【三菱半导体<GaAs FET>MGFC40V59645.9 6.4GHz波段10W内部】,IC型号MGFC40V5964,MGFC40V5964 PDF资料,MGFC40V5964经销商,ic,电子元器件-51电子网

三菱半导体<GaAs FET>

MGFC40V5964

5.9 6.4GHz波段10W内部匹配的GaAs FET

描述

该MGFC40V3742是内部阻抗匹配

砷化镓功率FET特别设计用于在5.9 - 6.4

GHz频段amplifiers.The密封的金属陶瓷

封装保证了高可靠性。

外形绘图

单位：毫米（英寸）

24+/-0.3

R1.25

2MIN

(1)

0.6+/-0.15

特点

A类操作

内部匹配50 （欧姆）系统

高输出功率

的P1dB = 10W （典型值） @ F = 5.9 6.4GHz

高功率增益

GLP = 10分贝（ TYP 。） @ F = 5.9 6.4GHz

高功率附加效率

P.A.E. = 30 ％（ TYP 。） @ F = 5.9 6.4GHz

低失真[项目-51 ]

IM3 = -49 dBc的（ TYP 。） @ PO = 29 （ DBM） S.C.L.

R1.2

17.4+/-0.3

8.0+/-0.2

(2)

2MIN

(3)

20.4+/-0.2

2.4+/-0.2

13.4

应用

4.0+/-0.4

项目01 ： 5.9 6.4 GHz频段功率放大器

51项： 5.9 6.4 GHz频段数字无线通信

质量等级

1.4

推荐的偏置条件

VDS = 10 （V）的

ID = 2.4 （ A）

RG = 50 （欧姆）

请参考偏置程序

（ TA = 25 ℃保温）

评级

-15

7.5

-20

42.8

175

-65 / +175

单位

℃保温

GF-18

（ 1 ）： GATE

（ 2 ）： SOURCE （法兰）

（3）：漏极

绝对最大额定值

符号

参数

VGDO

栅漏电压

VGSO

栅极至源极电压

漏电流

IGR

反向栅电流

IGF

正向栅电流

总功耗* 1

总胆固醇

通道温度

TSTG

储存温度

* 1 ：TC = 25 ℃保温

<保持安全第一在你的电路设计！ >

三菱电机公司把最大的精力投入到

制造半导体产品的质量和可靠性，但

总是有麻烦可能与他们发生的可能性。

麻烦半导体可能会导致人身伤害，火灾或

财产损失。记住要充分考虑到安全性

让您的电路设计，配合适当的措施时，

如（1）放置的替代，辅助电路，（2）使用的

针对任何故障不燃材料或（3）的预防

或事故。

电气特性

符号

参数

（ TA = 25 ℃保温）

测试条件

分钟。

-2

39.5

-42

范围

典型值。

4.5

-3

40.5

2.4

-49

马克斯。

-4

3.5

单位

DBM

dBc的

℃保温/ W

IDSS

饱和漏极电流

VDS = 3V ， VGS = 0V

跨

VDS = 3V ，ID = 2.2A

栅极到源截止电压

VGS （关闭）

VDS = 3V ，ID = 40毫安

P1dB

在1分贝增益压缩输出功率

GLP

线性功率增益

VDS = 10V ， ID（ RF关闭） = 2.4A ， F = 5.9 6.4GHz

漏电流

P.A.E.

功率附加效率

IM3

三阶失真IM

RTH （ CH-C ）热电阻

三角洲Vf的方法

* 1 ： -51项， 2音测试， PO =为29dBm单载波级， F = 6.4GHz ，台达F = 10MHz时

* 2 ：通道到外壳

三菱

电

June/2004

0.1

15.8

三菱半导体<GaAs FET>

MGFC40V5964

5.9 6.4GHz波段10W内部匹配的GaAs FET

三菱

电

June/2004

< C波段内部匹配功率GaAs FET >

MGFC40V5964

5.9 - 6.4 GHz频带/ 10W

描述

该MGFC40V5964是内部阻抗匹配

砷化镓功率FET特别设计用于在5.9 - 6.4

GHz频带放大器。气密密封的金属陶瓷

封装保证了高可靠性。

外形绘图

R1.25

2MIN

单位：毫米（英寸）

24+/-0.3

(1)

0.6+/-0.15

R1.2

特点

A类操作

内部匹配50 （欧姆）系统

高输出功率

的P1dB = 10W （典型值） @ F = 5.9 - 6.4GHz

高功率增益

GLP = 10分贝（ TYP 。） @ F = 5.9 - 6.4GHz

高功率附加效率

P.A.E. = 30 ％（ TYP 。） @ F = 5.9 - 6.4GHz

低失真[项目-51 ]

IM3 = -49dBc @宝=为29dBm S.C.L （ TYP 。）

17.4+/-0.3

8.0+/-0.2

(2)

2MIN

(3)

20.4+/-0.2

2.4+/-0.2

应用

质量

4.0+/-0.4

1.4

推荐的偏置条件

VDS=10V

ID=2.4A

RG = 50欧姆参照偏置程序

GF-18

（ 1 ）： GATE

（ 2 ）： SOURCE （法兰）

（3）：漏极

绝对最大额定值

符号

VGDO

VGSO

IGR

IGF

PT * 1

总胆固醇

TSTG

(Ta=25C)

参数

栅漏击穿电压

栅源击穿电压

漏电流

反向栅电流

正向栅电流

总功耗

运河温度

储存温度

评级

-15

7.5

-20

42.8

175

-65到+175

单位

保持安全第一在你的电路设计！

三菱电机公司提出的最大

努力为半导体制造更好的产品

和更可靠的，但总是有

可能故障可能与它们发生。

麻烦半导体可能导致人身

人身伤害，火灾或财产损失。记得给

制作时充分考虑到您的安全

电路设计，配合适当的措施，如

作为替代，辅助电路（I）的位置，

（ⅱ）使用不易燃的材料或（iii）预防

对任何故障或事故。

* 1 ：TC = 25°C

电气特性

符号

IDSS

VGS （关闭）

P1dB

GLP

P.A.E.

IM3 * 2

RTH （ CH-C ） * 3

(Ta=25C)

参数

饱和漏极电流

跨

栅极到源截止电压

在1分贝增益压缩输出功率

测试条件

分钟。

VDS=3V,VGS=0V

VDS=3V,ID=2.2A

VDS=3V,ID=40mA

VDS = 10V ， ID（ RF关闭） = 2.4A

F = 5.9 - 6.4GHz

-2

39.5

-42

三角洲Vf的方法

范围

典型值。

4.5

-3

40.5

2.4

-49

单位

马克斯。

-4

3.5

DBM

dBc的

° C / W

线性功率增益

漏电流

功率附加效率

三阶失真IM

热阻

* 2 ：项目-51 ， 2音测试， PO =为29dBm单载波级， F = 6.4GHz ，三角洲F = 10MHz时

* 3 ：信道情况下的

出版日期： 2011年4月

0.1

项目01 ： 5.9 - 6.4 GHz频段功率放大器

51项： 5.9 - 6.4 GHz频段数字无线通信

13.4

15.8

< C波段内部匹配功率GaAs FET >

MGFC40V5964

5.9 - 6.4 GHz频带/ 10W

保持安全第一在你的电路设计！

三菱电机公司把最大的精力投入到制造半导体产品更好，更

可靠的，但总有麻烦可能会与他们发生的可能性。麻烦半导体

可能导致人身伤害，火灾或财产损失。记住要充分考虑到安全性时，给

让您的电路设计，配合适当的措施，如替代，辅助（一）配售

电路，（ⅱ）使用的针对任何故障或事故不燃材料或（iii）预防。

对于这些材料的注意事项

这些材料的目的是作为一个参考，帮助我们的客户在三菱的选择

半导体产品最适合客户的应用;他们不构成对任何任何许可证

知识产权，或任何其他权利，属于三菱电机公司或第三方。

三菱电机公司不承担任何对任何损害概不负责，或侵权

第三方的权利，对原产于使用任何产品数据，图，表，程序，算法，或

这些材料所含的电路应用实例。

包含在这些资料，包括产品数据，图，表，程序和所有信息

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三菱电机株式会社，恕不另行通知更改由于产品改进或其他原因。它

因此，建议广大客户来电咨询三菱电机公司或其授权

在购买产品前，三菱半导体产品分销商了解最新的产品信息

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电力公司不承担任何损害赔偿，法律责任概不负责，或由这些其他损失上升

不准确或错误。

另请注意公布的三菱电机公司通过各种方式的信息，

包括三菱半导体主页（ http://www.MitsubishiElectric.com/ ）。

当使用任何包含在这些资料，包括产品数据，图形或所有信息，

图表，程序和算法，请务必使前评估的所有信息作为一个整体系统

有关的信息和产品的适用性作出最后决定。三菱电机公司承担

对于任何损害，责任或此处包含的信息所导致的其他损失不承担任何责任。

三菱电机株式会社半导体没有设计或在设备制造中使用或

系统，是在何种情况下人类的生活可能是危在旦夕使用。请联系

三菱电机公司或授权的三菱半导体产品分销商时，

考虑到产品的本文中的任何特定的目的，例如装置或系统中使用

交通，汽车，医疗，航空航天，核能，或海底中继器的使用。

三菱电机公司的事先书面批准，不得翻印或者复制全部或

在部分这些材料。

如果这些产品或技术受日本出口管制的限制，它们必须是

日本政府根据许可证出口，不能导入到比其他国家

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任何转移或再出口违反出口管制法律和日本及/或法规的国家

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请与三菱电机公司或授权的三菱半导体产品分销商

对这些材料的详细信息或其中包含的产品。

出版日期： 2011年4月