MPS6515/MMBT6515
MPS6515/MMBT6515
NPN通用放大器
本设备被设计为一个通用
放大器和开关。
有用的动态范围扩展至100mA的
切换和100MHz的作为放大器。
TO-92
1
1. 2.发射基地3.收藏家
3
2
SOT-23
1马克： 3J
1.底座2.辐射源3.收藏家
绝对最大额定值*
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
结温和存储温度
- 连续
参数
价值
25
40
4.0
200
-55 ~ +150
单位
V
V
V
mA
°C
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1 ）这些等级是基于对150度C的最高结温
2 ）这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲或低占空比操作的应用进行咨询
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
I
C
= 0.5毫安，我
B
= 0
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
C
= 10μA ，我
C
= 0
V
CE
= 30V ，我
E
= 0
V
CB
= 30V ，我
E
= 0 ，T = 60℃
I
C
= 2.0毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 100mA时V
CE
= 10V
I
C
= 50mA时我
B
= 5.0毫安
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 100kHz的
250
150
分钟。
25
40
4.0
50
1.0
500
0.5
3.5
V
pF
马克斯。
单位
V
V
V
nA
A
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
CBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
C
敖包
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输出电容
在特性*
小信号特性
*脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2.0%
热特性
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
参数
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
马克斯。
MPS6515
625
5.0
83.3
200
357
*MMBT6515
350
2.8
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
*设备安装在FR- 4 PCB板1.6 “
×
0.06"
2003仙童半导体公司
2003年修订版A.二月
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
ACEX
FACT
ActiveArray
FACT静音系列
深不见底
快
FASTr
CoolFET
CROSSVOLT
FRFET
GlobalOptoisolator
DOME
EcoSPARK
GTO
2
CMOS
E
HiSeC
Ensigna
I
2
C
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
ImpliedDisconnect
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统，其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2003仙童半导体公司
牧师I2
MPS6515/MMBT6515
MPS6515/MMBT6515
NPN通用放大器
本设备被设计为一个通用
放大器和开关。
有用的动态范围扩展至100mA的
切换和100MHz的作为放大器。
TO-92
1
1. 2.发射基地3.收藏家
3
2
SOT-23
1马克： 3J
1.底座2.辐射源3.收藏家
绝对最大额定值*
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
结温和存储温度
- 连续
参数
价值
25
40
4.0
200
-55 ~ +150
单位
V
V
V
mA
°C
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1 ）这些等级是基于对150度C的最高结温
2 ）这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲或低占空比操作的应用进行咨询
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
I
C
= 0.5毫安，我
B
= 0
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
C
= 10μA ，我
C
= 0
V
CE
= 30V ，我
E
= 0
V
CB
= 30V ，我
E
= 0 ，T = 60℃
I
C
= 2.0毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 100mA时V
CE
= 10V
I
C
= 50mA时我
B
= 5.0毫安
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 100kHz的
250
150
分钟。
25
40
4.0
50
1.0
500
0.5
3.5
V
pF
马克斯。
单位
V
V
V
nA
A
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
CBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
C
敖包
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输出电容
在特性*
小信号特性
*脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2.0%
热特性
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
参数
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
马克斯。
MPS6515
625
5.0
83.3
200
357
*MMBT6515
350
2.8
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
*设备安装在FR- 4 PCB板1.6 “
×
0.06"
2003仙童半导体公司
2003年修订版A.二月
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
ACEX
FACT
ActiveArray
FACT静音系列
深不见底
快
FASTr
CoolFET
CROSSVOLT
FRFET
GlobalOptoisolator
DOME
EcoSPARK
GTO
2
CMOS
E
HiSeC
Ensigna
I
2
C
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
ImpliedDisconnect
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统，其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2003仙童半导体公司
牧师I2
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