MPS5179 / MMBT5179 / PN5179
MPS5179
MMBT5179
C
PN5179
E
C
B
TO-92
E
SOT-23
马克： 3C
B
C
E
TO-92
B
NPN晶体管RF
该器件是专为低噪音UHF / VHF放大器使用
在100集电极电流
A
到30 mA范围的共同点
发射器或操作的共基极方式，在低频
漂移，高输出中高频振荡器。从工艺40采购。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
12
20
2.5
50
-55到+150
单位
V
V
V
mA
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到环境
最大
PN/MPS5179
350
2.8
357
*MMBT5179
225
1.8
556
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
*
设备安装在FR- 4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
1997仙童半导体公司
MPS5179 / MMBT5179 / PN5179
NPN晶体管RF
（续）
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
民
最大
单位
开关特性
V
首席执行官（
技能提升计划
)
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
集电极 - 发射极耐受电压*
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
I
C
= 3.0毫安，我
B
= 0
I
C
= 1.0
A,
I
E
= 0
I
E
= 10
A,
I
C
= 0
V
CB
= 15 V，I
E
= 0
V
CB
= 15 V ，T
A
= 150°C
12
20
2.5
0.02
1.0
V
V
V
A
A
基本特征
h
FE
V
CE（
SAT
)
V
BE （
SAT
)
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
I
C
= 3.0毫安， V
CE
= 1.0 V
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1.0毫安
25
250
0.4
1.0
V
V
小信号特性
f
T
C
cb
h
fe
rb'C
c
NF
电流增益 - 带宽积
集电极 - 基极电容
小信号电流增益
集电极基时间常数
噪声系数
I
C
= 5.0毫安， V
CE
= 6.0 V,
F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V，I
E
= 0,
F = 0.1 1.0兆赫
I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 6.0 V,
F = 1.0千赫
I
C
= 2.0毫安， V
CB
= 6.0 V,
F = 31.9兆赫
I
C
= 1.5毫安， V
CE
= 6.0 V,
R
S
= 50Ω ， F = 200 MHz的
900
2000
1.0
25
3.0
300
14
5.0
ps
dB
兆赫
pF
3
功能测试
G
pe
P
O
放大器的功率增益
电源输出
V
CE
= 6.0 V，I
C
= 5.0毫安，
F = 200 MHz的
V
CB
= 10 V，I
E
= 12毫安，
f
≥
500兆赫
15
20
dB
mW
*
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
SPICE模型
NPN （ IS = 69.28E - 18 XTI = 3 =例如1.11 VAF = 100 BF = 282.1 NE = 1.177伊势= 69.28E - 18 IKF = 22.03米XTB = 1.5 BR = 1.176
NC = 2的Isc = 0 Ikr的= 0 RC = 4 CJC = 1.042p建超= 0.2468 VJC = 0.75 FC = 0.5 CJE = 1.52p MJE = 0.3223 VJE = 0.75 TR表示1.588n
TF = 135.6p ITF = 0.27 VTF = 10 XTF = 30的Rb = 10 ）
MPS5179 / MMBT5179 / PN5179
NPN晶体管RF
（续）
典型特征
250
h
FE
- 直流电流增益
125 ° C
V
CESAT
- COLLE CTOR - 发射极电压（V ）
直流电流增益
VS集电极电流
集电极 - 发射极饱和
电压Vs集电极电流
0.2
β
=
10
200
150
100
50
0
0.001
I
C
25 ° C
0.15
125 °C
0.1
25 °C
- 40 °C
V
CE
=
5V
0.01
- 集电极CURRE NT （ A）
0.1
0.05
- 40 °C
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
20 30
V
BE （O N）
- BASE -E米特电压（ V）
V
BESAT
- 基地发射极VOLTAG E（ V）
基射极饱和
电压Vs集电极电流
1.2
基射极电压ON VS
集电极电流
1
1
- 40 °C
0.8
- 40 °C
25 °C
0.8
25 °C
125 °C
0.6
125 °C
0.6
β
=
10
0.4
V
CE
=
5V
0.4
0.1
I
C
1
10
20 30
- COLLE CTOR电流（mA）
0.2
0.01
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
50
集电极截止电流
VS环境温度
I
CBO
- 集电极电流（ NA）
P
D
- 功耗（MW ）
功耗与
环境温度
625
100
V
10
CB
= 20V
TO-92
500
375
250
125
0
SOT-23
1
0.1
25
50
75
100
125
T
A
- 环境TE MPERATURE （
°
C)
150
0
25
50
75
100
温度（
o
C)
125
150
MPS5179 / MMBT5179 / PN5179
NPN晶体管RF
（续）
测试电路
50 pF的
（注2 ）
175 pF的
500 MHz的输出
为50Ω
RFC
（注1 ）
注1 ：
2号变成16 AWG电线， 3/8英寸外径， 1 1/4英寸长
注2 ：
9号变成22 AWG电线， 3/16英寸外径1/2英寸长
1000 pF的
1000 pF的
2.2 K
RFC
-V
ee
V
CC
图1 ： 500 MHz振荡器电路
3
TO- 92卷带数据
TO-92封装
CON组fi guration ：
图1.0
磁带和卷轴选项
FSCINT标签样本
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
LOT ：
CBVK741B019
HTB ： B
数量：
10000
参见图2.0不同
缫丝样式
NSID ：
PN2222N
产品规格：
D / C1 ：
D9842
SPEC REV ：
QA REV ：
B2
FSCINT
LABEL
（ FSCINT ）
5卷轴元
中级盒
F63TNR
LABEL
定制
LABEL
375毫米X 267毫米X 375毫米
中级盒
F63TNR标签样本
LOT ： CBVK741B019
FSID ： PN222N
D / C1 ： D9842
D / C2 ：
QTY1 ：
QTY2 ：
数量： 2000
产品规格：
SPEC REV ：
CPN ：
N / F： F
定制
LABEL
(F63TNR)3
TO- 92 TNR / AMMO包装INFROMATION
填料
REEL
风格
A
E
弹药
M
P
QUANTITY
2,000
2,000
2,000
2,000
EOL代码
D26Z
D27Z
D74Z
D75Z
弹药盒OPTION
参见图3.0为2弹药
包选项
单位重量
= 0.22克
卷重量组件
= 1.04千克
弹药的重量与分量= 1.02公斤
每间箱= 10000台最大数量
FSCINT
LABEL
327毫米X 158毫米X 135毫米
立即盒
定制
LABEL
5弹药盒每
中级盒
F63TNR
LABEL
333毫米X 231毫米X 183毫米
中级盒
定制
LABEL
（ TO- 92 ）批量包装信息
EOL
CODE
J18Z
J05Z
NO EOL
CODE
描述
TO- 18 OPTION STD
TO- 5 OPTION STD
TO- 92标准
直： PKG 92 ，
94 （ NON PROELECTRON
系列）， 96
TO- 92标准
直： PKG 94
（ PROELECTRON系列
BCXXX ， BFXXX ， BSRXXX ）
97, 98
LEADCLIP
维
不含铅CLIP
不含铅CLIP
NO LEADCLIP
QUANTITY
2.0 K /盒
1.5 K /盒
2.0 K /盒
BULK选项
请参阅批量包装
信息表
防静电
泡泡表
FSCINT标签
L34Z
NO LEADCLIP
2.0 K /盒
2000个单位
EO70盒
std选项
114毫米X 102毫米X 51毫米
立即盒
5 EO70每个盒子
中级盒
530毫米X 130毫米X 83毫米
中级盒
定制
LABEL
FSCINT标签
最高1万台
每间箱
性病选项
2001仙童半导体公司
2001年3月，修订版B1
MPS5179 / MMBT5179 / PN5179
分立功率&信号
技术
MPS5179
MMBT5179
C
PN5179
E
C
B
TO-92
E
SOT-23
马克： 3C
B
C
E
TO-92
B
NPN晶体管RF
该器件是专为低噪音UHF / VHF放大器使用
在100集电极电流
A
到30 mA范围的共同点
发射器或操作的共基极方式，在低频
漂移，高输出中高频振荡器。从工艺40采购。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
12
20
2.5
50
-55到+150
单位
V
V
V
mA
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到环境
最大
PN/MPS5179
350
2.8
357
*MMBT5179
225
1.8
556
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
*
设备安装在FR- 4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
1997仙童半导体公司
5179 ，版本B
MPS5179 / MMBT5179 / PN5179
NPN晶体管RF
（续）
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
民
最大
单位
开关特性
V
首席执行官（
技能提升计划
)
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
集电极 - 发射极耐受电压*
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
I
C
= 3.0毫安，我
B
= 0
I
C
= 1.0
A,
I
E
= 0
I
E
= 10
A,
I
C
= 0
V
CB
= 15 V，I
E
= 0
V
CB
= 15 V ，T
A
= 150°C
12
20
2.5
0.02
1.0
V
V
V
A
A
基本特征
h
FE
V
CE（
SAT
)
V
BE （
SAT
)
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
I
C
= 3.0毫安， V
CE
= 1.0 V
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1.0毫安
25
250
0.4
1.0
V
V
小信号特性
f
T
C
cb
h
fe
rb'C
c
NF
电流增益 - 带宽积
集电极 - 基极电容
小信号电流增益
集电极基时间常数
噪声系数
I
C
= 5.0毫安， V
CE
= 6.0 V,
F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V，I
E
= 0,
F = 0.1 1.0兆赫
I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 6.0 V,
F = 1.0千赫
I
C
= 2.0毫安， V
CB
= 6.0 V,
F = 31.9兆赫
I
C
= 1.5毫安， V
CE
= 6.0 V,
R
S
= 50Ω ， F = 200 MHz的
900
2000
1.0
25
3.0
300
14
5.0
ps
dB
兆赫
pF
功能测试
G
pe
P
O
放大器的功率增益
电源输出
V
CE
= 6.0 V，I
C
= 5.0毫安，
F = 200 MHz的
V
CB
= 10 V，I
E
= 12毫安，
f
≥
500兆赫
15
20
dB
mW
*
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
SPICE模型
NPN （ IS = 69.28E - 18 XTI = 3 =例如1.11 VAF = 100 BF = 282.1 NE = 1.177伊势= 69.28E - 18 IKF = 22.03米XTB = 1.5 BR = 1.176
NC = 2的Isc = 0 Ikr的= 0 RC = 4 CJC = 1.042p建超= 0.2468 VJC = 0.75 FC = 0.5 CJE = 1.52p MJE = 0.3223 VJE = 0.75 TR表示1.588n
TF = 135.6p ITF = 0.27 VTF = 10 XTF = 30的Rb = 10 ）
MPS5179 / MMBT5179 / PN5179
NPN晶体管RF
（续）
DC典型特征
V
CESAT
- 集电极 - 发射极电压（ V）
直流电流增益
VS集电极电流
250
h
FE
- 直流电流增益
125 °C
集电极 - 发射极饱和
电压Vs集电极电流
0.2
β
=
10
200
150
100
- 40 C
0.15
125 °C
25 °C
0.1
25 °C
50
0
0.001
V
CE
=
5V
0.01
- 集电极电流（ A）
0.1
0.05
- 40 C
0.1
I
C
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
P 40
20 30
V
-
BE（上）
基极发射极电压（ V）
V
BESAT
- 基极发射极电压（V）的
基射极饱和
电压Vs集电极电流
1.2
1
- 40 C
基射极电压ON VS
集电极电流
1
0.8
- 40 C
25 °C
0.8
0.6
0.4
0.1
I
C
25 °C
125 °C
0.6
125 °C
β
=
10
0.4
V
CE
=
5V
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
50
1
10
- 集电极电流（毫安）
20 30
0.2
0.01
集电极截止电流
VS环境温度
I
CBO
- 集电极电流（ NA）
100
V
10
CB
= 20V
1
0.1
25
50
75
100
125
T
A
- 环境温度（ ° C）
150
MPS5179 / MMBT5179 / PN5179
NPN晶体管RF
（续）
AC典型特征
功耗与
环境温度
P
D
- 功耗（MW ）
350
300
250
SOT-23
200
150
100
50
0
0
25
50
75
100
温度（
°
C)
125
150
TO-92
测试电路
50 pF的
（注2 ）
175 pF的
500 MHz的输出
为50Ω
RFC
（注1 ）
注1 ：
2号变成16 AWG电线， 3/8英寸外径， 1 1/4英寸长
注2 ：
9号变成22 AWG电线， 3/16英寸外径1/2英寸长
1000 pF的
1000 pF的
2.2 K
RFC
- V
CC
V
CC
图1 ： 500 MHz振荡器电路
QQ：2880707522 复制
