飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档顺序号： MM908E626
Rev.4.0 ， 9/2008
集成的步进电机驱动器
带嵌入式MCU和LIN
串行通信
该908E626是一个集成的单封装解决方案，包括
高性能HC08微控制器与
SMARTMOS
TM
模拟控制IC 。在HC08包括闪速存储器，计时器，增强
串行通信接口（ ESCI ），模拟 - 数字转换器
器（ADC） ，串行外围接口（SPI） （仅内部） ，和一个内部
时钟发生器（ICG ）模块。模拟控制芯片提供了充分
保护H桥输出，电压调节器，自治区看门狗，
和本地互连网络（ LIN）物理层。
单封装解决方案，加上LIN ，提供最佳
应用程序性能调整和节省空间的PCB设计。它
非常适用于汽车步进应用，如控制
气候控制和光整平。
特点
高性能M68HC08EY16核心
16K的片上闪存的字节
- 512字节的RAM
内部时钟发生器模块
两个16位双通道定时器
10位模拟数字转换器
四低R
DS （ ON）
半桥输出
13单片机的I / O
无铅封装指定的后缀代码EK
908E626
步进电机驱动器
带嵌入式MCU和LIN
DWB后缀
EK后缀（无铅）
98ARL10519D
54 -PIN SOICWB -EP
订购信息
设备
MM908E626AVEK
MM908E626AVDWB
温度
范围（T
A
)
-40 ° C至115℃
包
54 SOICW
EP
908E626简化应用图
908E626
LIN
VREFH
VDDA
EVDD
VDD
VREFL
VSSA
EVSS
VSS
RST
RST_A
IRQ
IRQ_A
SS
PTB1/AD1
RXD
PTE1/RXD
PTD1/TACH1
FGEN
BEMF
PTD0/TACH0/BEMF
VSUP [1： 3]
HB1
HB2
HB3
HB4
S
N
双极
步
汽车
HVDD
内部切换
V
DD
产量
GND [ 1:2 ] EP
端口A的I / O
端口B的I / O
端口C的I / O
微控制器
端口
图1. 908E626简化应用图
*本文件包含一个新的产品的特定信息。
规格书中信息如有变更，恕不另行通知。
飞思卡尔半导体公司， 2005-2008 。版权所有。
引脚连接
表1. 908E626引脚定义
每个引脚的功能描述可以在功能引脚说明节开始上找到
第14页。
DIE
–
针
14, 21, 22,
28, 33, 35,
36, 37, 39
42
43
48
44
47
45
46
49
50
52
53
54
51
15
16
17
18
19
20
23
26
29
32
24
27
31
25
30
34
38
40
41
EP
引脚名称
NC
正式名称
无连接
未连接。
德网络nition
MCU
MCU
MCU
MCU
MCU
PTE1 / RXD
VREFL
VREFH
VSSA
VDDA
EVSS
EVDD
PTA4/KBD4
PTA3/KBD3
PTA2/KBD2
PTA1/KBD1
PTA0/KBD0
FLSVPP
FGEN
BEMF
RST_A
IRQ_A
端口E的I / O
ADC参考
ADC电源引脚
MCU电源
引脚
端口A的I / O
该引脚是一个特殊的功能，双向I / O端口引脚，可以是
与MCU的其他功能模块共享。
这些管脚是基准电压引脚的模拟 - 数字
转换器（ADC ） 。
这些引脚是电源引脚的模拟 - 数字
转换器。
这些引脚接地和电源引脚。该
MCU采用单电源供电。
这些引脚的特殊功能，双向I / O端口引脚
与MCU的其他功能模块共享。
MCU
类似物
类似物
类似物
类似物
类似物
类似物
类似物
TEST引脚
电流限制
频率输入
返回电磁
力输出
内部复位
内部中断
产量
从选择
LIN总线
半桥输出
仅用于测试目的。不连接的应用程序。
这是输入引脚为半桥电流限制的PWM
频率。
该引脚提供了有关反电动势的用户信息
（ BEMF ） 。
该引脚是模拟芯片的双向复位引脚。
该引脚是模拟芯片的中断输出引脚指示错误
或唤醒事件。
该引脚为SPI从机选择引脚的模拟芯片。
该引脚代表单线总线发送器和接收器。
该器件包括配置为4个半桥功率MOSFET
驱动器输出。这些输出可以用于步进电机进行配置
驱动器，DC电机驱动器，或高侧和低侧开关。
这些引脚器件的电源引脚。
SS
LIN
HB1
HB2
HB3
HB4
VSUP1
VSUP2
VSUP3
GND1
GND2
HVDD
VDD
VSS
RXD
裸露焊盘
类似物
电源引脚
类似物
类似物
类似物
类似物
类似物
–
电源接地引脚
切换V
DD
产量
稳压器
产量
稳压器
地
LIN收发器
产量
裸露焊盘
这些引脚器件的电源接地连接。
该引脚可切换V
DD
输出，用于驱动阻性负载
需要一个5.0V稳压电源;例如，3个销霍尔效应传感器。
在+ 5.0V的电压调节器的输出引脚的目的是提供
嵌入式微控制器。
接地引脚的所有非电源接地连接的连接
（微控制器和传感器） 。
该管脚为LIN收发器的输出。
在封装行为的底侧露出的垫销
热量从芯片到PCB板上。
908E626
4
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
电气特性
最大额定值
电气特性
最大额定值
表2.最大额定值
所有电压都是相对于地，除非另有说明。超过任一引脚的限制可能会造成永久性损坏
该设备。
等级
电气额定值
电源电压
模拟芯片在正常工作时电源电压（稳态
状态）
瞬态工况模拟芯片电源电压
(1)
微控制器芯片电源电压
输入引脚电压
模拟芯片
微控制器芯片
每个引脚微控制器的最大电流
所有引脚除VDD，VSS ， PTA0 ： PTA6 ， PTC0 ： PTC1
销PTA0 ： PTA6 ， PTC0 ： PTC1
最大微控制器V
SS
输出电流
最大微控制器V
DD
输入电流
LIN电源电压
正常运行（稳态）
瞬态条件
ESD电压
人体模型
(2)
机器型号
(3)
充电器型号
(4)
热额定值
储存温度
工作温度
(5)
工作结温
(6)
峰值包回流温度在焊接安装
(7)
T
英镑
T
C
T
J
T
SOLDER
- 40150
- 40 115
- 40 135
245
°C
°C
°C
°C
V
ESD1
V
ESD2
V
ESD3
± 3000
± 150
± 500
(1)
符号
价值
单位
V
V
SUP （
SS
)
V
SUP （
PK
)
V
DD
- 0.3 28
- 0.3 40
- 0.3 6.0
V
V
IN
（ ANALOG ）
V
IN
（MCU）的
I
针
(1)
I
针
(2)
I
MVSS
I
MVDD
- 0.3 5.5
V
SS
- 0.3 V
DD
+ 0.3
mA
±15
± 25
100
100
mA
mA
V
V
BUS （ SS ）
V
总线（动态）
-18到28
40
V
笔记
1.瞬变能力与叔< 0.5秒的时间内的脉冲。
2. ESD1测试是按照人体模型进行（C
ZAP
= 100pF电容，R
ZAP
= 1500Ω).
3.
4.
5.
6.
7.
ESD2测试是根据机器型号进行（C
ZAP
= 200pF的，R
ZAP
= 0Ω).
ESD3测试是按照充电设备型号进行，机器人（C
ZAP
= 4.0pF ） 。
限制因素是结点温度，考虑到电力消耗，耐热性，和散热。
模拟和MCU的模具中的温度是通过包密切相关，但可在动态负载条件的不同，通常是因为
在模拟模具的较高功耗。模拟模具温度不得超过150℃，在此条件下
引脚焊接温度为10秒最长持续时间。设计不适用于浸渍钎焊。超过这些限制可能
造成故障或设备造成永久性损坏。
908E626
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档顺序号： MM908E626
修订版5.0 ， 7/2009
集成的步进电机驱动器
带嵌入式MCU和LIN
串行通信
该908E626是一个集成的单封装解决方案，包括
高性能HC08微控制器与
SMARTMOS
TM
模拟控制IC 。在HC08包括闪速存储器，计时器，增强
串行通信接口（ ESCI ），模拟 - 数字转换器
器（ADC） ，串行外围接口（SPI） （仅内部） ，和一个内部
时钟发生器（ICG ）模块。模拟控制芯片提供了充分
保护H桥输出，电压调节器，自治区看门狗，
和本地互连网络（ LIN）物理层。
单封装解决方案，加上LIN ，提供最佳
应用程序性能调整和节省空间的PCB设计。它
非常适用于汽车步进应用，如控制
气候控制和光整平。
特点
高性能M68HC08EY16核心
16K的片上闪存的字节
- 512字节的RAM
内部时钟发生器模块
两个16位双通道定时器
10位模拟数字转换器
四低R
DS （ ON）
半桥输出
13单片机的I / O
无铅封装指定的后缀代码EK
908E626
步进电机驱动器
带嵌入式MCU和LIN
DWB后缀
EK后缀（无铅）
98ARL10519D
54 -PIN SOICWB -EP
订购信息
设备
MM908E626AVEK
MM908E626AVDWB
温度
范围（T
A
)
-40 ° C至115℃
包
54 SOICW
EP
908E626简化应用图
908E626
LIN
VREFH
VDDA
EVDD
VDD
VREFL
VSSA
EVSS
VSS
RST
RST_A
IRQ
IRQ_A
SS
PTB1/AD1
RXD
PTE1/RXD
PTD1/TACH1
FGEN
BEMF
PTD0/TACH0/BEMF
VSUP [1： 3]
HB1
HB2
HB3
HB4
S
N
双极
步
汽车
HVDD
内部切换
V
DD
产量
GND [ 1:2 ] EP
端口A的I / O
端口B的I / O
端口C的I / O
微控制器
端口
图1. 908E626简化应用图
*本文件包含一个新的产品的特定信息。
规格书中信息如有变更，恕不另行通知。
飞思卡尔半导体公司， 2005-2009 。版权所有。
引脚连接
表1. 908E626引脚定义
每个引脚的功能描述可以在功能引脚说明节开始上找到
第14页。
DIE
–
针
14, 21, 22,
28, 33, 35,
36, 37, 39
42
43
48
44
47
45
46
49
50
52
53
54
51
15
16
17
18
19
20
23
26
29
32
24
27
31
25
30
34
38
40
41
EP
引脚名称
NC
正式名称
无连接
未连接。
德网络nition
MCU
MCU
MCU
MCU
MCU
PTE1 / RXD
VREFL
VREFH
VSSA
VDDA
EVSS
EVDD
PTA4/KBD4
PTA3/KBD3
PTA2/KBD2
PTA1/KBD1
PTA0/KBD0
FLSVPP
FGEN
BEMF
RST_A
IRQ_A
端口E的I / O
ADC参考
ADC电源引脚
MCU电源
引脚
端口A的I / O
该引脚是一个特殊的功能，双向I / O端口引脚，可以是
与MCU的其他功能模块共享。
这些管脚是基准电压引脚的模拟 - 数字
转换器（ADC ） 。
这些引脚是电源引脚的模拟 - 数字
转换器。
这些引脚接地和电源引脚。该
MCU采用单电源供电。
这些引脚的特殊功能，双向I / O端口引脚
与MCU的其他功能模块共享。
MCU
类似物
类似物
类似物
类似物
类似物
类似物
类似物
TEST引脚
电流限制
频率输入
返回电磁
力输出
内部复位
内部中断
产量
从选择
LIN总线
半桥输出
仅用于测试目的。不连接的应用程序。
这是输入引脚为半桥电流限制的PWM
频率。
该引脚提供了有关反电动势的用户信息
（ BEMF ） 。
该引脚是模拟芯片的双向复位引脚。
该引脚是模拟芯片的中断输出引脚指示错误
或唤醒事件。
该引脚为SPI从机选择引脚的模拟芯片。
该引脚代表单线总线发送器和接收器。
该器件包括配置为4个半桥功率MOSFET
驱动器输出。这些输出可以用于步进电机进行配置
驱动器，DC电机驱动器，或高侧和低侧开关。
这些引脚器件的电源引脚。
SS
LIN
HB1
HB2
HB3
HB4
VSUP1
VSUP2
VSUP3
GND1
GND2
HVDD
VDD
VSS
RXD
裸露焊盘
类似物
电源引脚
类似物
类似物
类似物
类似物
类似物
–
电源接地引脚
切换V
DD
产量
稳压器
产量
稳压器
地
LIN收发器
产量
裸露焊盘
这些引脚器件的电源接地连接。
该引脚可切换V
DD
输出，用于驱动阻性负载
需要一个5.0V稳压电源;例如，3个销霍尔效应传感器。
在+ 5.0V的电压调节器的输出引脚的目的是提供
嵌入式微控制器。
接地引脚的所有非电源接地连接的连接
（微控制器和传感器） 。
该管脚为LIN收发器的输出。
在封装行为的底侧露出的垫销
热量从芯片到PCB板上。
908E626
4
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
电气特性
最大额定值
电气特性
最大额定值
表2.最大额定值
所有电压都是相对于地，除非另有说明。超过任一引脚的限制可能会造成永久性损坏
该设备。
等级
电气额定值
电源电压
模拟芯片在正常工作时电源电压（稳态
状态）
瞬态工况模拟芯片电源电压
(1)
微控制器芯片电源电压
输入引脚电压
模拟芯片
微控制器芯片
每个引脚微控制器的最大电流
所有引脚除VDD，VSS ， PTA0 ： PTA6 ， PTC0 ： PTC1
销PTA0 ： PTA6 ， PTC0 ： PTC1
最大微控制器V
SS
输出电流
最大微控制器V
DD
输入电流
LIN电源电压
正常运行（稳态）
瞬态条件
ESD电压
人体模型
(2)
机器型号
(3)
充电器型号
(4)
热额定值
储存温度
工作温度
(5)
工作结温
(6)
峰值包回流温度在焊接安装
(7)
T
英镑
T
C
T
J
T
SOLDER
- 40150
- 40 115
- 40 135
245
°C
°C
°C
°C
V
ESD1
V
ESD2
V
ESD3
± 3000
± 150
± 500
(1)
符号
价值
单位
V
V
SUP （
SS
)
V
SUP （
PK
)
V
DD
- 0.3 28
- 0.3 40
- 0.3 6.0
V
V
IN
（ ANALOG ）
V
IN
（MCU）的
I
针
(1)
I
针
(2)
I
MVSS
I
MVDD
- 0.3 5.5
V
SS
- 0.3 V
DD
+ 0.3
mA
±15
± 25
100
100
mA
mA
V
V
BUS （ SS ）
V
总线（动态）
-18到28
40
V
笔记
1.瞬变能力与叔< 0.5秒的时间内的脉冲。
2. ESD1测试是按照人体模型进行（C
ZAP
= 100pF电容，R
ZAP
= 1500Ω).
3.
4.
5.
6.
7.
ESD2测试是根据机器型号进行（C
ZAP
= 200pF的，R
ZAP
= 0Ω).
ESD3测试是按照充电设备型号进行，机器人（C
ZAP
= 4.0pF ） 。
限制因素是结点温度，考虑到电力消耗，耐热性，和散热。
模拟和MCU的模具中的温度是通过包密切相关，但可在动态负载条件的不同，通常是因为
在模拟模具的较高功耗。模拟模具温度不得超过150℃，在此条件下
引脚焊接温度为10秒最长持续时间。设计不适用于浸渍钎焊。超过这些限制可能
造成故障或设备造成永久性损坏。
908E626
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
QQ：2880707522 复制
