MM74C905 12位逐次逼近寄存器
1987年10月
修订后的1999年1月
MM74C905
12位逐次逼近寄存器
概述
该MM74C905 CMOS 12位逐次逼近
寄存器包含了所有的数字控制和必要的存储
为逐次逼近模拟 - 数字转换。
由于CMOS的独特能力,切换到
没有任何偏移电压各供电线,它也可以是
在数字系统中的控制和存储元件中使用
在重复的程序。
特点
s
宽电源电压范围:
s
保证噪声容限:
s
高抗干扰性:
3.0V至15V
1.0V
0.45 V
CC
(典型值)
扇出2驾驶74L
s
低功耗TTL兼容:
s
计提寄存器扩展或截断
s
工作在START / STOP或连续转换
模式
s
驱动梯开关直接。为10比特或更少
50K / 100K的R / 2R梯形网络
订购代码:
订单号
MM74C905N
包装数
N24A
包装说明
24引脚塑料双列直插式封装( PDIP ) , JEDEC MS- 010 , 0.600 “宽
接线图
引脚分配为DIP
1999仙童半导体公司
DS005910.prf
www.fairchildsemi.com
MM74C905
AC电气特性
T
A
=
25
°
C, C
L
=
为50 pF ,除非另有说明
符号
t
pd
参数
从传播延迟时间
时钟输入到输出
( Q0 - Q11 ) (T
概率pd (Q)的
)
t
pd
t
pd
从传播延迟时间
时钟输入到D0 (T
pd(D0)
)
从传播延迟时间
注册启用( E)到输出
( Q11 ) (T
PD ( E)
)
t
pd
t
S
t
S
t
W
t
r
, t
f
f
最大
C
CK
C
IN
C
PD
从传播延迟时间
时钟CC (T
PD ( CC )
)
数据输入建立时间
开始输入建立时间
最小时钟脉冲宽度
最大时钟上升和下降时间
最大时钟频率
时钟输入电容
输入电容
功率耗散电容
(注2 )
条件
民
典型值
200
80
180
70
190
75
190
75
80
30
80
30
250
100
125
50
15
5.0
2.0
5.0
4.0
10
10
5
100
最大
350
150
325
125
350
150
350
0.50
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
s
兆赫
兆赫
pF
pF
pF
V
CC
=
5.0V
V
CC
=
10V
V
CC
=
5.0V
V
CC
=
10V
V
CC
=
5.0V
V
CC
=
10V
V
CC
=
5.0V
V
CC
=
10V
V
CC
=
5.0V
V
CC
=
10V
V
CC
=
5.0V
V
CC
=
10V
V
CC
=
5.0V
V
CC
=
10V
V
CC
=
5.0V
V
CC
=
10V
V
CC
=
5.0V
V
CC
=
10V
时钟输入(注3 )
任何其它的输入(注3)
(注4 )
注2 :
AC参数都保证了DC相关测试。
注3 :
电容是由周期性检测保证。
注4 :
C
PD
决定任何CMOS器件的空载交流电耗。有关完整说明,请参阅家族特征的应用注意 -
AN-90.
典型性能特性
R
SINK
与温度
R
来源
与温度
这些点是由自动测试保证。
这些点是由自动测试保证。
www.fairchildsemi.com
4
MM74C905 12位逐次逼近寄存器
1987年10月
经修订的2003年7月
MM74C905
12位逐次逼近寄存器
概述
该MM74C905 CMOS 12位逐次逼近
寄存器包含了所有的数字控制和必要的存储
为逐次逼近模拟 - 数字转换。
由于CMOS的独特能力,切换到
没有任何偏移电压各供电线,它也可以是
在数字系统中的控制和存储元件中使用
在重复的程序。
特点
s
宽电源电压范围:
3.0V至15V
s
保证噪声容限: 1.0V
s
高抗干扰性: 0.45 V
CC
(典型值)
s
低功耗TTL兼容:扇出的2驾驶74L
s
计提寄存器扩展或截断
s
工作在START / STOP或连续转换
模式
s
驱动梯开关直接。为10比特或更少
50K / 100K的R / 2R梯形网络
订购代码:
订单号
MM74C905N
包装数
N24A
包装说明
24引脚塑料双列直插式封装( PDIP ) , JEDEC MS- 011 , 0.600"宽
接线图
引脚分配为DIP
2003仙童半导体公司
DS005910
www.fairchildsemi.com
MM74C905
AC电气特性
T
A
=
25
°
C, C
L
=
为50 pF ,除非另有说明
符号
t
pd
参数
从传播延迟时间
时钟输入到输出
( Q0 - Q11 ) (T
概率pd (Q)的
)
t
pd
t
pd
从传播延迟时间
时钟输入到D0 (T
pd(D0)
)
从传播延迟时间
注册启用( E)到输出
( Q11 ) (T
PD ( E)
)
t
pd
t
S
t
S
t
W
t
r
, t
f
f
最大
C
CK
C
IN
C
PD
从传播延迟时间
时钟CC (T
PD ( CC )
)
数据输入建立时间
开始输入建立时间
最小时钟脉冲宽度
最大时钟上升和下降时间
最大时钟频率
时钟输入电容
输入电容
功率耗散电容
(注2 )
条件
民
典型值
200
80
180
70
190
75
190
75
80
30
80
30
250
100
125
50
15
5.0
2.0
5.0
4.0
10
10
5
100
最大
350
150
325
125
350
150
350
0.50
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
s
兆赫
兆赫
pF
pF
pF
V
CC
=
5.0V
V
CC
=
10V
V
CC
=
5.0V
V
CC
=
10V
V
CC
=
5.0V
V
CC
=
10V
V
CC
=
5.0V
V
CC
=
10V
V
CC
=
5.0V
V
CC
=
10V
V
CC
=
5.0V
V
CC
=
10V
V
CC
=
5.0V
V
CC
=
10V
V
CC
=
5.0V
V
CC
=
10V
V
CC
=
5.0V
V
CC
=
10V
时钟输入(注3 )
任何其它的输入(注3)
(注4 )
注2 :
AC参数都保证了DC相关测试。
注3 :
电容是由周期性检测保证。
注4 :
C
PD
决定任何CMOS器件的空载交流电耗。有关完整说明,请参阅家族特征的应用注意 -
AN-90.
典型性能特性
R
SINK
与温度
R
来源
与温度
这些点是由自动测试保证。
这些点是由自动测试保证。
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4