MBM29DL16XTE/BE
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概述
该MBM29DL16XTE / BE是16M位， 3.0 V-仅限Flash组织为每个或1M 8位2M字节的内存
也就是说，每行16位。该MBM29DL16XTE / BE在一个48引脚TSOP （ I）和48球FBGA封装。
这些设备被设计成在系统编程与标准体系3.0 VV
CC
供应量。 12.0 V
V
PP
和5.0 V V
CC
不需要用于写入或擦除操作。该器件还可以在重新编程
标准EPROM编程器。
MBM29DL16XTE / BE被组织成两个存储体，行1和行2，它可以被认为是两个
单独的存储阵列，据某些操作有关。这些设备都是一样的富士通
标准3 V只有闪存与允许一个正常的无延迟读取访问权限的附加功能
从阵列的非繁忙银行而嵌入的写入（或一个程序或擦除）操作
同时服用的其他银行的地方。
在MBM29DL16XTE / BE，全新的设计理念得以实施，所谓的“滑动银行体系” 。下
这一概念， MBM29DL16XTE / BE可以生产一个系列的器件具有不同的银行1 / 2银行规模
组合; 0.5兆/ 15.5兆， 2兆/ 14兆， 4兆/ 12兆， 8兆/ 8 MB。
标准MBM29DL16XTE / BE报价存取时间70纳秒， 90纳秒和120 ns的高速运转让
微处理器无需等待。为了消除总线争用的设备都有独立的芯片使能（ CE ） ，
写使能（WE ）和输出使能（OE ）控制。
该MBM29DL16XTE / BE的引脚和指令集兼容JEDEC标准E
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PROM中。命令
被写入到使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。寄存器的内容作为
输入到一个内部状态机，它控制了擦除和编程电路。写周期内部也
锁存的地址和所需要的编程数据和擦除操作。读出数据的装置的
类似于从5.0 V至12.0 V Flash或EPROM器件读取。
该MBM29DL16XTE / BE是通过执行程序指令序列编程。这将调用
嵌入式程序算法是一个内部算法，可以自动次编程脉冲宽度
并验证正确的电池余量。典型地，每个扇区可以被编程，并在大约0.5秒验证。
擦除是通过执行擦除命令序列来实现。这将调用嵌入式擦除
算法，它是一个内部算法，可以自动preprograms阵列如果它尚未被编程的
前执行擦除操作。在擦除时，设备会自动时间擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
一个扇区通常被擦除并在1.0秒验证。 （如果已完全预编程。 ）
该器件还具有一个扇区擦除架构。该行业模式允许每个扇区进行擦除和
重新编程，而不会影响其他部门。该MBM29DL16XTE / BE是从出厂时被删除
工厂。
这些器件具有用于读取和写入功能单一的3.0 V电源工作。内部产生
并且提供了用于所述程序稳压电压和擦除操作。低V
CC
自动探测器
禁止写入功率的损耗操作。编程或擦除的结束是由DQ的数据轮询检测
7
,
通过对DQ的触发位功能
6
或RY / BY输出引脚。一旦一个程序或擦除周期结束时一直
完成时，设备内部复位到读模式。
富士通的闪存技术，结合多年的EPROM和E
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PROM经验，生产的最高水平
的质量，可靠性和成本效益。该MBM29DL16XTE / BE的记忆电擦除整个芯片
或者通过福勒 - Nordhiem隧道同时一个扇区内的所有位。该字节/字编程1
字节/字在一个时间使用热电子注入的EPROM编程机制。
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