2N5088 / MMBT5088 / 2N5089 / MMBT5089

2N5088

2N5089

MMBT5088

MMBT5089

C

E

C

B

TO-92

E

SOT-23

马克： 1Q / 1R

B

NPN通用放大器

该器件是专为低噪声，高增益，通用

放大器应用集电极电流从1μA到50毫安。

绝对最大额定值*

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

T

J

, T

英镑

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

TA = 25° C除非另有说明

参数

2N5088

2N5089

2N5088

2N5089

价值

30

25

35

30

4.5

100

-55到+150

单位

V

V

V

V

V

mA

°C

工作和存储结温范围

*

这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。

注意事项：

1)

这些评级是基于150度C的最高结温

2)

这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。

热特性

符号

TA = 25° C除非另有说明

特征

2N5088

2N5089

625

5.0

83.3

200

最大

*MMBT5088

*MMBT5089

350

2.8

357

单位

P

D

R

θJC

R

θJA

器件总功耗

减免上述25℃

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

mW

毫瓦/°C的

° C / W

° C / W

*

设备安装在FR- 4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."

2001年仙童半导体公司

2N5088 / 2N5089 / MMBT5088 / MMBT5089 ，版本A

2N5088 / MMBT5088 / 2N5089 / MMBT5089

NPN通用放大器

（续）

电气特性

符号

参数

TA = 25° C除非另有说明

测试条件

民

最大

单位

开关特性

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

I

CBO

I

EBO

集电极 - 发射极击穿

电压*

集电极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

I

C

= 1.0毫安，我

B

= 0

I

C

= 100

A,

I

E

= 0

V

CB

= 20 V，I

E

= 0

V

CB

= 15 V，I

E

= 0

V

EB

= 3.0 V，I

C

= 0

V

EB

= 4.5 V，I

C

= 0

5088

5089

5088

5089

5088

5089

30

25

35

30

50

50

50

100

V

V

V

V

nA

nA

nA

nA

基本特征

h

FE

直流电流增益

I

C

= 100

A,

V

CE

= 5.0 V

I

C

= 1.0毫安， V

CE

= 5.0 V

I

C

= 10 mA时， V

CE

= 5.0 V*

V

CE（

SAT

)

V

BE （

on

)

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压上

I

C

= 10 mA时，我

B

= 1.0毫安

I

C

= 10 mA时， V

CE

= 5.0 V

5088

5089

5088

5089

5088

5089

300

400

350

450

300

400

900

1200

0.5

0.8

V

V

小信号特性

f

T

C

cb

C

eb

h

fe

NF

电流增益 - 带宽积

集电极 - 基极电容

发射极 - 基极电容

小信号电流增益

噪声系数

I

C

= 500

μA ，V

CE

= 5.0毫安，

F = 20MHz的

V

CB

= 5.0 V，I

E

= 0中，f = 100千赫

V

BE

= 0.5 V，I

C

= 0中，f = 100千赫

I

C

= 1.0毫安， V

CE

= 5.0 V,

F = 1.0千赫

I

C

= 100

A,

V

CE

= 5.0 V,

R

S

= 10 k,

F = 10 Hz至15.7千赫

5088

5089

5088

5089

350

450

50

4.0

10

1400

1800

3.0

2.0

兆赫

pF

pF

3

dB

dB

*

脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

s,

占空比

≤

2.0%

SPICE模型

NPN （ IS = 5.911f XTI = 3 =例如1.11 VAF = 62.37 BF = 1.122K NE = 1.394伊势= 5.911f IKF = 14.92米XTB = 1.5 BR = 1.271 NC = 2

ISC = 0 Ikr的= 0 RC = 1.61 CJC = 4.017p建超= 0.3174 VJC = 0.75 FC = 0.5 CJE = 4.973p MJE = 0.4146 VJE = 0.75 TR表示4.673n铁蛋白= 821.7p

ITF = 0.35 VTF = 4 XTF = 7的Rb = 10 ）

2N5088 / MMBT5088 / 2N5089 / MMBT5089

NPN通用放大器

（续）

典型特征

1200

1000

800

600

25 °C

125 °C

V

CESAT

- 集电极 - 发射极电压（ V）

h

FE

- 典型的脉冲电流增益

典型的脉冲电流增益

VS集电极电流

V

CE

= 5.0 V

集电极 - 发射极饱和

电压Vs集电极电流

0.3

0.25

0.2

125 °C

β

= 10

0.15

0.1

0.05

0.1

25 °C

- 40 °C

400

- 40 °C

200

0

0.01 0.03

0.1 0.3

1

3

10

30

I

C

- 集电极电流（毫安）

100

1

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

100

V

BESAT

- 集电极 - 发射极电压（ V）

1

- 40 °C

V

BEON

- 基极发射极电压（ V）

基射极饱和

电压Vs集电极电流

基射极电压ON VS

集电极电流

1

0.8

0.6

125 °C

- 40 °C

25 °C

0.8

0.6

0.4

0.2

0.1

1

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

100

25 °C

125 °C

β

= 10

0.4

V

CE

= 5.0 V

0.2

0.1

1

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

40

集电极截止电流

VS环境温度

I

CBO

- COLLE CTOR电流（ NA）

10

V

CB

= 45V

1

0.1

25

50

75

100

125

T

A

- AMBIE NT TEMP ERATURE （

°

C)

150

2N5088 / MMBT5088 / 2N5089 / MMBT5089

NPN通用放大器

（续）

典型特征

（续）

输入和输出电容

VS反向偏置电压

F = 1.0 MHz的

电容（pF）

4

3

科特

恒增益轮廓

带宽积（F

T

)

V

CE

- 集电极电压（ V）

10

7

5

150兆赫

175兆赫

5

3

2

2

1

0

OB

125兆赫

100兆赫

75兆赫

0

4

8

12

16

反向偏置电压（V）的

20

1

0.1

1

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

100

CHARACTERIS TIC S RELATI VE价值AT＆T

A

= 25 C

归集电极截止电流

VS环境温度

5

NF - 噪声系数（dB ）

宽带噪声频率

VS源电阻

V

CE

= 5.0 V

°

1000

4

3

2

1

0

带宽= 15.7千赫

100

I

C

= 100

A

I

C

= 30

A

3

10

I

C

= 10

A

2,000

5,000

10,000

20,000

50,000

100,000

1

25

50

75

100

125

T

A

- AMBIE NT温度（

°

C)

150

1,000

R

S

- 源电阻（

)

噪声系数与频率

10

P

D

- 功耗（MW ）

功耗与

环境温度

625

NF - 噪声系数（dB ）

8

I

C

= 200

A,

R

S

= 10 k

I

C

= 100

A,

R

S

= 10 k

I

C

= 1.0毫安，

R

S

= 500

TO-92

500

375

250

125

0

6

SOT-23

4

I

C

= 1.0毫安，

R

S

= 5.0 k

V

CE

= 5.0V

2

0

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

的F - 频率（MHz）

10

100

0

25

50

75

100

温度（

o

C)

125

150

2N5088 / MMBT5088 / 2N5089 / MMBT5089

NPN通用放大器

（续）

典型特征

（续）

不断轮廓

窄带噪声图

R

S

- 源电阻（

)

3.0分贝

5,000

不断轮廓

窄带噪声图

R

S

- 源电阻（

)

10,000

5,000

10,000

4.0分贝

2,000

1,000

500

V

CE

= 5.0 V

2.0分贝

2,000

6.0分贝

8.0分贝

10分贝

F = 100赫兹

带宽

= 20赫兹

3.0分贝

1,000

4.0分贝

500

V

CE

= 5.0 V

F = 1.0千赫

带宽

200

= 200赫兹

6.0分贝

8.0分贝

200

100

12分贝

14分贝

100

1

10

100

I

C

- 集电极电流（

A)

1,000

1

10

100

I

C

- 集电极电流（

A)

1,000

不断轮廓

窄带噪声图

R

S

- 源电阻（

)

5000

2000

1000

500

200

100

1

V

CE

= 5.0V

F = 10kHz的

带宽

= 2.0kHz

R

S

- 源电阻（

)

10000

1.0分贝

2.0分贝

3.0分贝

4.0分贝

6.0分贝

8.0分贝

不断轮廓

窄带噪声图

10000

5000

2000

1000

2.0分贝

3.0分贝

5.0

dB

6.0

dB

10

100

I

C

- 集电极电流（

A)

1000

V

CE

=

4.0分贝

500

5.0V

F = 1.0 MHz的

200

带宽

7.0分贝

= 200kHz的

8.0分贝

100

0.01

0.1

1

I

C

- 集电极电流（

A)

10

2N5088 / MMBT5088 / 2N5089 / MMBT5089

2N5088

2N5089

MMBT5088

MMBT5089

C

E

C

B

TO-92

E

SOT-23

马克： 1Q / 1R

B

NPN通用放大器

该器件是专为低噪声，高增益，通用

放大器应用集电极电流从1μA到50毫安。

绝对最大额定值*

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

T

J

, T

英镑

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

TA = 25° C除非另有说明

参数

2N5088

2N5089

2N5088

2N5089

价值

30

25

35

30

4.5

100

-55到+150

单位

V

V

V

V

V

mA

°C

工作和存储结温范围

*

这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。

注意事项：

1)

这些评级是基于150度C的最高结温

2)

这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。

热特性

符号

TA = 25° C除非另有说明

特征

2N5088

2N5089

625

5.0

83.3

200

最大

*MMBT5088

*MMBT5089

350

2.8

357

单位

P

D

R

θJC

R

θJA

器件总功耗

减免上述25℃

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

mW

毫瓦/°C的

° C / W

° C / W

*

设备安装在FR- 4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."

2001年仙童半导体公司

2N5088 / 2N5089 / MMBT5088 / MMBT5089 ，版本A

2N5088 / MMBT5088 / 2N5089 / MMBT5089

NPN通用放大器

（续）

电气特性

符号

参数

TA = 25° C除非另有说明

测试条件

民

最大

单位

开关特性

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

I

CBO

I

EBO

集电极 - 发射极击穿

电压*

集电极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

I

C

= 1.0毫安，我

B

= 0

I

C

= 100

A,

I

E

= 0

V

CB

= 20 V，I

E

= 0

V

CB

= 15 V，I

E

= 0

V

EB

= 3.0 V，I

C

= 0

V

EB

= 4.5 V，I

C

= 0

5088

5089

5088

5089

5088

5089

30

25

35

30

50

50

50

100

V

V

V

V

nA

nA

nA

nA

基本特征

h

FE

直流电流增益

I

C

= 100

A,

V

CE

= 5.0 V

I

C

= 1.0毫安， V

CE

= 5.0 V

I

C

= 10 mA时， V

CE

= 5.0 V*

V

CE（

SAT

)

V

BE （

on

)

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压上

I

C

= 10 mA时，我

B

= 1.0毫安

I

C

= 10 mA时， V

CE

= 5.0 V

5088

5089

5088

5089

5088

5089

300

400

350

450

300

400

900

1200

0.5

0.8

V

V

小信号特性

f

T

C

cb

C

eb

h

fe

NF

电流增益 - 带宽积

集电极 - 基极电容

发射极 - 基极电容

小信号电流增益

噪声系数

I

C

= 500

μA ，V

CE

= 5.0毫安，

F = 20MHz的

V

CB

= 5.0 V，I

E

= 0中，f = 100千赫

V

BE

= 0.5 V，I

C

= 0中，f = 100千赫

I

C

= 1.0毫安， V

CE

= 5.0 V,

F = 1.0千赫

I

C

= 100

A,

V

CE

= 5.0 V,

R

S

= 10 k,

F = 10 Hz至15.7千赫

5088

5089

5088

5089

350

450

50

4.0

10

1400

1800

3.0

2.0

兆赫

pF

pF

3

dB

dB

*

脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

s,

占空比

≤

2.0%

SPICE模型

NPN （ IS = 5.911f XTI = 3 =例如1.11 VAF = 62.37 BF = 1.122K NE = 1.394伊势= 5.911f IKF = 14.92米XTB = 1.5 BR = 1.271 NC = 2

ISC = 0 Ikr的= 0 RC = 1.61 CJC = 4.017p建超= 0.3174 VJC = 0.75 FC = 0.5 CJE = 4.973p MJE = 0.4146 VJE = 0.75 TR表示4.673n铁蛋白= 821.7p

ITF = 0.35 VTF = 4 XTF = 7的Rb = 10 ）

2N5088 / MMBT5088 / 2N5089 / MMBT5089

NPN通用放大器

（续）

典型特征

1200

1000

800

600

25 °C

125 °C

V

CESAT

- 集电极 - 发射极电压（ V）

h

FE

- 典型的脉冲电流增益

典型的脉冲电流增益

VS集电极电流

V

CE

= 5.0 V

集电极 - 发射极饱和

电压Vs集电极电流

0.3

0.25

0.2

125 °C

β

= 10

0.15

0.1

0.05

0.1

25 °C

- 40 °C

400

- 40 °C

200

0

0.01 0.03

0.1 0.3

1

3

10

30

I

C

- 集电极电流（毫安）

100

1

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

100

V

BESAT

- 集电极 - 发射极电压（ V）

1

- 40 °C

V

BEON

- 基极发射极电压（ V）

基射极饱和

电压Vs集电极电流

基射极电压ON VS

集电极电流

1

0.8

0.6

125 °C

- 40 °C

25 °C

0.8

0.6

0.4

0.2

0.1

1

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

100

25 °C

125 °C

β

= 10

0.4

V

CE

= 5.0 V

0.2

0.1

1

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

40

集电极截止电流

VS环境温度

I

CBO

- COLLE CTOR电流（ NA）

10

V

CB

= 45V

1

0.1

25

50

75

100

125

T

A

- AMBIE NT TEMP ERATURE （

°

C)

150

2N5088 / MMBT5088 / 2N5089 / MMBT5089

NPN通用放大器

（续）

典型特征

（续）

输入和输出电容

VS反向偏置电压

F = 1.0 MHz的

电容（pF）

4

3

科特

恒增益轮廓

带宽积（F

T

)

V

CE

- 集电极电压（ V）

10

7

5

150兆赫

175兆赫

5

3

2

2

1

0

OB

125兆赫

100兆赫

75兆赫

0

4

8

12

16

反向偏置电压（V）的

20

1

0.1

1

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

100

CHARACTERIS TIC S RELATI VE价值AT＆T

A

= 25 C

归集电极截止电流

VS环境温度

5

NF - 噪声系数（dB ）

宽带噪声频率

VS源电阻

V

CE

= 5.0 V

°

1000

4

3

2

1

0

带宽= 15.7千赫

100

I

C

= 100

A

I

C

= 30

A

3

10

I

C

= 10

A

2,000

5,000

10,000

20,000

50,000

100,000

1

25

50

75

100

125

T

A

- AMBIE NT温度（

°

C)

150

1,000

R

S

- 源电阻（

)

噪声系数与频率

10

P

D

- 功耗（MW ）

功耗与

环境温度

625

NF - 噪声系数（dB ）

8

I

C

= 200

A,

R

S

= 10 k

I

C

= 100

A,

R

S

= 10 k

I

C

= 1.0毫安，

R

S

= 500

TO-92

500

375

250

125

0

6

SOT-23

4

I

C

= 1.0毫安，

R

S

= 5.0 k

V

CE

= 5.0V

2

0

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

的F - 频率（MHz）

10

100

0

25

50

75

100

温度（

o

C)

125

150

2N5088 / MMBT5088 / 2N5089 / MMBT5089

NPN通用放大器

（续）

典型特征

（续）

不断轮廓

窄带噪声图

R

S

- 源电阻（

)

3.0分贝

5,000

不断轮廓

窄带噪声图

R

S

- 源电阻（

)

10,000

5,000

10,000

4.0分贝

2,000

1,000

500

V

CE

= 5.0 V

2.0分贝

2,000

6.0分贝

8.0分贝

10分贝

F = 100赫兹

带宽

= 20赫兹

3.0分贝

1,000

4.0分贝

500

V

CE

= 5.0 V

F = 1.0千赫

带宽

200

= 200赫兹

6.0分贝

8.0分贝

200

100

12分贝

14分贝

100

1

10

100

I

C

- 集电极电流（

A)

1,000

1

10

100

I

C

- 集电极电流（

A)

1,000

不断轮廓

窄带噪声图

R

S

- 源电阻（

)

5000

2000

1000

500

200

100

1

V

CE

= 5.0V

F = 10kHz的

带宽

= 2.0kHz

R

S

- 源电阻（

)

10000

1.0分贝

2.0分贝

3.0分贝

4.0分贝

6.0分贝

8.0分贝

不断轮廓

窄带噪声图

10000

5000

2000

1000

2.0分贝

3.0分贝

5.0

dB

6.0

dB

10

100

I

C

- 集电极电流（

A)

1000

V

CE

=

4.0分贝

500

5.0V

F = 1.0 MHz的

200

带宽

7.0分贝

= 200kHz的

8.0分贝

100

0.01

0.1

1

I

C

- 集电极电流（

A)

10

MMBT5088

MMBT5089

低噪声NPN晶体管

表面贴装

P B

铅（Pb ） - 免费

1

BASE

2

辐射源

集热器

3

3

1

2

SOT-23

最大额定值

等级

集电极 - 发射极电压

收藏家-B为E电压

ê米伊特尔-B为E电压

集电极电流连续

符号

V CE

V CB

VE B○

IC

5088LT1

30

35

4.5

50

5089LT1

25

30

单位

VDC

VDC

VDC

米ADC

热特性

特征

器件总派息s ipation FR -5 B OARD

(1 )

T

A

=2 5 C

减免上述2 5℃

疗法米人RES是tance ，J油膏到上午bient

器件总派息s ipation

明矾INA S瑞银trate ，

(2 )

T

A

=2 5 C

减免上述2 5℃

疗法米人RES是tance ，J油膏到上午bient

油膏和S torage ， tem温度

符号

PD

RJ-A

PD

RJ-A

T J ， TS TG

最大

225

1.8

556

300

2.4

417

-5 5 1 5 0

单位

mW

米W / C

C / W

mW

米W / C

C / W

C

器件标识

MMBT5088 = 1Q ; MMBT5089 = 1R

电气特性（T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

符号

民

最大

单位

开关特性

Collent发射极击穿电压

I

C

= 1.0毫安， IB = 0

MMBT5088

I

C

= 1.0毫安， IB = 0

MMBT5089

Collent - 基极击穿电压

I

C

= 100μA ， IE = 0

I

C

= 100μA ， IE = 0

Collent Cuto FF电流

V

CB

= 20V ， IE = 0

VC

B

= 15V ， IE = 0

Emitte Cuto FF电流

V

EB （O FF ）

= 3.0V ， IC = 0

V

EB （O FF ）

= 4.5V ， IC = 0

MMBT5088

MMBT5089

MMBT5088

MMBT5089

MMBT5088

MMBT5089

V

（ B R ） CE

30

25

35

30

-

-

-

-

50

50

50

100

V

V

（ B R ） CB

V

nA

nA

I

CB

I

E B

1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸

2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。

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MMBT5088

MMBT5089

电气特性

（ TA = 25°C除非另有说明） （ Countinued ）

特征

符号

民

最大

单位

基本特征

直流电流增益

VCE = 5.0V ， IC = 100μA

VCE = 5.0V ， IC = 1.0毫安

VCE = 5.0V ， IC = 10毫安

MMBT5088

MMBT5089

MMBT5088

MMBT5089

MMBT5088

MMBT5089

hFE(1)

hFE(2)

hFE(3)

VCE （ SAT ）

VBE （ SAT ）

300

400

350

450

300

400

-

900

1200

-

-

-

-

0.5

0.8

-

集电极 - 发射极饱和电压

IC = 100mA时IB = 1.0毫安

基射极饱和电压

IC = 10毫安， IB = 1.0毫安

V

-

V

小信号特性

电流增益带宽积

VCE = 5.0V ， IC = 500μA ， F = 20MHz的）

集电极 - 基极电容

VCB = 5.0V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的发射守卫

发射极 - 基极电容

VEB = 0.5V ， IC = 0 ， F = 1.0MHz的收藏家守卫

小信号电流增益

VCE = 5.0V ， IC = 1.0毫安， F = 1.0千赫

噪声系数

VCE = 5.0V ， IC = 100 μA ， RS = 1.0K欧姆， F = 1.0kHz

fT

建行

CEB

50

-

-

-

4.0

10

兆赫

pF

pF

MMBT5088

MMBT5089

MMBT5088

MMBT5089

的hFE

350

450

-

1400

1800

3.0

2.0

-

NF

dB

R

S

i

n

~

e

n

理想

晶体管

图1.Transistor噪声模型

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MMBT5088

MMBT5089

噪声特性

噪声电压

30

30

(V

CE

= 5.0伏，T

A

= 25°C)

BANDWIDTH=1.0Hz

e

n

噪声电压（内华达州）

I

C

= 10毫安

3.0mA

1.0mA

R

S

~

0

~

e

n

噪声电压（内华达州）

20

20

BANDWIDTH=1.0Hz

R

S

~

0

~

F = 10Hz的

100Hz

10kHz

1.0kHz

10

7.0

5.0

10

7.0

5.0

3.0

300A

10 20

50 100

200 5001.0k

2.0k 5.0k 10k

20k 50k100k

3.0

100kHz

0.01 0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

1.0

2.0

5.0

10

图2.频率的影响。

10

7.0

5.0

3.0

2.0

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

男，频率（Hz ）

图3.集电极电流的影响。

20

I

C

，集电极电流（毫安）

BANDWIDTH=1.0Hz

I

n

，噪声电流（PA ）

NF ，噪声系数（dB ）

I

C

=10mA

3.0mA

1.0mA

300A

100A

R

S

~

0

~

10 20

50 100

16

带宽= 10 Hz的to15.7千赫

12

I

C

= 1.0毫安

8.0

500A

100A

10A

4.0

10A

200 5001.0k

30A

2.0k 5.0k 10k

20k 50k100k

0

10

20

50

100 200

500

1k

2k

5k

10k 20k

50k 100k

图4.噪声电流

男，频率（Hz ）

图5.宽带噪声图

100 Hz的噪声数据

R

S

，源电阻（欧姆）

V

T

，总噪声电压（内华达州）

300

200

100

70

50

30

20

10

7.0

5.0

3.0

20

BANDWIDTH=1.0Hz

100A

3.0mA

1.0mA

300A

I

C

=10mA

NF ，噪声系数（dB ）

16

I

C

= 10毫安

3.0mA

1.0mA

300A

12

30A

10A

8.0

100A

4.0

30A

BANDWIDTH=1.0Hz

10A

0

10 20

50 100

200 5001.0k

2.0k 5.0k 10k

20k 50k100k

10

20

50

100 200

500 1.0k 2.0k

5.0k 10k 20k

50k 100k

图6.总的噪声电压

R

S

，源电阻（欧姆）

R

S

，源电阻（欧姆）

图7.噪声系数

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MMBT5088

MMBT5089

h

FE

，直流电流增益（标准化）

4.0

3.0

2.0

V

CE

=5.0 V

T

A

=125°C

25°C

1.0

0.7

0.5

0.4

0.3

0.2

0.01

–55°C

0.02

0.03

0.05

0.1

0.2

0.3

0.5

1.0

2.0

3.0

5.0

10

I

C

，集电极电流（毫安）

图8.直流电流增益

R

θ

VBE

， BASE-辐射源

温度系数（毫伏/ ℃）

1.0

–0.4

T

J

=25°C

V，电压（V ）

0.8

–0.8

0.6

V

BE

@V

CE

= 5.0V

–1.2

0.4

–1.6

T

J

-25℃至125℃

0.2

–2.0

0

0.01 0.02

V

CE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

=10

0.1 0.2

0.5

1.0 2.0

5.0

10

20

50

100

-55°C to25 ℃，

0.05

0.1 0.2

0.5

1.0 2.0

5.0

10

20

50

100

0.05

–0.4

0.01 0.02

I

C

，集电极电流（毫安）

图9. “开”电压

0.8

0.6

500

I

C

，集电极电流（毫安）

图10.温度系数

T

J

= 25°C

C

ob

C

eb

C

cb

C

ib

f

T

型，电流增益 - 带宽

产品（兆赫）

C，电容（pF ）

300

200

0.4

0.3

0.2

100

70

50

V

CE

= 5.0 V

1.0

0.8

0.1

0.2

0.5

1.0

2.0

5.0

10

20

50

100

T

J

= 25°C

1.0

2.0

5.0

10

20

50

100

V

R

，反向电压（伏）

I

C

，集电极电流（毫安）

图11.电容

图12.电流增益 - 带宽积

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MMBT5089

SOT- 23封装外形尺寸

SOT-23

A

顶视图

B

C

D

E

G

H

K

J

L

M

暗淡

A

B

C

D

E

G

H

J

K

L

M

民

0.35

1.19

2.10

0.85

0.46

1.70

2.70