摩托罗拉
半导体技术资料
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通过MCM44256B / D
R4000 4MB二级缓存快
静态RAM模块套装
四MCM44256B模块包括一个完整的4MB的二级缓存为
R4000处理器。每个模块包含9 MCM6729DWJ快速静态RAM
为256K X 36的标记部分的缓存数据的大小，取决于字线的大小，
包含以下两种MCM6729DWJ或者一个MCM6726DWJ快速静态RAM 。所有
输入信号，除了A0和我们使用的是74FBT2827司机与SE-缓冲
里斯25
电阻器。
该MCM6729DWJ和MCM6726DWJ使用的是编造高性
曼斯硅栅BiCMOS技术。静态设计省去了
内部时钟或定时选通。
所有4MB R4000支持二级缓存选项。
采用5 V单
±
10 ％的电力供应
所有的输入和输出为TTL兼容
快速的模块访问时间： 17年12月15日NS
零等待状态操作
统一或分割二级缓存支持
字线尺寸为4 ， 8 ， 16 ，和32个可供选择（参见订购
信息详细内容）
去耦电容用于每个快速静态RAM和缓冲区，
随着大容量电容的最大噪声抗扰度
高品质多层FR4电路板，带独立电源和接地
飞机
MCM44256B
系列
引脚分配
80 LEAD SIMM - 顶视图
VCC
DQ1
DQ3
DQ5
VSS
DQ8
DQ10
DQ12
DQ14
DQ15
DQ17
DQ19
DQ21
VSS
DQ23
DQ25
DQ27
DQ29
DQ30
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
52
54
56
58
60
62
64
66
68
70
72
74
76
78
80
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
57
59
61
63
65
67
69
71
73
75
77
79
VSS
DQ0
DQ2
DQ4
DQ6
DQ7
DQ9
DQ11
DQ13
VSS
DQ16
DQ18
DQ20
DQ22
VCC
DQ24
DQ26
DQ28
VSS
DQ31
DQ33
DQ35
WE
A1
A3
A5
VSS
DCS
A7
A9
A11
A12
A14
A16
TCS
VSS
TDQ2
TDQ4
TDQ6
VCC
引脚名称
A0 - A17 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。地址输入
WE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。写使能
DCS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。数据启用
TCS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。标签启用
OE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。输出使能
DQ0 - DQ35 。 。 。 。 。 。 。 。 。数据输入/输出
TDQ0 - TDQ7 。 。 。 TAG数据输入/输出
VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5 V电源
VSS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。地
对于设备的正常运行，必须VSS
被连接到地。
DQ32
DQ34
VSS
A0
A2
A4
A6
VCC
OE
A8
A10
VSS
A13
A15
A17
TDQ0
TDQ1
TDQ3
TDQ5
TDQ7
VSS
11/19/97
摩托罗拉1997年公司
摩托罗拉快速SRAM
MCM44256B系列
1
绝对最大额定值
（电压参考VSS = 0 V）
等级
电源电压
电压相对于VSS
输出电流（每个I / O）
功耗
在偏置温度
储存温度
符号
VCC
VIN，VOUT
IOUT
PD
Tbias
TSTG
价值
- 0.5 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
±
30
10
- 10至+ 85
- 25 + 125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
该器件此模块包含的电路
以保护输入对造成的损害
高静态电压或电场;不过，
它是表示，正常的预防措施，
避免应用任何电压高于
最大额定电压为这些高阻抗
ANCE电路。
这些的BiCMOS存储电路已
专为满足DC与AC规范
表中所示，热平衡后
已经建立。该模块是在一个测试
插座或安装在印刷电路板
和至少为500英尺长的横向空气流
每分钟保持。
注：如果绝对最大额定值可能会造成永久性损坏设备
超标。功能操作应仅限于推荐能操作
阿婷条件。暴露于高于推荐电压
长时间可能会影响器件的可靠性。
DC操作条件和特点
（ VCC = 5.0 V
±
10 ％ ， TA = 0 + 70 ° C，除非另有说明）
推荐工作条件
（电压参考VSS = 0 V）
参数
电源电压（工作电压范围）
输入高电压
（ DQ0 - 35 ， TDQ0 - 7 ， WE， A0 ）
（ A1 - A17 ， OE ， DCS ， TCS ）
输入低电压
VIL
符号
VCC
VIH
2.2
2.0
– 0.5
**
—
—
—
VCC + 0.3 V *
VCC + 0.3 V *
0.8
V
民
4.5
典型值
5.0
最大
5.5
单位
V
V
* VIH （最大值） = VCC + 0.3 V直流; VIH （最大值） = VCC + 2 V AC（脉冲宽度
≤
20纳秒） 。
** VIL （分钟） = - 3.0 V AC（脉冲宽度
≤
20纳秒） 。
DC特性
参数
输入漏电流（所有输入， VIN = 0至VCC ）
输出漏电流（G ， XCS = VIH时，VOUT = 0 VCC ）
交流电源电流（G ， XCS = VIL ， IOUT = 0毫安）
输出低电压（ IOL = + 8毫安）
输出高电压（ IOH = - 4.0毫安）
符号
ILKG （I）的
ILKG （ O）
ICCA
VOL
VOH
民
2.4
典型值
最大
±
10
±
10
1750
0.4
单位
A
A
mA
V
V
注：当地的电源良好的去耦要经常使用。
电容
（ F = 1.0兆赫，DV = 3.0 V， TA = 25 ° C，而定期取样超过100％测试）
参数
输入电容
输入/输出电容
（A0， WE）
（ A1 - A17 ， OE ， DCS ， TCS ）
符号
CIN
CIN
COUT
典型值
最大
110
10
10
单位
pF
pF
pF
摩托罗拉快速SRAM
MCM44256B系列
3
交流工作条件和特点
（ VCC = 5.0 V
±
10 ％ ， TA = 0 + 70 ° C，除非另有说明）
输入定时测量参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5 V
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 3.0 V
输入上升/下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1V / ns的（20 ％80％ ）
输出定时测量参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5 V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见图1
读周期
（见注1和2 ）
–12
参数
P
地址访问时间
A0访问时间
数据/标签启用访问时间
输出启用访问时间
从地址变更输出保持
从A0更改输出保持
数据/标签使能低到输出有效
数据/标签使能高到输出高阻
输出使能低到输出有效
输出使能高到输出高阻
符号
S B升
tAVQV
tA0AQV
TELQV
TGLQV
tAXQX
tA0XQX
TELQX
TEHQZ
TGLQX
TGHQZ
民
—
—
—
—
4
4
2
1
1
1
最大
12
10
12
9
—
—
—
9
—
9
民
—
—
—
—
4
4
2
1
1
1
–15
最大
15
12
15
10
—
—
—
10
—
10
民
—
—
—
—
4
4
2
1
1
1
–17
最大
17
14
17
11
—
—
—
11
—
11
单位
U I
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3, 4
3, 4
3, 4
3, 4
笔记
N
注意事项：
1.我们是高读周期。
2.启用时序是相同的DCS和TCS 。
3.转变是从稳态电压测量200 mV的。
4.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
时序极限值
定时值的表显示任一最小
或最大限制为每个参数。输入要求一
ments是从外部系统指定点
视图。因此，地址的建立时间被示为一个微型
妈妈因为系统必须至少提供那么多
时间。另一方面，从存储器响应
从设备上看指定。因此，该
存取时间被示为最大，因为该装置
超过该时间后从未提供数据。
产量
Z0 = 50
RL = 50
VL = 1.5 V
图1. AC测试负载
MCM44256B系列
4
摩托罗拉快速SRAM
读周期1
（见注）
A1 – A17
tAVQV
A0
tA0VQV
tA0XQX
tAXQX
Q（ DATA OUT ）
以前的数据有效
数据有效
注：模块连续选择（ DCS或TCS = VIL ， OE = VIL） 。
读周期2
（见注）
A1 – A17
tAVQV
A0
tA0VQV
TELQV
TEHQZ
DCS / TCS
（ DATA / TAG ENABLE ）
TELQX
OE （输出使能）
TGLQV
TGLQX
Q（ DATA OUT ）
注：地址之前或重合与DCS或TCS变为低电平有效。
数据有效
TGHQZ
摩托罗拉快速SRAM
MCM44256B系列
5
QQ：2881677436 复制
