MM54C901 MM74C901 （ TTL ） MM54C903 MM74C903 （ CMOS ）六角反相缓冲器
MM54C902 MM74C902 （ TTL ） MM54C904 MM74C904 （ CMOS ）十六进制非反相缓冲器
1988年2月
MM54C901
MM54C902
MM54C903
MM54C904
MM74C901六角反相TTL缓冲器
MM74C902六角非反相缓冲器TTL
MM74C903十六进制CMOS反相缓冲器
MM74C904六角非反相CMOS缓冲器
特点
Y
Y
Y
Y
概述
这些十六进制缓冲器采用互补型MOS实现
宽电源电压工作范围的低功耗和
高噪声抗扰度这些缓冲区提供直接接口
从PMOS进入CMOS或TTL和直接接口
CMOS到TTL或CMOS操作以降低V
CC
供应
宽电源电压范围
保证噪声容限
高噪声抗扰度
TTL兼容
3 0V至15V
1 0V
0 45 V
CC
（典型值）
扇出的2
驾驶标准TTL
连接图
双列直插式封装
MM54C901 MM74C901
MM54C903 MM74C903
双列直插式封装
MM54C902 MM74C902
MM54C904 MM74C904
TL F 5909 - 1
TL F 5909 - 2
顶视图
订单号MM54C901
MM74C901 MM54C903或MM74C903
顶视图
订单号MM54C902
MM74C902 MM54C904或MM74C904
C
1995年全国半导体公司
TL F 5909
RRD - B30M105印制在U S A
DC电气特性
（续）
最小最大限制适用整个温度范围内，除非另有说明
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
输出驱动器（见54C 74C家族特征数据表） （短路电流）
（ MM54C901 MM74C901 MM54C903 MM74C903 ）
I
来源
I
来源
I
SINK
I
SINK
输出源电流
（ P沟道）
输出源电流
（ P沟道）
输出灌电流
（ N沟道）
输出灌电流
（ N沟道）
V
CC
e
5 0V V
OUT
e
0V
T
A
e
25℃ V
IN
e
0V
V
CC
e
10V V
OUT
e
0V
T
A
e
25℃ V
IN
e
0V
V
CC
e
5 0V V
OUT
e
V
CC
T
A
e
25℃ V
IN
e
V
CC
V
CC
e
5 0V V
OUT
e
0 4V
T
A
e
25℃ V
IN
e
V
CC
b
5 0
b
20
mA
mA
mA
mA
90
38
（ MM54C902 MM74C902 MM54C904 MM74C904 ）
I
来源
I
来源
I
SINK
I
SINK
输出源电流
（ P沟道）
输出源电流
（ P沟道）
输出灌电流
（ N沟道）
输出灌电流
（ N沟道）
V
CC
e
5 0V V
OUT
e
0V
T
A
e
25℃ V
IN
e
V
CC
V
CC
e
10V V
OUT
e
0V
T
A
e
25℃ V
IN
e
V
CC
V
CC
e
5 0V V
OUT
e
V
CC
T
A
e
25℃ V
IN
e
0V
V
CC
e
5 0V V
OUT
e
0 4V
T
A
e
25℃ V
IN
e
0V
b
5 0
b
20
mA
mA
mA
mA
90
38
AC电气特性
符号
参数
MM54C901 MM74C901 MM54C903 MM74C903
t
pd1
t
pd0
C
IN
C
PD
传播延迟时间
到逻辑' 1 ''
传播延迟时间
到一个逻辑' 0''
输入电容
功率耗散能力
T
A
e
25 C C
L
e
为50 pF ，除非另有说明
条件
民
典型值
最大
单位
V
CC
e
5 0V
V
CC
e
10V
V
CC
e
5 0V
V
CC
e
10V
任何输入（注2 ）
（注3 ）每个缓冲区
38
22
21
13
14
30
70
30
35
20
ns
ns
ns
ns
pF
pF
MM54C902 MM74C902 MM54C904 MM74C904
t
pd1
t
pd0
C
IN
C
PD
传播延迟时间
到逻辑' 1 ''
传播延迟时间
到一个逻辑' 0''
输入电容
功率耗散能力
V
CC
e
5 0V
V
CC
e
10V
V
CC
e
5 0V
V
CC
e
10V
任何输入（注2 ）
（注3 ）每个缓冲区
57
27
54
25
50
50
90
40
90
40
ns
ns
ns
ns
pF
pF
AC参数都保证了DC相关测试
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证除'工作温度范围''
它们不意味着暗示该设备应在这些限制下操作的''电气特性“”该表提供了条件，实际的设备
手术
注2
电容是由周期性检测保证
注3
C
PD
决定任何CMOS器件有关完整说明，请参见54C 74C系列的特点应用笔记的空载交流电耗
AN-90
3
MM74C901 MM74C902六角反相TTL缓冲器十六进制非反相缓冲器TTL
1987年10月
修订后的1999年1月
MM74C901 MM74C902
六角反相TTL缓冲器
六角非反相缓冲器TTL
概述
该MM74C901和MM74C902六角缓冲器使用的COM
互补MOS实现宽电源电压工作范围，
低功耗，和高抗干扰性。这些
缓冲器提供直接的接口，从PMOS进入CMOS或
TTL和直接接口从CMOS到TTL或CMOS
在降低V操作
CC
供应量。
特点
s
宽电源电压范围：
s
保证噪声容限：
s
高抗干扰性：
3.0V至15V
1.0V
0.45 V
CC
（典型值）。
s
TTL兼容：扇出的2驱动标准的TTL
订购代码：
订单号
MM74C901M
MM74C901N
MM74C902M
MM74C902N
包装数
M14A
N14A
M14A
N14A
包装说明
14引脚小外形集成电路（ SOIC ） ， JEDEC MS- 120 ， 0.150 “窄
14引脚塑料双列直插式封装（ PDIP ） ， JEDEC MS- 011 ， 0.300 “宽
14引脚小外形集成电路（ SOIC ） ， JEDEC MS- 120 ， 0.150 “窄
14引脚塑料双列直插式封装（ PDIP ） ， JEDEC MS- 011 ， 0.300 “宽
在磁带和卷轴可用的设备也。通过附加的后缀字母“X”的订货代码指定。
连接图
引脚分配为DIP和SOIC
MM74C901
MM74C902
顶视图
顶视图
逻辑图
MM74C901
CMOS与TTL反相缓冲器
MM74C902
CMOS与TTL缓冲器
1999仙童半导体公司
DS005909.prf
www.fairchildsemi.com
MM74C901 MM74C902
DC电气特性
符号
I
来源
I
来源
I
SINK
I
SINK
参数
输出源电流
（ P沟道）
输出源电流
（ P沟道）
输出灌电流
（ N沟道）
输出灌电流
（ N沟道）
（续）
条件
V
CC
=
5.0V, V
OUT
=
0V
T
A
=
25 ° C，V
IN
=
V
CC
V
CC
=
10V, V
OUT
=
0V
T
A
=
25 ° C，V
IN
=
V
CC
V
CC
=
5.0V, V
OUT
=
V
CC
T
A
=
25 ° C，V
IN
=
0V
V
CC
=
5.0V, V
OUT
=
0.4V
T
A
=
25 ° C，V
IN
=
0V
民
5.0
20
9.0
3.8
典型值
最大
单位
mA
mA
mA
mA
AC电气特性
T
A
=
25°C, C
L
=
为50 pF ，除非另有说明
符号
MM74C901
t
pd1
t
pd0
C
IN
C
PD
t
pd1
t
pd0
C
IN
C
PD
传播延迟时间
到一个逻辑“1”的
传播延迟时间
到一个逻辑“0”的
输入电容
功率耗散能力
传播延迟时间
到一个逻辑“1”的
传播延迟时间
到一个逻辑“0”的
输入电容
功率耗散能力
参数
（注2 ）
条件
民
典型值
最大
单位
V
CC
=
5.0V
V
CC
=
10V
V
CC
=
5.0V
V
CC
=
10V
任何输入（注3 ）
每个缓冲区（注4 ）
V
CC
=
5.0V
V
CC
=
10V
V
CC
=
5.0V
V
CC
=
10V
任何输入（注3 ）
每个缓冲区（注4 ）
38
22
21
13
14
30
57
27
54
25
5.0
50
70
30
35
20
ns
ns
ns
ns
pF
pF
MM74C902
90
40
90
40
ns
ns
ns
ns
pF
pF
注2 ：
AC参数都保证了DC相关测试。
注3 ：
电容是由周期性检测保证。
注4 ：
C
PD
决定任何CMOS器件的空载交流电耗。有关完整的说明，请参见家族特征应用笔记
AN-90.
典型用途
CMOS与TTL或CMOS在低V
CC
注意：
V
CC1
=
V
CC2
3
www.fairchildsemi.com
MM74C901 MM74C902
物理尺寸
英寸（毫米），除非另有说明
14引脚塑料双列直插式封装（ PDIP ） ， JEDEC MS- 120 ， 0.150 “窄
包装数M14A
5
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