乐山无线电公司， LTD 。
偏置电阻晶体管
PNP硅表面贴装晶体管，
单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单个装置及其
外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含一个晶体管
TOR与单片偏置网络由两个电阻器;一系列的基极电阻和一
基极 - 发射极resistor.The BRT通过整合他们消除了这些单独的部件
到单个设备中。使用BRT可降低系统成本和电路板空间。该
设备被容纳在SOT-23封装是
专为低功率表面贴装应用。
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
采用SOT -23封装，可以使用波焊接或
回流。修改后的鸥翼引线吸收热
焊接时的应力消除的可能性
损坏模具。
可在8毫米压纹卷带包装。使用
设备号订购的7英寸/ 3000单元卷轴。
替换“ T1”与“ T3 ”的设备号命令
13英寸/ 10,000件卷轴
MMUN2111RLT1
MMUN2112RLT1
MMUN2113RLT1
MMUN2114RLT1
MMUN2115RLT1
MMUN2116RLT1
MMUN2130RLT1
MMUN2131RLT1
MMUN2132RLT1
MMUN2133RLT1
MMUN2134RLT1
PNP硅
偏置电阻
晶体管
PIN1
BASE
（输入）
R1
R2
PIN3
集热器
（输出）
1
PIN2
辐射源
（接地）
2
3
CASE 318-08 ，风格6
SOT- 23 （ TO- 236AB ）
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
总功率耗散@ T
A
= 25°C
(1)
减免上述25℃
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
D
价值
50
50
100
200
1.6
价值
625
-65到+150
260
10
单位
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
单位
° C / W
°C
°C
美国证券交易委员会
R2 （ K）
10
22
47
47
热特性
等级
热电阻 - 结到环境（表面贴装）
工作和存储温度范围
最大焊接温度的目的
在焊接洗澡时间
符号
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
T
L
器件标识和电阻值
设备
MMUN2111LT1
MMUN2112LT1
MMUN2113LT1
记号
A6A
A6B
A6C
R1 （ K）
10
22
47
MMUN2114LT1
A6D
10
MMUN2115LT1
(2)
A6E
10
1.装置安装在使用推荐的最低足迹的FR-4玻璃环氧印刷电路板。
2.新设备。更新时间曲线跟随在后面的数据表。
8
Q1–1/7
乐山无线电公司， LTD 。
器件标识和电阻值
（续）
设备
MMUN2116RLT1
(2)
MMUN2130RLT1
(2)
MMUN2131RLT1
(2)
MMUN2132RLT1
(2)
MMUN2133RLT1
(2)
MMUN2134RLT1
(2)
特征
记号
A6F
A6G
A6H
A6J
A6K
A6L
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
R1 （ K）
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
h
FE
50
50
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
V
CE （ SAT ）
80
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
60
100
140
140
250
250
5.0
15
27
140
130
-
MMUN2111RLT1系列
R2 （ K）
1.0
2.2
4.7
47
47
最大
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.25
VDC
VDC
VDC
单位
NADC
NADC
MADC
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
开关特性
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= 50V ，我
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
MMUN2111RLT1
MMUN2112RLT1
MMUN2113RLT1
MMUN2114RLT1
MMUN2115RLT1
MMUN2116RLT1
MMUN2130RLT1
MMUN2131RLT1
MMUN2132RLT1
MMUN2133RLT1
MMUN2134RLT1
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
A,
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压
(3)
(I
C
= 2.0毫安，我
B
=0)
基本特征
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
(3)
MMUN2111RLT1
MMUN2112RLT1
MMUN2113RLT1
MMUN2114RLT1
MMUN2115RLT1
MMUN2116RLT1
MMUN2130RLT1
MMUN2131RLT1
MMUN2132RLT1
MMUN2133RLT1
MMUN2134RLT1
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 10毫安，我
E
=0.3mA)
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 5 mA）的MMUN2130RLT1 MMUN2131RLT1
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1 mA）的MMUN2115RLT1 MMUN2116RLT1
MMUN2132RLT1 MMUN2133RLT1 MMUN2134RLT1
输出电压（上）
(V
CC
=5.0V,V
B
= 2.5V ，R
L
=1.0k)
MMUN2111RLT1
MMUN2112RLT1
MMUN2114RLT1
MMUN2115RLT1
MMUN2116RLT1
MMUN2130RLT1
MMUN2131RLT1
MMUN2132RLT1
MMUN2133RLT1
MMUN2134RLT1
MMUN2113RLT1
V
OL
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8
VDC
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
(V
CC
=5.0V,V
B
= 3.5V ，R
L
= 1.0k)
2.新设备。更新时间曲线跟随在后面的数据表。
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300毫秒，占空比< 2.0 ％
2-446 LRC小信号晶体管， FET和二极管设备数据
Q1–2/7
乐山无线电公司， LTD 。
MMUN2111RLT1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
特征
输出电压（关） （V
CC
= 5.0V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0k)
(V
CC
= 5.0V, V
B
= 0.25 V ，R
L
=1.0k)
MMUN2115RLT1
MMUN2116RLT1
MMUN2131RLT1
MMUN2132RLT1
MMUN2130RLT1
MMUN2111RLT1
MMUN2112RLT1
MMUN2113RLT1
MMUN2114RLT1
MMUN2115RLT1
MMUN2116RLT1
MMUN2130RLT1
MMUN2131RLT1
MMUN2132RLT1
MMUN2133RLT1
MMUN2134RLT1
电阻率MMUN2111RLT1 MMUN2112RLT1 MMUN2113RLT1
MMUN2114RLT1
MMUN2115RLT1 MMUN2116RLT1
MMUN2130RLT1 MMUN2131RLT1 MMUN2132RLT1
MMUN2133RLT1
R
1
/R
2
R
1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
0.8
0.17
—
0.8
0.055
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
1.0
0.21
—
1.0
0.1
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
1.2
0.25
—
1.2
0.185
k
符号
V
OH
民
4.9
典型值
—
最大
—
单位
VDC
(V
CC
=5.0 V,V
B
=0.050V,R
L
=1.0k)
输入电阻
Q1–3/7
