MBRBB7..PbF系列
公告PD- 21048转。一个06/06
电压额定值
参数
V
R
马克斯。 DC反向电压（ V）
V
RWM
马克斯。工作峰值反向电压（ V）
MBRB735PbF
35
MBRB745PbF
45
绝对最大额定值
参数
I
F（ AV ）
马克斯。平均正向电流
I
FSM
非重复性峰值浪涌电流
MBR ..
7.5
690
150
单位条件
A
A
@ T
C
= 131 ° C（额定V
R
)
以下任何额定载荷
5μs的正弦或3μs的矩形。脉象和额定
V
RRM
应用的
应用在额定负载条件下的浪涌半波单
60Hz的三相
mJ
A
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 2安培，L = 3.5毫亨
在1当前线性衰减到零
微秒
频率限制T
J
最大。 V
A
= 1.5× V
R
典型
E
AS
I
AR
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
7
2
电气规格
参数
V
FM
马克斯。正向电压降（ 1 ）
MBR ..
0.84
0.57
0.72
单位条件
V
V
V
mA
mA
pF
nH
V/
μs
（1 ）脉冲宽度： LT ; 300μS ，占空比和2 ％
@ 15A
@ 7.5A
@ 15A
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
额定直流电压
I
RM
C
T
L
S
马克斯。 Instantaneus反向电流
(1)
马克斯。结电容
典型的串联电感
0.1
15
400
8.0
10000
V
R
= 5V
DC
（测试信号范围100kHz至1MHz ） 25℃
从测量终端的顶部安装平面
dv / dt的最大值。变化的电压率
（额定V
R
)
热机械规格
参数
T
J
T
英镑
马克斯。结温范围
马克斯。储存温度范围
MBR ..
- 65 150
- 65 175
3.0
0.50
2 (0.07)
分钟。
马克斯。
6 (5)
12 (10)
单位条件
°C
°C
° C / W DC操作
° C / W安装表面，光滑，润滑
克（盎司）。
公斤 - 厘米
（磅力英寸）
案例D型
2
PAK
R
thJC
马克斯。热阻结
到案
R
乡镇卫生院
典型热阻，案例
散热器来
wt
T
大约重量
安装力矩
打标设备
MBRB7..
2
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MBRB7..PbF系列
公告PD- 21048转。一个06/06
100
100
反向电流 - I
R
（MA ）
10
1
0.1
0.01
T J = 150℃
125C
100C
75C
50C
25C
瞬时正向电流 - I
F
(A)
0.001
0.0001
0
10
T = 150℃
J
T = 125°C
J
5
10 15 20 25 30 35 40 45
反向电压 - V
R
(V)
图。 2 - 典型值反向电流
与反向电压（每腿）
1000
结电容 - C
T
（P F）
中T = 25℃
J
中T = 25℃
J
1
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
正向电压下降 - V
FM
(V)
2
100
0
10
20
30
40
50
反向电压 - V
R
(V)
图。 3 - 典型结电容
与反向电压（每腿）
图。 1 - 最大。正向压降特性
（每站）
10
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
P
DM
（ ° C / W）
热阻抗Z
thJC
1
0.1
t1
t2
0.01
单脉冲
（热电阻）
注意事项：
1.占空比系数D = T1 / T2
2.峰值TJ = PDM X ZthJC +锝
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 4 - 最大。热抗Z
thJC
特性（每腿）
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3
VS- MBR7 ...的PbF系列， VS- MBR7 ...- N3系列
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威世半导体
肖特基整流器， 7.5 A
特点
BASE
阴极
2
150 ° （C T）
J
手术
??高频工作
低正向压降
高纯度，耐高温环氧树脂
封装提高机械
强度和防潮性
保护环，增强耐用性和长期
长期可靠性
TO-220AC
1
阴极
3
阳极
产品概述
包
I
F（ AV ）
V
R
V
F
在我
F
I
RM
马克斯。
T
J
马克斯。
二极管的变化
E
AS
TO-220AC
7.5 A
35 V, 45 V
0.57 V
为15 mA 125°C
150 °C
单芯片
7兆焦耳
符合RoHS指令2002/95 / EC
根据JEDEC - JESD47设计和合格
无卤素，符合IEC 61249-2-21定义
（ -N 3只）
描述
在VS- MBR7 ...肖特基整流器进行了优化
低反向漏电流在高温下。该专利
屏障技术允许可靠运行高达150 ℃的
结温。典型的应用是在开关
电源，转换器，续流二极管和
电池反接保护。
主要额定值及特点
符号
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
t
p
= 5 μs的正弦
7.5 A
pk
, T
J
= 125 °C
范围
特征
方波
值
7.5
35/45
690
0.57
- 65 150
单位
A
V
A
V
°C
电压额定值
参数
最大直流反向电压
最大工作峰值反向
电压
符号
V
R
V
RWM
35
35
45
45
V
VS-MBR735PbF
VS-MBR735-N3
VS-MBR745PbF
VS-MBR745-N3
单位
绝对最大额定值
参数
最大平均正向电流
符号
I
F（ AV ）
测试条件
T
C
= 131 ° C，额定V
R
5 μs的正弦或3微秒正确。脉冲
非重复性峰值浪涌电流
I
FSM
以下任何额定载荷
条件和额定
V
RRM
应用的
值
7.5
690
A
150
7
2
mJ
A
单位
A
浪涌应用在额定负载条件下半波
单相60赫兹
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
E
AS
I
AR
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 2 A，L = 3.5 mH的
在1微秒的电流线性衰减到零
频率限制T
J
最大V
A
= 1.5× V
R
典型
修订： 30 - 8 - 11
文档编号： 94299
1
您所在区域内的技术问题：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
VS- MBR7 ...的PbF系列， VS- MBR7 ...- N3系列
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威世半导体
电气规格
参数
符号
15 A
最大正向电压降
V
调频（1）
7.5 A
15 A
最大瞬时反向电流
最大结电容
典型的串联电感
变化最大电压率
记
(1)
脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2 ％
I
RM （ 1 ）
C
T
L
S
dv / dt的
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
测试条件
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
额定直流电压
值
0.84
0.57
0.72
0.1
15
400
8.0
1000
mA
pF
nH
V / μs的
V
单位
V
R
= 5 V
DC
（测试信号范围100 kHz至1 MHz）的25℃
从测量终端的顶部安装平面
为V
R
热 - 机械特性
参数
最高结温范围
最大存储温度范围
最大热电阻，
结到外壳
典型热阻，
案件散热器
大约重量
最低
最大
机箱样式TO- 220AC
符号
T
J
T
英镑
R
thJC
R
乡镇卫生院
直流操作
安装面，光滑，润滑
测试条件
值
- 65 150
- 65 175
3.0
° C / W
0.50
2
0.07
6 (5)
12 (10)
g
盎司
千克力·厘米
（磅力·英寸）
单位
°C
安装力矩
打标设备
MBR735
MBR745
修订： 30 - 8 - 11
文档编号： 94299
2
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威世半导体
100
I
F
- 正向电流（A ）
100
I
R
- 反向电流（mA ）
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0
5
10
15
20
25
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
T
J
= 75 °C
T
J
= 50 °C
T
J
= 25 °C
10
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
1
0
0.2
0.4
0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
2.0
30
35
40
45
V
FM
- 正向压降（ V）
图。 1 - 最大正向压降特性
（每站）
V
R
- 反向电压（ V）
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压（每腿）
1000
C
T
- 结电容（pF ）
T
J
= 25 °C
100
0
10
20
30
40
50
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - 典型结电容与反向电压（每腿）
Z
thJC
- 热阻（ ° C / W）
10
1
P
DM
0.1
t
1
0.01
单脉冲
（热电阻）
0.001
0.00001
0.0001
0.001
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/t
2
.
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.1
1
10
0.01
t
1
- 矩形脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特性（每腿）
修订： 30 - 8 - 11
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3
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威世半导体
150
7
允许外壳温度（ ℃）
平均功耗（ W）
6
5
4
140
DC
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
RMS限制
3
2
1
0
DC
130
方
WAVE
(D = 0.50)
评级
V
R
应用的
见注（ 1 ）
120
0
2
4
6
8
10
12
0
2
4
6
8
10
12
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 6 - 正向功率损耗特性
I
FSM
- 不重复浪涌电流（A ）
1000
在任何额定负载条件
和
同
评级
V
RRM
应用的
以下浪涌
100
10
100
1000
10 000
t
p
- 方波脉冲持续时间（微秒）
图。 7 - 最大非重复浪涌电流（每腿）
记
(1)
式中： T = - （ PD +钯
C
J
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
=额定V
R
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订购信息表
器件代码
威世半导体
VS- MBR
1
1
2
3
4
5
-
-
-
-
2
7
3
45
4
PBF
5
威世半导体产品
肖特基MBR系列
额定电流（ 7.5 A）
电压额定值
环境位数
PBF =铅（ Pb），并且符合RoHS标准
N 3 =无卤素，符合RoHS标准，而且完全无铅（Pb ） - 免费
35 = 35 V
45 = 45 V
-
订购信息
（例）
首选的P / N
VS-MBR735PbF
VS-MBR735-N3
VS-MBR745PbF
VS-MBR745-N3
QUANTITY PER T / R
50
50
50
50
最小起订量
1000
1000
1000
1000
包装说明
防静电塑料管
防静电塑料管
防静电塑料管
防静电塑料管
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