摩托罗拉
半导体技术资料
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通过MMBR5031LT1 / D
射频线
NPN硅
高频三极管
使用表面贴装元件设计用于厚和薄膜电路
并要求低噪声，高增益的频率信号放大到1.0
千兆赫。
高增益 - GPE = 17 dB典型值@ F = 450 MHz的
低噪声 - NF = 2.5 dB典型值@ F = 450 MHz的
可在磁带和卷轴包装选项：
T1后缀= 3000单位每卷
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
最高结温
功耗，温度上限= 75 ° C（ 1 ）
线性降额以上温度上限= 75℃ @
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
TJMAX
PD （最大）
价值
10
15
3.0
20
150
0.300
4.00
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
°C
W
毫瓦/°C的
MMBR5031LT1
射频放大器
晶体管
NPN硅
热特性
特征
储存温度
热阻结到外壳
符号
TSTG
R
θJC
最大
- 55 + 150
250
单位
°C
° C / W
CASE 318-08 ，风格6
SOT–23
低调
(TO–236AA/AB)
器件标识
MMBR5031LT1 = 7G
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ IC = 1.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压（ IC = 0.01 MADC ， IE = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压（IE = 0.01 MADC ， IC = 0 ）
集电极截止电流（ VCB = 6.0伏， IE = 0 ）
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
ICBO
10
15
3.0
—
—
—
—
—
—
—
—
10
VDC
VDC
VDC
NADC
基本特征
直流电流增益（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 6.0 V直流）
的hFE
25
—
300
—
小信号特性
电流增益 - 带宽积
（ IC = 5.0 MADC ， VCE = 6.0伏， F = 100兆赫）
集电极 - 基极电容
（ VCE = 6.0伏， IE = 0 ， F = 0.1兆赫）
最小噪声系数（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 6.0伏， F = 450兆赫）
共发射极放大器的功率增益
（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 6.0伏， F = 450兆赫）
fT
建行
NFmin
GPE
—
—
—
—
1,000
—
2.5
17
—
1.5
—
25
兆赫
pF
dB
dB
注意：
1.Case温度测量集电极引线紧邻包装的主体。
第七版
摩托罗拉RF设备数据
摩托罗拉公司1995年
MMBR5031LT1
1
包装尺寸
A
L
3
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. MAXIUMUM引线厚度INCLUDES
铅涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
B·S
1
2
V
G
C
D
H
K
J
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
英寸
民
最大
0.1102 0.1197
0.0472 0.0551
0.0350 0.0440
0.0150 0.0200
0.0701 0.0807
0.0005 0.0040
0.0034 0.0070
0.0140 0.0285
0.0350 0.0401
0.0830 0.1039
0.0177 0.0236
MILLIMETERS
民
最大
2.80
3.04
1.20
1.40
0.89
1.11
0.37
0.50
1.78
2.04
0.013
0.100
0.085
0.177
0.35
0.69
0.89
1.02
2.10
2.64
0.45
0.60
类型6 ：
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
CASE 318-08
ISSUE AE
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2
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