M39432
单芯片4兆位闪存和
256 Kbit的EEPROM并行
s
在一个单芯片多回忆：
- 4兆位闪存（组织成8个扇区）
- 256 Kbit的EEPROM
- 64字节的一次性可编程存储器
s
并发模式（读Flash ，而
写入EEPROM）
写，编程和擦除状态位
2.7V至3.6V单电源电压
编程，擦除和读取操作
100 ns的访问时间（ Flash和EEPROM
块）
低功耗
– 60
A
待机模式（最大）
- 深度掉电模式：
6
A
（最大值） ， 200 nA（典型值）
TSOP40 （ NC ）
10 ×20mm的
s
s
s
s
s
s
s
标准闪存封装
100000擦除/写周期（最小）
10年的数据保存（最低）
描述
该M39432是一款单电源电压内存
设备相结合闪存和EEPROM
单个芯片中。该存储器被映射在2
表1.信号名称
A0-A18
DQ0-DQ7
EE
EF
G
W
R / B
V
CC
V
SS
地址输入
数据输入/输出
图1.逻辑图
VCC
19
A0-A18
W
8
DQ0-DQ7
EEPROM模块启用
EE
闪存区块启用
OUTPUT ENABLE
写使能
READY / BUSY输出
电源电压
地
M39432
R / B
EF
G
VSS
AI01946
1999年11月
1/28
M39432
图2. TSOP连接
NC
NC
A11
A9
A8
A13
A14
A17
W
VCC
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
NC
NC
1
40
NC
EE
G
A10
EF
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
R / B
NC
10
11
M39432
31
30
该M39432 EEPROM模块可以被写
按字节或由一个页面的时间（最多64个字节）。
中的数据的完整性可与固定
软件数据保护（ SDP ）的帮助。
该M39432闪存模块提供8个部门，
每一个64K字节的大小。每个扇区可
单独擦除，编程，和一个字节
时间。每个扇区可分别保护和
对未受保护的编程和擦除。扇形
擦除可被暂停，而数据的读出
从闪存块的其他部门（或
从EEPROM模块） ，然后重新开始。该
快闪记忆体块与功能兼容
该M29W040 （ 4兆位单电压闪存
存储器） 。
在编程或擦除周期在Flash
存储器或在写周期期间，在EEPROM中，
在M39432内部逻辑的状态，可以读
在数据输出引脚DQ7 ， DQ6 ， DQ5和
DQ3.
信号说明
地址输入（ A0 - A18 ）
的地址输入，用于对存储器阵列是
在写入操作期间被锁存。该EEPROM
块被选择的EE的输入，和闪存
内存块的EF输入。 A0- A14接入
在EEPROM模块的位置; A0 -A18接入
地点在闪存块。
当V
ID
（如表11中指定）被施加于
经A9地址输入，附加设备专用的
信息可被访问：
- 阅读制造商标识
- 读取闪存块标识符
- 读/写EEPROM块标识符
- 验证闪存扇区保护状态。
20
21
AI01947
注：1， NC =不连接。
块： 4兆位闪存和256千比特的
EEPROM 。每块独立运作
在写周期：在并发模式下，
闪存可以被读取，而EEPROM是
被写入。
还有的OTP的一个64字节的行（一次性
可编程） EPROM 。
表2.绝对最大额定值
符号
T
A
T
BIAS 1
T
STG 1
V
IO 1,2
V
CC 1
参数
工作环境温度
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压（除A9 ）
电源电压
价值
-40到85
-50至125
-65到150
-0.6 7
-0.6 7
-0.6至13.5
单位
°C
°C
°C
V
V
V
V
A9
, V
G
, V
EF 1,2
A9 ， G和EF电压
注： 1.强调上述这些，可能会对设备造成永久性损坏。这些压力额定值的设备，只有经营
在这些或超出本规范的经营部门所标明的其他条件是不是暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。请参阅意法半导体SURE
计划和其他有关质量文件。
2.最小电压可能下冲为-2伏，在过渡和小于20纳秒。
2/28
M39432
图3.闪存区块行业
A18
1
1
1
1
0
0
0
0
AI01362B
A17
1
1
0
0
1
1
0
0
A16
1
0
1
0
1
0
1
0
64K字节块
64K字节块
64K字节块
64K字节块
64K字节块
顶部
地址
7FFFFh
6FFFFh
5FFFFh
4FFFFh
3FFFFh
2FFFFh
1FFFFh
0FFFFh
底部
地址
70000h
60000h
50000h
40000h
30000h
20000h
10000h
00000h
数据输入/输出（ DQ0 - DQ7 ）
在写操作中，一个数据字节被锁存
到时写使能（ W）器件和一个
芯片使能（ EF或EE ）被拉低。
在读操作时，输出呈现在
这些引脚有效时，输出使能（ G）和
一个芯片使能（ EF或EE ）被拉低。该
输出为高阻抗时，该芯片是
取消选择（包括EE和EF驱动为高电平）或
输出被禁止（G驱动的高点） 。
读操作被用来输出：
- 在闪存块字节
- 在EEPROM块字节
- 制造商标识
- 闪存扇区保护状态
- 闪存块标识符
- EEPROM的标识符
- 在OTP行。
芯片使能（ EE和EF ）
每个芯片使能（ EE或EF ）导致内存
控制逻辑，输入缓冲器，解码器和感
放大器被激活。当EE输入
驱动为高时，EEPROM存储器块是不
选择;当EF输入驱动为高电平时，
闪存的块没有被选中。尝试
访问EEPROM和闪存区块（ EE低
和EF低）是被禁止的。之间的切换
两家芯片使能（ EE和EF ）不能进行
在同一个时钟周期，更大的延迟比
t
EHFL
必须发生。
在M39432是在待机模式时，这两个EF
和EE高（当没有内部擦除或
编程周期运行） 。电源
消耗减少到待机水平和
输出处于高电平状态保持独立
输出使能（ G）或写使能（W ）
输入。
之后150纳秒的不活动，且这些地址时
自动驱动CMOS电平，芯片
进入伪待机模式。动力
消耗减少到CMOS待用
水平，而产出继续驱动总线。
输出使能（ G）
输出使能门通过输出
读操作过程中的数据缓冲区。数据
输出悬空在其高阻抗
状态时，输出使能（G ）为高。
在扇区保护（图8）和部门
撤消（图9）的操作（用于Flash
只有内存块） ，对G输入必须在举行
V
ID
（如表11中指定） 。
写使能（ W）
地址锁存W的下降沿，
和数据输入被锁存的上升沿
W.
就绪/忙（ R / B）
当EEPROM块是一家从事
内部写周期，就绪/忙输出显示
该设备的状态：
- R / B为0时，写周期正在进行中
- R / B为Hi -Z时，没有写周期正在进行中
就绪/忙脚不显示的状态
编程或擦除周期中的闪存。
该引脚可用于显示的状态
EEPROM模块，读取数据，即使（或
从Flash存储器中取出指令）
块。
3/28
M39432
表3.操作
手术
读
V
IH
V
IL
写
V
IH
V
IL
输出禁用
V
IH
待用
注：1，X = V
IH
或V
IL
.
EF
V
IL
EE
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
G
V
IL
W
V
IH
DQ0 - DQ7
从Flash块读
从EEPROM中读取座
写入闪存模块
V
IH
V
IL
写入EEPROM模块
V
IH
X
X
X
高阻
高阻
V
IH
这个开漏输出可线或采用
一个外部上拉电阻，当几个M39xxx
设备一起使用。
V
CC
电源电压
在V
CC
电源电压提供电源的
该设备。该M39432无法写入时
在V
CC
电源电压小于所述锁定
电压，V
LKO
。这可以防止总线写操作
意外损坏电源中的数据
起来，功率下降，在电源浪涌。
一个100 nF电容应连接之间
在V
CC
电源电压引脚和V
SS
地
销，以从电源解耦的电流浪涌
供应量。在PCB走线宽度必须足以
携带在程序所需的电流和
擦除操作。
V
SS
地
在V
SS
理由是所有电压参考
测量。
设备操作
在M39432存储器设备通过19寻址
输入（ A0 - A18 ），并进行8数据输入数据/
输出（ DQ0 - DQ7 ） 。还有其他四个控制
输入：芯片使能EEPROM （ EE ） ，芯片使能
快闪记忆体（ EF ） ，输出使能（E ）和写
使能（ W）上。
该芯片使能使用输入（ EF或EE ）
主要用于电源控制（将芯片与
关）和块选择（选择
EEPROM块或闪存块） 。该
数据选通到DQ0 - DQ7引脚应
使用输出使能输入（ G）进行控制。
该设备的许可操作模式是
在表3中列出。
读
对于读操作时，输出使能（ G）和
一个芯片使能（ EF或EE ）必须驱动为低电平。
正如前面的页面上，阅读操作
用来读的内容：
- 在闪存块字节
- 在EEPROM块字节
- 制造商标识
- 闪存扇区保护状态
- 闪存块标识符
- EEPROM的标识符
- 在OTP行。
对之间进行选择的指令序列
这些区域被概括在表4中。
写
写数据需要：
- 芯片使能（无论是电子工程或EF ）要低
- 写使能（ W）为低，输出
使能（ G）为高。
在闪存块地址（或
EEPROM块）被锁存，下降沿
W或取其后来发生EF （或EE ） 。该
数据被写入到闪存中的块（或
EEPROM块）被锁定在W的上升沿
或以先到为准EF （或EE ） 。
写操作采用的是两种情况：
- 将数据写入到EEPROM存储器块
- 输入字节序列组成
1的表4中示出的指令。
闪存存储器的一个字节的编程
涉及这些指令之一（如上述
一节题为此页上的“说明” ） 。
具体的读写操作
设备的特定信息包括以下内容：
- 阅读制造商标识
- 读取设备标识符
- 定义闪存扇区保护
- 读EEPROM标识符
- 写EEPROM标识符
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M39432
表4.使用说明
1
指令
读
生产厂家
识别码
2
阅读闪存
识别码
2
阅读OTP行
阅读行业
保护状态
2
程序的字节
FL灰内存
擦除一个扇区
FL灰内存
擦除整个
快闪记忆体的
暂停业
抹去
恢复行业
抹去
EEPROM电源
下
深层动力
下
SDP启用
（EEPROM）中
SDP禁用
（EEPROM）中
写OTP行
返回（从OTP
读或
EEPROM电源
下）
RESET
EE EF
1
0
循环1
AAH
@5555h
AAH
@5555h
AAH
@5555h
AAH
@5555h
AAH
@5555h
AAH
@5555h
AAH
@5555h
B0h
@any
地址
30h
@any
地址
AAH
@5555h
20h
@5555h
AAH
@5555h
AAH
@5555h
AAH
@5555h
F0h
@any
地址
AAH
@5555h
F0h
@any
地址
55h
@2AAAh
F0h
@any
地址
55h
@2AAAh
55h
@2AAAh
55h
@2AAAh
A0h
@5555h
80h
@5555h
B0h
@5555h
写
1个字节
AAH
@5555h
写
1个字节
写
2字节
55h
@2AAAh
写
2字节
20h
@5555h
写
字节n
写
字节n
55h
@2AAAh
30h
@5555h
周期2
55h
@2AAAh
55h
@2AAAh
55h
@2AAAh
55h
@2AAAh
55h
@2AAAh
55h
@2AAAh
55h
@2AAAh
周期3
90h
@5555h
90h
@5555h
90h
@5555h
90h
@5555h
A0h
@5555h
80h
@5555h
80h
@5555h
周期4
读取识别
用（ A0，A1， A6）
设置为（0,0,0）
读取识别
用（ A0，A1， A6）
设置为（ 1,0,0 ）
读
1个字节
读取识别
用（ A0，A1， A6）
设置为（ 0,1,0）
数据
@地址
AAH
@5555h
AAH
@5555h
30h
55h
@部门
@2AAAh
地址
55h
@2AAAh
10h
@5555h
30h
@部门
地址
3
读
2字节
读
字节n
周期5
周期6
周期7
1
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
0
1
0
0
0
1
0
1
1
1
0
1
1
0
复位（短
指令）
1
0
注： 1。将AAh @ 5555H的意思是“写在地址5555H的价值和AAh ” 。
2.此指令还可以与A9 = V验证操作进行
ID
（请参阅题为“闪光扇区保护节
和unprotection的“第18页） 。
的附加扇区被擦除3.地址必须在超时80中输入
s
的对方。
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M39432
单芯片4兆位闪存和
256 Kbit的EEPROM并行
s
在一个单芯片多回忆：
- 4兆位闪存（组织成8个扇区）
- 256 Kbit的EEPROM
- 64字节的一次性可编程存储器
s
并发模式（读Flash ，而
写入EEPROM）
写，编程和擦除状态位
2.7V至3.6V单电源电压
编程，擦除和读取操作
100 ns的访问时间（ Flash和EEPROM
块）
低功耗
– 60
A
待机模式（最大）
- 深度掉电模式：
6
A
（最大值） ， 200 nA（典型值）
TSOP40 （ NC ）
10 ×20mm的
s
s
s
s
s
s
s
标准闪存封装
100000擦除/写周期（最小）
10年的数据保存（最低）
描述
该M39432是一款单电源电压内存
设备相结合闪存和EEPROM
单个芯片中。该存储器被映射在2
表1.信号名称
A0-A18
DQ0-DQ7
EE
EF
G
W
R / B
V
CC
V
SS
地址输入
数据输入/输出
图1.逻辑图
VCC
19
A0-A18
W
8
DQ0-DQ7
EEPROM模块启用
EE
闪存区块启用
OUTPUT ENABLE
写使能
READY / BUSY输出
电源电压
地
M39432
R / B
EF
G
VSS
AI01946
1999年11月
1/28
M39432
图2. TSOP连接
NC
NC
A11
A9
A8
A13
A14
A17
W
VCC
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
NC
NC
1
40
NC
EE
G
A10
EF
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
R / B
NC
10
11
M39432
31
30
该M39432 EEPROM模块可以被写
按字节或由一个页面的时间（最多64个字节）。
中的数据的完整性可与固定
软件数据保护（ SDP ）的帮助。
该M39432闪存模块提供8个部门，
每一个64K字节的大小。每个扇区可
单独擦除，编程，和一个字节
时间。每个扇区可分别保护和
对未受保护的编程和擦除。扇形
擦除可被暂停，而数据的读出
从闪存块的其他部门（或
从EEPROM模块） ，然后重新开始。该
快闪记忆体块与功能兼容
该M29W040 （ 4兆位单电压闪存
存储器） 。
在编程或擦除周期在Flash
存储器或在写周期期间，在EEPROM中，
在M39432内部逻辑的状态，可以读
在数据输出引脚DQ7 ， DQ6 ， DQ5和
DQ3.
信号说明
地址输入（ A0 - A18 ）
的地址输入，用于对存储器阵列是
在写入操作期间被锁存。该EEPROM
块被选择的EE的输入，和闪存
内存块的EF输入。 A0- A14接入
在EEPROM模块的位置; A0 -A18接入
地点在闪存块。
当V
ID
（如表11中指定）被施加于
经A9地址输入，附加设备专用的
信息可被访问：
- 阅读制造商标识
- 读取闪存块标识符
- 读/写EEPROM块标识符
- 验证闪存扇区保护状态。
20
21
AI01947
注：1， NC =不连接。
块： 4兆位闪存和256千比特的
EEPROM 。每块独立运作
在写周期：在并发模式下，
闪存可以被读取，而EEPROM是
被写入。
还有的OTP的一个64字节的行（一次性
可编程） EPROM 。
表2.绝对最大额定值
符号
T
A
T
BIAS 1
T
STG 1
V
IO 1,2
V
CC 1
参数
工作环境温度
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压（除A9 ）
电源电压
价值
-40到85
-50至125
-65到150
-0.6 7
-0.6 7
-0.6至13.5
单位
°C
°C
°C
V
V
V
V
A9
, V
G
, V
EF 1,2
A9 ， G和EF电压
注： 1.强调上述这些，可能会对设备造成永久性损坏。这些压力额定值的设备，只有经营
在这些或超出本规范的经营部门所标明的其他条件是不是暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。请参阅意法半导体SURE
计划和其他有关质量文件。
2.最小电压可能下冲为-2伏，在过渡和小于20纳秒。
2/28
M39432
图3.闪存区块行业
A18
1
1
1
1
0
0
0
0
AI01362B
A17
1
1
0
0
1
1
0
0
A16
1
0
1
0
1
0
1
0
64K字节块
64K字节块
64K字节块
64K字节块
64K字节块
顶部
地址
7FFFFh
6FFFFh
5FFFFh
4FFFFh
3FFFFh
2FFFFh
1FFFFh
0FFFFh
底部
地址
70000h
60000h
50000h
40000h
30000h
20000h
10000h
00000h
数据输入/输出（ DQ0 - DQ7 ）
在写操作中，一个数据字节被锁存
到时写使能（ W）器件和一个
芯片使能（ EF或EE ）被拉低。
在读操作时，输出呈现在
这些引脚有效时，输出使能（ G）和
一个芯片使能（ EF或EE ）被拉低。该
输出为高阻抗时，该芯片是
取消选择（包括EE和EF驱动为高电平）或
输出被禁止（G驱动的高点） 。
读操作被用来输出：
- 在闪存块字节
- 在EEPROM块字节
- 制造商标识
- 闪存扇区保护状态
- 闪存块标识符
- EEPROM的标识符
- 在OTP行。
芯片使能（ EE和EF ）
每个芯片使能（ EE或EF ）导致内存
控制逻辑，输入缓冲器，解码器和感
放大器被激活。当EE输入
驱动为高时，EEPROM存储器块是不
选择;当EF输入驱动为高电平时，
闪存的块没有被选中。尝试
访问EEPROM和闪存区块（ EE低
和EF低）是被禁止的。之间的切换
两家芯片使能（ EE和EF ）不能进行
在同一个时钟周期，更大的延迟比
t
EHFL
必须发生。
在M39432是在待机模式时，这两个EF
和EE高（当没有内部擦除或
编程周期运行） 。电源
消耗减少到待机水平和
输出处于高电平状态保持独立
输出使能（ G）或写使能（W ）
输入。
之后150纳秒的不活动，且这些地址时
自动驱动CMOS电平，芯片
进入伪待机模式。动力
消耗减少到CMOS待用
水平，而产出继续驱动总线。
输出使能（ G）
输出使能门通过输出
读操作过程中的数据缓冲区。数据
输出悬空在其高阻抗
状态时，输出使能（G ）为高。
在扇区保护（图8）和部门
撤消（图9）的操作（用于Flash
只有内存块） ，对G输入必须在举行
V
ID
（如表11中指定） 。
写使能（ W）
地址锁存W的下降沿，
和数据输入被锁存的上升沿
W.
就绪/忙（ R / B）
当EEPROM块是一家从事
内部写周期，就绪/忙输出显示
该设备的状态：
- R / B为0时，写周期正在进行中
- R / B为Hi -Z时，没有写周期正在进行中
就绪/忙脚不显示的状态
编程或擦除周期中的闪存。
该引脚可用于显示的状态
EEPROM模块，读取数据，即使（或
从Flash存储器中取出指令）
块。
3/28
M39432
表3.操作
手术
读
V
IH
V
IL
写
V
IH
V
IL
输出禁用
V
IH
待用
注：1，X = V
IH
或V
IL
.
EF
V
IL
EE
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
G
V
IL
W
V
IH
DQ0 - DQ7
从Flash块读
从EEPROM中读取座
写入闪存模块
V
IH
V
IL
写入EEPROM模块
V
IH
X
X
X
高阻
高阻
V
IH
这个开漏输出可线或采用
一个外部上拉电阻，当几个M39xxx
设备一起使用。
V
CC
电源电压
在V
CC
电源电压提供电源的
该设备。该M39432无法写入时
在V
CC
电源电压小于所述锁定
电压，V
LKO
。这可以防止总线写操作
意外损坏电源中的数据
起来，功率下降，在电源浪涌。
一个100 nF电容应连接之间
在V
CC
电源电压引脚和V
SS
地
销，以从电源解耦的电流浪涌
供应量。在PCB走线宽度必须足以
携带在程序所需的电流和
擦除操作。
V
SS
地
在V
SS
理由是所有电压参考
测量。
设备操作
在M39432存储器设备通过19寻址
输入（ A0 - A18 ），并进行8数据输入数据/
输出（ DQ0 - DQ7 ） 。还有其他四个控制
输入：芯片使能EEPROM （ EE ） ，芯片使能
快闪记忆体（ EF ） ，输出使能（E ）和写
使能（ W）上。
该芯片使能使用输入（ EF或EE ）
主要用于电源控制（将芯片与
关）和块选择（选择
EEPROM块或闪存块） 。该
数据选通到DQ0 - DQ7引脚应
使用输出使能输入（ G）进行控制。
该设备的许可操作模式是
在表3中列出。
读
对于读操作时，输出使能（ G）和
一个芯片使能（ EF或EE ）必须驱动为低电平。
正如前面的页面上，阅读操作
用来读的内容：
- 在闪存块字节
- 在EEPROM块字节
- 制造商标识
- 闪存扇区保护状态
- 闪存块标识符
- EEPROM的标识符
- 在OTP行。
对之间进行选择的指令序列
这些区域被概括在表4中。
写
写数据需要：
- 芯片使能（无论是电子工程或EF ）要低
- 写使能（ W）为低，输出
使能（ G）为高。
在闪存块地址（或
EEPROM块）被锁存，下降沿
W或取其后来发生EF （或EE ） 。该
数据被写入到闪存中的块（或
EEPROM块）被锁定在W的上升沿
或以先到为准EF （或EE ） 。
写操作采用的是两种情况：
- 将数据写入到EEPROM存储器块
- 输入字节序列组成
1的表4中示出的指令。
闪存存储器的一个字节的编程
涉及这些指令之一（如上述
一节题为此页上的“说明” ） 。
具体的读写操作
设备的特定信息包括以下内容：
- 阅读制造商标识
- 读取设备标识符
- 定义闪存扇区保护
- 读EEPROM标识符
- 写EEPROM标识符
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M39432
表4.使用说明
1
指令
读
生产厂家
识别码
2
阅读闪存
识别码
2
阅读OTP行
阅读行业
保护状态
2
程序的字节
FL灰内存
擦除一个扇区
FL灰内存
擦除整个
快闪记忆体的
暂停业
抹去
恢复行业
抹去
EEPROM电源
下
深层动力
下
SDP启用
（EEPROM）中
SDP禁用
（EEPROM）中
写OTP行
返回（从OTP
读或
EEPROM电源
下）
RESET
EE EF
1
0
循环1
AAH
@5555h
AAH
@5555h
AAH
@5555h
AAH
@5555h
AAH
@5555h
AAH
@5555h
AAH
@5555h
B0h
@any
地址
30h
@any
地址
AAH
@5555h
20h
@5555h
AAH
@5555h
AAH
@5555h
AAH
@5555h
F0h
@any
地址
AAH
@5555h
F0h
@any
地址
55h
@2AAAh
F0h
@any
地址
55h
@2AAAh
55h
@2AAAh
55h
@2AAAh
A0h
@5555h
80h
@5555h
B0h
@5555h
写
1个字节
AAH
@5555h
写
1个字节
写
2字节
55h
@2AAAh
写
2字节
20h
@5555h
写
字节n
写
字节n
55h
@2AAAh
30h
@5555h
周期2
55h
@2AAAh
55h
@2AAAh
55h
@2AAAh
55h
@2AAAh
55h
@2AAAh
55h
@2AAAh
55h
@2AAAh
周期3
90h
@5555h
90h
@5555h
90h
@5555h
90h
@5555h
A0h
@5555h
80h
@5555h
80h
@5555h
周期4
读取识别
用（ A0，A1， A6）
设置为（0,0,0）
读取识别
用（ A0，A1， A6）
设置为（ 1,0,0 ）
读
1个字节
读取识别
用（ A0，A1， A6）
设置为（ 0,1,0）
数据
@地址
AAH
@5555h
AAH
@5555h
30h
55h
@部门
@2AAAh
地址
55h
@2AAAh
10h
@5555h
30h
@部门
地址
3
读
2字节
读
字节n
周期5
周期6
周期7
1
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
0
1
0
0
0
1
0
1
1
1
0
1
1
0
复位（短
指令）
1
0
注： 1。将AAh @ 5555H的意思是“写在地址5555H的价值和AAh ” 。
2.此指令还可以与A9 = V验证操作进行
ID
（请参阅题为“闪光扇区保护节
和unprotection的“第18页） 。
的附加扇区被擦除3.地址必须在超时80中输入
s
的对方。
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