MM54HC283 MM74HC283 4位二进制加法器与快速进
1988年1月
MM54HC283 MM74HC283
4位二进制加法器与快速进
概述
此全加器执行加法的两个4位二进制num-
利用先进的硅栅CMOS技术的BER
总和提供用于每个比特与所得到的（R）的输出
携带（C4 ）被从第四个比特，这些加法器为特色的所得
未来TURE全面的内部看在所有四位这种亲
国际志愿组织与部分先行的系统设计perform-
ANCE在一个纹波的经济性和减少包装数量
PLE携带实施
包括进位加法器逻辑中实现的
真实的形式意味着最终绕进可accom-
plished而不需要逻辑或电平逆变所有IN-
看跌期权免受损害，由于静电放电所
内部的二极管钳位到V
CC
和地面
特点
Y
Y
Y
Y
Y
在四个位全先行进
系统实现部分先行表现
与波进位的经济
宽电源电压范围为2V至6V
低静态功耗8
mA
在25℃
低输入电流1
mA
最大
接线图
双列直插式封装
TL F 5332 - 1
顶视图
订单号MM54HC283或MM74HC283
C
1995年全国半导体公司
TL F 5332
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
（注1
2)
工作条件
电源电压（V
CC
)
DC输入或输出电压
(V
IN
V
OUT
)
工作温度范围（T
A
)
MM74HC
MM54HC
输入信号上升和下降时间
(t
r
t
f
)
V
CC
e
2 0V
V
CC
e
4 5V
V
CC
e
6 0V
民
2
0
最大
6
V
CC
单位
V
V
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电源电压（V
CC
)
直流输入电压（V
IN
)
直流输出电压（V
OUT
)
钳位二极管电流（I
IK
I
OK
)
每个引脚的直流输出电流（I
OUT
)
DC V
CC
或者每个引脚GND电流（I
CC
)
存储温度范围（T
英镑
)
功耗（P
D
)
（注3）
仅s O包
引线温度（T
L
)
（焊接10秒）
b
0至5
a
7 0V
b
1 5 V
CC
a
1 5V
b
0 5 V
CC
a
1 5V
g
20毫安
g
25毫安
g
50毫安
b
40
b
55
a
85
a
125
C
C
ns
ns
ns
b
65℃，以
a
150 C
1000
500
400
600毫瓦
500毫瓦
260 C
DC电气特性
（注4 ）
符号
参数
条件
V
CC
2 0V
4 5V
6 0V
2 0V
4 5V
6 0V
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
20
mA
2 0V
4 5V
6 0V
4 5V
6 0V
2 0V
4 5V
6 0V
4 5V
6 0V
6 0V
6 0V
20
45
60
42
57
0
0
0
02
02
T
A
e
25 C
典型值
V
IH
最低高层
输入电压
最大低电平
输入电压
最低高层
输出电压
15
3 15
42
05
1 35
18
19
44
59
3 98
5 48
01
01
01
0 26
0 26
g
0 1
74HC
T
A
eb
40到85℃
54HC
T
A
eb
55 125℃
单位
保证限制
15
3 15
42
05
1 35
18
19
44
59
3 84
5 34
01
01
01
0 33
0 33
g
1 0
15
3 15
42
05
1 35
18
19
44
59
37
52
01
01
01
04
04
g
1 0
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
V
IL
V
OH
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
4 0毫安
l
I
OUT
l
s
5 2毫安
V
OL
最大低电平
输出电压
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
20
mA
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
4 0毫安
l
I
OUT
l
s
5 2毫安
I
IN
I
CC
最大输入
当前
最大静态
电源电流
V
IN
e
V
CC
或GND
V
IN
e
V
CC
或GND
I
OUT
e
0
mA
80
80
160
注1
绝对最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值
注2
除非另有说明，所有电压参考地
注3
功耗温度降额
塑料'' N' '包
b
12毫瓦C来自65 ℃至85℃的陶瓷'' J' '包
b
12毫瓦C来自100℃至125℃
注4
对于5V的电源
g
10％的最坏情况下的输出电压（V
OH
和V
OL
）在设计时会发生HC 4 5V因此， 4 5V值应使用
与此供应最坏情况V
IH
和V
IL
发生在V
CC
e
分别为5 5V和4 5V （在V
IH
5 5V值为3 85V ）最坏情况下的漏电流（I
IN
I
CC
和
I
OZ
）发生在CMOS在较高的电压，因此在6 0V的值，应使用
V
IL
限制在V的20 ％目前正在测试
CC
上述V个
IL
V的规格（ 30 ％
CC
）将在不迟于Q1 CY'89实施
2
真值表
产量
输入
当
C0
e
L
当
C2
e
L
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
L
L
H
H
H
H
L
L
L
L
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
L
L
H
H
H
H
L
H
H
H
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
H
H
H
H
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
L
H
H
H
H
L
L
L
H
L
L
L
L
H
H
H
当
C0
e
H
当
C2
e
H
L
L
L
L
L
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
A1 A3 B1 B3 A2 A4 B2 B4
R1 R3 R2 R4
C2 C4
R1 R3 R2 R4
C2 C4
H
e
High级L级
e
低层
记
输入条件中的A 1 B 1 A 2 B 2和C 0被用来确定输出
R1
和
R2
和值了
内部进位C2在C2 A3 B3 A4和B4的值被用来确定输出
R3 R4
和C4
4
MM54HC283 MM74HC283 4位二进制加法器与快速进
1988年1月
MM54HC283 MM74HC283
4位二进制加法器与快速进
概述
此全加器执行加法的两个4位二进制num-
利用先进的硅栅CMOS技术的BER
总和提供用于每个比特与所得到的（R）的输出
携带（C4 ）被从第四个比特，这些加法器为特色的所得
未来TURE全面的内部看在所有四位这种亲
国际志愿组织与部分先行的系统设计perform-
ANCE在一个纹波的经济性和减少包装数量
PLE携带实施
包括进位加法器逻辑中实现的
真实的形式意味着最终绕进可accom-
plished而不需要逻辑或电平逆变所有IN-
看跌期权免受损害，由于静电放电所
内部的二极管钳位到V
CC
和地面
特点
Y
Y
Y
Y
Y
在四个位全先行进
系统实现部分先行表现
与波进位的经济
宽电源电压范围为2V至6V
低静态功耗8
mA
在25℃
低输入电流1
mA
最大
接线图
双列直插式封装
TL F 5332 - 1
顶视图
订单号MM54HC283或MM74HC283
C
1995年全国半导体公司
TL F 5332
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
（注1
2)
工作条件
电源电压（V
CC
)
DC输入或输出电压
(V
IN
V
OUT
)
工作温度范围（T
A
)
MM74HC
MM54HC
输入信号上升和下降时间
(t
r
t
f
)
V
CC
e
2 0V
V
CC
e
4 5V
V
CC
e
6 0V
民
2
0
最大
6
V
CC
单位
V
V
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电源电压（V
CC
)
直流输入电压（V
IN
)
直流输出电压（V
OUT
)
钳位二极管电流（I
IK
I
OK
)
每个引脚的直流输出电流（I
OUT
)
DC V
CC
或者每个引脚GND电流（I
CC
)
存储温度范围（T
英镑
)
功耗（P
D
)
（注3）
仅s O包
引线温度（T
L
)
（焊接10秒）
b
0至5
a
7 0V
b
1 5 V
CC
a
1 5V
b
0 5 V
CC
a
1 5V
g
20毫安
g
25毫安
g
50毫安
b
40
b
55
a
85
a
125
C
C
ns
ns
ns
b
65℃，以
a
150 C
1000
500
400
600毫瓦
500毫瓦
260 C
DC电气特性
（注4 ）
符号
参数
条件
V
CC
2 0V
4 5V
6 0V
2 0V
4 5V
6 0V
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
20
mA
2 0V
4 5V
6 0V
4 5V
6 0V
2 0V
4 5V
6 0V
4 5V
6 0V
6 0V
6 0V
20
45
60
42
57
0
0
0
02
02
T
A
e
25 C
典型值
V
IH
最低高层
输入电压
最大低电平
输入电压
最低高层
输出电压
15
3 15
42
05
1 35
18
19
44
59
3 98
5 48
01
01
01
0 26
0 26
g
0 1
74HC
T
A
eb
40到85℃
54HC
T
A
eb
55 125℃
单位
保证限制
15
3 15
42
05
1 35
18
19
44
59
3 84
5 34
01
01
01
0 33
0 33
g
1 0
15
3 15
42
05
1 35
18
19
44
59
37
52
01
01
01
04
04
g
1 0
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
V
IL
V
OH
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
4 0毫安
l
I
OUT
l
s
5 2毫安
V
OL
最大低电平
输出电压
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
20
mA
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
4 0毫安
l
I
OUT
l
s
5 2毫安
I
IN
I
CC
最大输入
当前
最大静态
电源电流
V
IN
e
V
CC
或GND
V
IN
e
V
CC
或GND
I
OUT
e
0
mA
80
80
160
注1
绝对最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值
注2
除非另有说明，所有电压参考地
注3
功耗温度降额
塑料'' N' '包
b
12毫瓦C来自65 ℃至85℃的陶瓷'' J' '包
b
12毫瓦C来自100℃至125℃
注4
对于5V的电源
g
10％的最坏情况下的输出电压（V
OH
和V
OL
）在设计时会发生HC 4 5V因此， 4 5V值应使用
与此供应最坏情况V
IH
和V
IL
发生在V
CC
e
分别为5 5V和4 5V （在V
IH
5 5V值为3 85V ）最坏情况下的漏电流（I
IN
I
CC
和
I
OZ
）发生在CMOS在较高的电压，因此在6 0V的值，应使用
V
IL
限制在V的20 ％目前正在测试
CC
上述V个
IL
V的规格（ 30 ％
CC
）将在不迟于Q1 CY'89实施
2
真值表
产量
输入
当
C0
e
L
当
C2
e
L
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
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L
H
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L
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L
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C0
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H
当
C2
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H
L
L
L
L
L
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
A1 A3 B1 B3 A2 A4 B2 B4
R1 R3 R2 R4
C2 C4
R1 R3 R2 R4
C2 C4
H
e
High级L级
e
低层
记
输入条件中的A 1 B 1 A 2 B 2和C 0被用来确定输出
R1
和
R2
和值了
内部进位C2在C2 A3 B3 A4和B4的值被用来确定输出
R3 R4
和C4
4
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