江苏长电科技股份有限公司
WBFBP - 03A塑封装晶体管
MMBT2222AE
C
晶体管
WBFBP-03A
(1.6×1.6×0.5)
单位：mm
顶部
描述
NPN外延平面硅晶体管
特点
可互补PNP型（ MMBT2907AE ）
PPLICATION
通用放大器，切换。
对于便携式设备（如手机， MP3 ，MD ， CD - ROM ，
DVD-ROM ，笔记本电脑等）
标记： 1P
C
B
1.基地
2.辐射源
3.收集
E
C
后
E
B
1P
Bé
最大额定值
T
A
= 25° ，除非另有说明
符号
参数
价值
V
CBO
集电极 - 基极电压
75
V
首席执行官
40
集电极 - 发射极电压
V
EBO
6
发射极 - 基极电压
I
C
集电极电流 - 连续
600
P
C
集电极耗散
150
T
J
结温
150
T
英镑
储存温度
-55to+150
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
CEX
I
EBO
h
FE(1)
h
FE(2)
直流电流增益
h
FE(3)
h
FE(4)
h
FE(5)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
噪声系数
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
单位
V
V
V
mA
mW
℃
℃
除非
TEST
否则
特定网络版）
民
75
40
6
0.1
0.1
0.1
35
50
75
100
40
1
0.3
2
1.2
300
8
4
V
V
兆赫
pF
dB
400
典型值
最大
单位
V
V
V
条件
I
C
= 10
μ
A，I
E
=0
I
C
= 10毫安，我
B
=0
I
E
=10
μ
A，I
C
=0
V
CB
= 70 V，I
E
=0
V
CE
=60V,V
BE （OFF）的
=3V
V
EB
= 3V ，我
C
=0
V
CE
=10V,I
C
= 0.1毫安
V
CE
=10V,I
C
= 1毫安
V
CE
=10V,I
C
= 10毫安
V
CE
=10V,I
C
= 150毫安
V
CE
=10V,I
C
= 500毫安
I
C
=500mA,I
B
= 50毫安
I
C
=150mA,I
B
=15mA
I
C
=500mA,I
B
= 50毫安
I
C
=150mA,I
B
=15mA
V
CE
= 20V ，我
C
= 20mA下
f=
100MHz
V
CB
= 10V ，我
E
=
0
, f=
1M
Hz
V
CB
=10V,I
c
=0.1mA,
f=1KHz,Rs=1K
μ
A
μ
A
μ
A
f
T
C
ob
NF
SYM BOL
A
A1
b
b1
D
E
D2
E2
e
L
L1
L2
L3
L4
k
z
IM ê N s个IO N s个在并购illim è T E R 5
M IN 。
M AX 。
0 .4 5 0
0 .5 5 0
0 .0 1 0
0 .0 9 0
0 .2 3 0
0 .3 3 0
0 0.3 2 0 R é F。
1 .5 5 0
1 .6 5 0
1 .5 5 0
1 .6 5 0
0 0.7 5 0 R é F。
1 0.0 0 0 R é F。
1 0.0 0 ; 0 T P 。
0 0.2 8 0 R é F。
0 0.2 3 0 R é F。
0 .1 8 0 R é F。
0 0.2 5 0 R é F。
0 0.2 0 0 R é F。
0 0.3 2 0 R é F。
0 .1 6 0 R é F。
IM ê N s个IO N s个在建华（E S）
M IN 。
M AX 。
0 .0 1 8
0 .0 2 2
0 .0 0 0
0 .0 0 4
0 .0 0 9
0 .0 1 3
0 0.0 1 3 R F。
0 .0 6 1
0 .0 6 5
0 .0 6 1
0 .0 6 5
0 0.0 3 0 R é F。
0 0.0 4 0 R é F。
0 0.0 4 ; 0 T P 。
0 0.0 1 1 R F。
0 0.0 0 9 R é F。
0 0.0 0 7 R é F。
0 0.0 1 0 R F。
0 0.0 0 8 R é F。
0 0.0 1 3 R F。
0 0.0 0 6 R é F。
江苏长电科技股份有限公司
WBFBP - 03A塑封装晶体管
MMBT2222AE
C
晶体管
WBFBP-03A
(1.6×1.6×0.5)
单位：mm
顶部
描述
NPN外延平面硅晶体管
特点
可互补PNP型（ MMBT2907AE ）
PPLICATION
通用放大器，切换。
对于便携式设备（如手机， MP3 ，MD ， CD - ROM ，
DVD-ROM ，笔记本电脑等）
标记： 1P
C
B
1.基地
2.辐射源
3.收集
E
C
后
E
B
1P
Bé
最大额定值
T
A
= 25° ，除非另有说明
符号
参数
价值
V
CBO
集电极 - 基极电压
75
V
首席执行官
40
集电极 - 发射极电压
V
EBO
6
发射极 - 基极电压
I
C
集电极电流 - 连续
600
P
C
集电极耗散
150
T
J
结温
150
T
英镑
储存温度
-55to+150
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
CEX
I
EBO
h
FE(1)
h
FE(2)
直流电流增益
h
FE(3)
h
FE(4)
h
FE(5)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
噪声系数
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
单位
V
V
V
mA
mW
℃
℃
除非
TEST
否则
特定网络版）
民
75
40
6
0.1
0.1
0.1
35
50
75
100
40
1
0.3
2
1.2
300
8
4
V
V
兆赫
pF
dB
400
典型值
最大
单位
V
V
V
条件
I
C
= 10
μ
A，I
E
=0
I
C
= 10毫安，我
B
=0
I
E
=10
μ
A，I
C
=0
V
CB
= 70 V，I
E
=0
V
CE
=60V,V
BE （OFF）的
=3V
V
EB
= 3V ，我
C
=0
V
CE
=10V,I
C
= 0.1毫安
V
CE
=10V,I
C
= 1毫安
V
CE
=10V,I
C
= 10毫安
V
CE
=10V,I
C
= 150毫安
V
CE
=10V,I
C
= 500毫安
I
C
=500mA,I
B
= 50毫安
I
C
=150mA,I
B
=15mA
I
C
=500mA,I
B
= 50毫安
I
C
=150mA,I
B
=15mA
V
CE
= 20V ，我
C
= 20mA下
f=
100MHz
V
CB
= 10V ，我
E
=
0
, f=
1M
Hz
V
CB
=10V,I
c
=0.1mA,
f=1KHz,Rs=1K
μ
A
μ
A
μ
A
f
T
C
ob
NF
SYM BOL
A
A1
b
b1
D
E
D2
E2
e
L
L1
L2
L3
L4
k
z
IM ê N s个IO N s个在并购illim è T E R 5
M IN 。
M AX 。
0 .4 5 0
0 .5 5 0
0 .0 1 0
0 .0 9 0
0 .2 3 0
0 .3 3 0
0 0.3 2 0 R é F。
1 .5 5 0
1 .6 5 0
1 .5 5 0
1 .6 5 0
0 0.7 5 0 R é F。
1 0.0 0 0 R é F。
1 0.0 0 ; 0 T P 。
0 0.2 8 0 R é F。
0 0.2 3 0 R é F。
0 .1 8 0 R é F。
0 0.2 5 0 R é F。
0 0.2 0 0 R é F。
0 0.3 2 0 R é F。
0 .1 6 0 R é F。
IM ê N s个IO N s个在建华（E S）
M IN 。
M AX 。
0 .0 1 8
0 .0 2 2
0 .0 0 0
0 .0 0 4
0 .0 0 9
0 .0 1 3
0 0.0 1 3 R F。
0 .0 6 1
0 .0 6 5
0 .0 6 1
0 .0 6 5
0 0.0 3 0 R é F。
0 0.0 4 0 R é F。
0 0.0 4 ; 0 T P 。
0 0.0 1 1 R F。
0 0.0 0 9 R é F。
0 0.0 0 7 R é F。
0 0.0 1 0 R F。
0 0.0 0 8 R é F。
0 0.0 1 3 R F。
0 0.0 0 6 R é F。
