须始终连接到一个
适当的逻辑电平（例如，是VSS
或VDD ） 。未使用的输出必须悬空。
v
v
REV 3
1/94
摩托罗拉CMOS逻辑数据
摩托罗拉公司1995年
MC14518B MC14520B
409
电气特性
（电压参考VSS）
特征
符号
VOL
VDD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
VIH
5.0
10
15
IOH
来源
5.0
5.0
10
15
IOL
5.0
10
15
15
—
5.0
10
15
5.0
10
15
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
0.64
1.6
4.2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
±
0.1
—
5.0
10
20
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
0.51
1.3
3.4
—
—
—
—
—
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
0.88
2.25
8.8
±
0.00001
5.0
0.005
0.010
0.015
—
—
—
—
—
—
—
±
0.1
7.5
5.0
10
20
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
0.36
0.9
2.4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
±
1.0
—
150
300
600
MADC
3.5
7.0
11
—
—
—
3.5
7.0
11
2.75
5.50
8.25
—
—
—
3.5
7.0
11
—
—
—
MADC
民
—
—
—
– 55
_
C
25
_
C
125
_
C
最大
民
—
—
—
典型值＃
0
0
0
最大
民
—
—
—
最大
单位
VDC
输出电压
VIN = VDD或0
“0”电平
0.05
0.05
0.05
—
—
—
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
—
—
—
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
—
—
—
1.5
3.0
4.0
VDC
“1”电平
输入电压= 0或Vdd的
输入电压
“0”电平
（ VO = 4.5或0.5伏）
（ VO = 9.0或1.0伏）
（ VO = 13.5或1.5伏）
“1”电平
（ VO = 0.5或4.5伏）
（ VO = 1.0或9.0伏）
（ VO = 1.5或13.5伏）
输出驱动电流
（ VOH = 2.5伏）
（ VOH = 4.6伏）
（ VOH = 9.5伏）
（ VOH = 13.5伏）
（ VOL = 0.4 V直流）
（ VOL = 0.5 V直流）
（ VOL = 1.5 V直流）
输入电流
输入电容
（ VIN = 0 ）
静态电流
（每包）
总电源电流**
（动态加静态，
每包）
（所有输出CL = 50 pF的，所有的
缓冲切换）
VIL
—
—
—
—
—
—
2.25
4.50
6.75
—
—
—
VOH
4.95
9.95
14.95
4.95
9.95
14.95
5.0
10
15
4.95
9.95
14.95
VDC
VDC
SINK
IIN
CIN
国际直拨电话
μAdc
pF
μAdc
IT
IT = （ 0.6
μA /千赫）
F + IDD
IT = （ 1.2
μA /千赫）
F + IDD
IT = （ 1.7
μA /千赫）
F + IDD
μAdc
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
**给出的公式只在25的典型特征
_
C.
计算总电源电流在负载以外50 pF的：
IT （ CL ） = IT （ 50 pF的） + （ CL - 50 ） VFK
其中： IT是
A
（每包） ， CL在PF， V = （ VDD - VSS ）的电压，女在kHz的输入频率， K = 0.002 。
引脚分配
CA
EA
Q0A
Q1A
Q2A
Q3A
RA
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VDD
RB
Q3B
Q2B
Q1B
Q0B
EB
CB
MC14518B MC14520B
410
摩托罗拉CMOS逻辑数据
开关特性*
（ CL = 50 pF的， TA = 25
_
C)
特征
所有类型
典型值＃
100
50
40
符号
tTLH ，
TTHL
VDD
5.0
10
15
民
—
—
—
最大
200
100
80
ns
5.0
10
15
的TPH1
5.0
10
15
总重量（H ）
总重量（L）的
整箱
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
—
—
—
200
100
70
—
—
—
—
—
—
440
200
140
280
120
90
–5
15
20
330
130
90
100
50
35
2.5
6.0
8.0
—
—
—
220
100
70
125
55
40
– 45
– 15
–5
650
230
170
—
—
—
1.5
3.0
4.0
15
5
4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
ns
—
—
—
280
115
80
560
230
160
ns
单位
ns
输出上升时间和下降时间
tTLH ， TTHL = （ 1.5纳秒/ PF ） CL + 25纳秒
tTLH ， TTHL = （ 0.75纳秒/ PF ） CL + 12.5纳秒
tTLH ， TTHL = （ 0.55纳秒/ PF ） CL + 9.5纳秒
传播延迟时间
时钟Q /启用以Q
tPLH的，的TPH1 = （ 1.7纳秒/ PF ） CL + 215纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.66纳秒/ PF ） CL + 97纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.5纳秒/ PF ） CL + 75纳秒
重置为Q
的TPH1 = （ 1.7纳秒/ PF ） CL + 265纳秒
的TPH1 = （ 0.66纳秒/ PF ） CL + 117纳秒
的TPH1 = （ 0.66纳秒/ PF ） CL + 95纳秒
时钟脉冲宽度
tPLH的，
的TPH1
时钟脉冲频率
兆赫
时钟或启用上升和下降时间
TTHL ， tTLH
s
启用脉冲宽度
太瓦时（ E）
ns
复位脉冲宽度
太瓦时（R ）
ns
复位移走时间
TREM
ns
*给出的公式只在25的典型特征
_
C.
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
VDD
500
F
ID
Q0
Q1
Q2
ê Q3
R
VSS
20纳秒
50%
90%
10%
VSS
20纳秒
0.01
F
陶瓷的
脉冲
发电机
CL
CL
CL
CL
变量
宽度
图1.功耗测试电路和波形
摩托罗拉CMOS逻辑数据
MC14518B MC14520B
411
VDD
脉冲
发电机
Q0
Q1
E
R
Q2
Q3
VSS
CL
CL
CL
CL
20纳秒
时钟
输入
亿千瓦时
TPLH
C
20纳秒
90%
50%
10%
TWL
的TPH1
90%
VDD
VSS
Q
tr
tf
50%
10%
图2.开关时间测试电路和波形
1
时钟
启用
RESET
1
Q0
Q1
Q2
Q3
1
Q0
Q1
Q2
Q3
2 3
4 5
6
7 8
9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
2 3
4 5
6
7 8
9 0 1
2 3
4 5
6
7 8
9 0
MC14518B
2 3
4 5
6
7 8
9 10 11 12 13 14 15 0
1 2
3
4
MC14520B
图3.时序图
MC14518B MC14520B
412
摩托罗拉CMOS逻辑数据
摩托罗拉
半导体技术资料
双专柜
该MC14518B双BCD计数器和MC14520B双二进制计数器
用的MOS P沟道和N沟道增强模式构造
器件在一个单片结构。每个由两个相同的，
独立，内部同步4级计数器。柜台阶段
在D型触发器，具有可互换的时钟和使能线
递增不论是从正向或负向过渡
级联多个阶段时必需的。每个计数器可以被清除
施加高级别上的复位线。此外， MC14518B将计数
出在两个时钟周期的所有不确定的状态。这些补充
MOS向上计数器发现在多级同步或波纹的主要用途
需要低功耗和/或高噪声计数的应用
免疫力。
在所有输入端保护二极管
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
内部同步高内部和外部速度
逻辑边缘超频设计 - 递增的正跳变
时钟或启用负跳变
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
最大额定值*
（电压参考VSS）
符号
VDD
参数
直流电源电压
MC14518B
MC14520B
L结尾
陶瓷的
CASE 620
P后缀
塑料
CASE 648
DW后缀
SOIC
CASE 751G
订购信息
MC14XXXBCP
MC14XXXBCL
MC14XXXBDW
塑料
陶瓷的
SOIC
价值
单位
V
V
mA
mW
- 0.5 + 18.0
±
10
500
- 65至+ 150
260
VIN，VOUT
IIN，电流输出
PD
TSTG
TL
输入或输出电压（ DC或瞬态）
输入或输出电流（ DC或瞬态）
每个引脚
功耗，每包
储存温度
焊接温度（ 8秒焊接）
0.5 VDD + 0.5
TA = - 55 °至125°C的所有软件包。
框图
时钟
1
2
启用
7
时钟
9
10
启用
15
VDD = 16 PIN
VSS = 8 PIN
C
R
Q0
Q1
Q2
Q3
11
12
13
14
C
R
Q0
Q1
Q2
Q3
3
4
5
6
_
C
_
C
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/
_
C来自65
_
C至125
_
C
陶瓷“L”套餐： - 12毫瓦/
_
c从100
_
C至125
_
C
真值表
时钟
启用
1
0
X
X
0
1
X
X
RESET
0
0
0
0
0
0
1
行动
递增计数器
递增计数器
没有变化
没有变化
没有变化
没有变化
Q0通Q3 = 0
X =无关
该器件包含保护电路，
警惕损害，由于高静
电压或电场。然而，预
注意事项必须注意避免应用
超过最大额定电压较高的任何电压
年龄这个高阻抗电路。为了正确
操作中， Vin和Vout的应受限制
到的范围内的VSS
（ VIN或VOUT ）
VDD 。
未使用的输入必须始终连接到一个
适当的逻辑电平（例如，是VSS
或VDD ） 。未使用的输出必须悬空。
v
v
REV 3
1/94
摩托罗拉CMOS逻辑数据
摩托罗拉公司1995年
MC14518B MC14520B
409
电气特性
（电压参考VSS）
特征
符号
VOL
VDD
VDC
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
VIH
5.0
10
15
IOH
来源
5.0
5.0
10
15
IOL
5.0
10
15
15
—
5.0
10
15
5.0
10
15
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
0.64
1.6
4.2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
±
0.1
—
5.0
10
20
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
0.51
1.3
3.4
—
—
—
—
—
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
0.88
2.25
8.8
±
0.00001
5.0
0.005
0.010
0.015
—
—
—
—
—
—
—
±
0.1
7.5
5.0
10
20
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
0.36
0.9
2.4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
±
1.0
—
150
300
600
MADC
3.5
7.0
11
—
—
—
3.5
7.0
11
2.75
5.50
8.25
—
—
—
3.5
7.0
11
—
—
—
MADC
民
—
—
—
– 55
_
C
25
_
C
125
_
C
最大
民
—
—
—
典型值＃
0
0
0
最大
民
—
—
—
最大
单位
VDC
输出电压
VIN = VDD或0
“0”电平
0.05
0.05
0.05
—
—
—
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
—
—
—
1.5
3.0
4.0
0.05
0.05
0.05
—
—
—
1.5
3.0
4.0
VDC
“1”电平
输入电压= 0或Vdd的
输入电压
“0”电平
（ VO = 4.5或0.5伏）
（ VO = 9.0或1.0伏）
（ VO = 13.5或1.5伏）
“1”电平
（ VO = 0.5或4.5伏）
（ VO = 1.0或9.0伏）
（ VO = 1.5或13.5伏）
输出驱动电流
（ VOH = 2.5伏）
（ VOH = 4.6伏）
（ VOH = 9.5伏）
（ VOH = 13.5伏）
（ VOL = 0.4 V直流）
（ VOL = 0.5 V直流）
（ VOL = 1.5 V直流）
输入电流
输入电容
（ VIN = 0 ）
静态电流
（每包）
总电源电流**
（动态加静态，
每包）
（所有输出CL = 50 pF的，所有的
缓冲切换）
VIL
—
—
—
—
—
—
2.25
4.50
6.75
—
—
—
VOH
4.95
9.95
14.95
4.95
9.95
14.95
5.0
10
15
4.95
9.95
14.95
VDC
VDC
SINK
IIN
CIN
国际直拨电话
μAdc
pF
μAdc
IT
IT = （ 0.6
μA /千赫）
F + IDD
IT = （ 1.2
μA /千赫）
F + IDD
IT = （ 1.7
μA /千赫）
F + IDD
μAdc
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
**给出的公式只在25的典型特征
_
C.
计算总电源电流在负载以外50 pF的：
IT （ CL ） = IT （ 50 pF的） + （ CL - 50 ） VFK
其中： IT是
A
（每包） ， CL在PF， V = （ VDD - VSS ）的电压，女在kHz的输入频率， K = 0.002 。
引脚分配
CA
EA
Q0A
Q1A
Q2A
Q3A
RA
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VDD
RB
Q3B
Q2B
Q1B
Q0B
EB
CB
MC14518B MC14520B
410
摩托罗拉CMOS逻辑数据
开关特性*
（ CL = 50 pF的， TA = 25
_
C)
特征
所有类型
典型值＃
100
50
40
符号
tTLH ，
TTHL
VDD
5.0
10
15
民
—
—
—
最大
200
100
80
ns
5.0
10
15
的TPH1
5.0
10
15
总重量（H ）
总重量（L）的
整箱
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
—
—
—
200
100
70
—
—
—
—
—
—
440
200
140
280
120
90
–5
15
20
330
130
90
100
50
35
2.5
6.0
8.0
—
—
—
220
100
70
125
55
40
– 45
– 15
–5
650
230
170
—
—
—
1.5
3.0
4.0
15
5
4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
ns
—
—
—
280
115
80
560
230
160
ns
单位
ns
输出上升时间和下降时间
tTLH ， TTHL = （ 1.5纳秒/ PF ） CL + 25纳秒
tTLH ， TTHL = （ 0.75纳秒/ PF ） CL + 12.5纳秒
tTLH ， TTHL = （ 0.55纳秒/ PF ） CL + 9.5纳秒
传播延迟时间
时钟Q /启用以Q
tPLH的，的TPH1 = （ 1.7纳秒/ PF ） CL + 215纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.66纳秒/ PF ） CL + 97纳秒
tPLH的，的TPH1 = （ 0.5纳秒/ PF ） CL + 75纳秒
重置为Q
的TPH1 = （ 1.7纳秒/ PF ） CL + 265纳秒
的TPH1 = （ 0.66纳秒/ PF ） CL + 117纳秒
的TPH1 = （ 0.66纳秒/ PF ） CL + 95纳秒
时钟脉冲宽度
tPLH的，
的TPH1
时钟脉冲频率
兆赫
时钟或启用上升和下降时间
TTHL ， tTLH
s
启用脉冲宽度
太瓦时（ E）
ns
复位脉冲宽度
太瓦时（R ）
ns
复位移走时间
TREM
ns
*给出的公式只在25的典型特征
_
C.
#Data标有“典型值”是不被用于设计目的，但只是作为IC的潜在性能的指示。
VDD
500
F
ID
Q0
Q1
Q2
ê Q3
R
VSS
20纳秒
50%
90%
10%
VSS
20纳秒
0.01
F
陶瓷的
脉冲
发电机
CL
CL
CL
CL
变量
宽度
图1.功耗测试电路和波形
摩托罗拉CMOS逻辑数据
MC14518B MC14520B
411
VDD
脉冲
发电机
Q0
Q1
E
R
Q2
Q3
VSS
CL
CL
CL
CL
20纳秒
时钟
输入
亿千瓦时
TPLH
C
20纳秒
90%
50%
10%
TWL
的TPH1
90%
VDD
VSS
Q
tr
tf
50%
10%
图2.开关时间测试电路和波形
1
时钟
启用
RESET
1
Q0
Q1
Q2
Q3
1
Q0
Q1
Q2
Q3
2 3
4 5
6
7 8
9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
2 3
4 5
6
7 8
9 0 1
2 3
4 5
6
7 8
9 0
MC14518B
2 3
4 5
6
7 8
9 10 11 12 13 14 15 0
1 2
3
4
MC14520B
图3.时序图
MC14518B MC14520B
412
摩托罗拉CMOS逻辑数据
QQ：2880707522 复制
