摩托罗拉
半导体技术资料
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通过MMBTH69LT1 / D
UHF / VHF晶体管
MMBTH69LT1
集热器
3
1
BASE
2
辐射源
摩托罗拉的首选设备
PNP硅
专为UHF / VHF放大器的应用
高电流增益带宽积
FT = 2000 MHz的分@ 10毫安
3
1
2
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
符号
VCEO
VCBO
VEBO
价值
–15
–15
–4.0
单位
VDC
VDC
VDC
CASE 318 - 08 ，类型6
SOT- 23 （ TO - 236AB ）
器件标识
MMBTH69LT1 = M3J
热特性
特征
器件总功耗FR - 5板（ 1 ）
TA = 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （ 2 ） TA = 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
结温和存储温度
符号
PD
最大
225
1.8
R
θJA
PD
556
300
2.4
R
θJA
TJ ， TSTG
417
- 55 + 150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ IC = -1.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压（ IC = -10
μAdc ，
IE = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压（IE = -10
μAdc ，
IC = 0）
集电极截止电流（ VCB = -10伏直流， IE = 0 ）
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
ICBO
–15
–15
–4.0
—
—
—
—
—
—
—
—
–100
VDC
VDC
VDC
NADC
基本特征
直流电流增益（ IC = -10 MADC ， VCE = -10伏直流）
的hFE
30
—
300
—
小信号特性
电流增益 - 带宽积
（ IC = -10 MADC ， VCE = -10伏直流， F = 100兆赫）
集电极 - 基极电容
（ VCE = -10伏直流， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝
热复合是Berquist的公司的注册商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
fT
CRB
2000
—
—
—
—
0.35
兆赫
pF
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
MMBTH69LT1
对于采用SOT- 23表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局是总的关键部分
设计。占地面积为半导体封装必须
为保证适当的焊料连接的正确大小
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.037
0.95
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
英寸
mm
SOT–23
SOT- 23功耗
采用SOT -23的功耗的功能
漏极焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化
焊接到给出的最大功耗垫的尺寸。
功耗用于表面贴装器件，确定
由TJ （最大值）的最大额定结温
死，R
θJA
从器件结的热阻
环境，以及工作温度TA 。使用
所提供的数据表中的SOT- 23封装的价值观，
PD可以计算如下：
PD =
TJ（MAX） - TA
R
θJA
焊接注意事项
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度，不内完成焊接
短的时间内可能会导致器件失效。因此，该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力，以使设备
受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
采用红外加热与回流焊接方法，
的差值应为最大10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热到焊接，最大移
温度梯度应为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，从而导致
在潜失效由于机械应力。
机械应力或冲击不应在被应用
冷却。
*进行焊接装置无需预热可导致过度
热冲击和应力，这可能导致损坏
装置。
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代入
该方程对于环境温度为25℃的TA ，一个也可以
计算在此所述装置的功率耗散
情况是225毫瓦。
PD =
150°C – 25°C
556°C/W
= 225毫瓦
为SOT- 23封装的556 ° C / W，假设使用
玻璃环氧印刷电路上推荐的足迹
板实现了225毫瓦的功耗。那里
其他选择实现更高的功率耗散
从SOT- 23封装。另一个替代方案是
使用陶瓷基板或铝芯板如
热复合 。使用的基板材料，如热
包层，铝芯板，功耗可
翻倍使用相同的足迹。
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MMBTH69LT1
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4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MMBTH69LT1/D
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