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MM70C95 MM80C95 MM70C97 MM80C97 TRI- STATE六角缓冲器
MM70C96 MM80C96 MM70C98 MM80C98 TRI- STATE六路反向器
1988年2月
MM70C95 MM80C95 MM70C97 MM80C97
TRI- STATE六角缓冲器
MM70C96 MM80C96 MM70C98 MM80C98
三态六路反向器
概述
这些门是单芯片互补MOS ( CMOS )
与N沟道和P沟道烯构成的集成电路
hancement模式晶体管MM70C95 MM80C95
和MM70C97 MM80C97转换CMOS或TTL输出
放到三态输出,没有逻辑反转的
MM70C96 MM80C96和MM70C98 MM80C98亲
韦迪输入的逻辑相反的信号的MM70C95
MM80C95和MM70C96 MM80C96有共同的
三态控制所有六台设备的MM70C97
MM80C97和MM70C98 MM80C98有两个三
态控制一个用于两个设备,一个用于其他
四款器件的输入免受因stat-伤害
IC放电通过二极管钳位到V
CC
和GND
特点
Y
Y
Y
Y
宽电源电压范围
保证噪声容限
高噪声抗扰度
TTL兼容
3 0V至15V
1 0V
0 45 V
CC
(典型值)
车程1个TTL负载
应用
Y
公交车司机
典型传播延迟
到150 pF负载为40纳秒
连接图
(双列直插式封装)
MM70C95 MM80C95
MM70C96 MM80C96
TL F 5907 - 1
TL F 5907 - 2
顶视图
订单号MM70C95或MM80C95
MM70C97 MM80C97
顶视图
订单号MM70C96或MM80C96
MM70C98 MM80C98
TL F 5907 - 3
TL F 5907 - 4
顶视图
订单号MM70C97或MM80C97
顶视图
订单号MM70C98或MM80C98
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
C
1995年全国半导体公司
TL F 5907
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电压的任何引脚
工作温度范围
MM70CXX
MM80CXX
b
0 3V至V
CC
a
0 3V
b
55 ℃
a
125 C
b
40℃
a
85 C
存储温度范围
功耗(P
D
)
双列直插式
小尺寸
电源电压(V
CC
)
焊接温度
(焊接10秒)
b
65℃,以
a
150 C
700毫瓦
500毫瓦
18V
260 C
DC电气特性
符号
CMOS到CMOS
V
IN(1)
V
IN(0)
V
OUT(1)
V
OUT(0)
I
IN(1)
I
IN(0)
I
OZ
I
CC
逻辑' 1', '输入电压
逻辑'' 0 ''输入电压
逻辑' 1 '输出电压
逻辑' 0 '输出电压
逻辑' 1', '输入电流
逻辑'' 0 ''输入电流
输出电流高
阻抗状态
电源电流
参数
最高限额适用于整个温度范围内,除非另有说明
条件
典型值
最大
单位
V
CC
e
5V
V
CC
e
10V
V
CC
e
5V
V
CC
e
10V
V
CC
e
5V
V
CC
e
10V
V
CC
e
5V
V
CC
e
10V
V
CC
e
15V
35
80
15
20
45
90
05
10
0 005
b
1 0
b
0 005
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
10
15
mA
mA
mA
10
V
CC
e
15V V
O
e
15V
V
CC
e
15V V
O
e
0V
V
CC
e
15V
0 005
b
1 0
b
0 005
0 01
TTL接口
V
IN(1)
V
IN(0)
V
OUT(1)
V
OUT(0)
逻辑' 1', '输入电压
逻辑'' 0 ''输入电压
逻辑' 1 '输出电压
逻辑' 0 '输出电压
70C
80C
70C
80C
70C
80C
70C
80C
V
CC
e
4 5V
V
CC
e
4 75V
V
CC
e
4 5V
V
CC
e
4 75V
V
CC
e
4 5V I
O
E B
1 6毫安
V
CC
e
4 75V我
O
E B
1 6毫安
V
CC
e
4 5V I
O
e
1 6毫安
V
CC
e
4 75V我
O
e
1 6毫安
24
24
04
04
V
CC
b
1 5
V
CC
b
1 5
08
08
V
V
V
V
V
V
V
V
输出驱动器(短路电流)
I
来源
I
来源
I
SINK
I
SINK
输出源电流
输出源电流
输出灌电流
输出灌电流
V
CC
e
5V V
IN(1)
e
5V
T
A
e
25℃ V
OUT
e
0V
V
CC
e
10V V
IN(1)
e
10V
T
A
e
25℃ V
OUT
e
0V
V
CC
e
5V V
IN(0)
e
0V
T
A
e
25℃ V
OUT
e
V
CC
V
CC
e
10V V
IN(0)
e
0V
T
A
e
25℃ V
OUT
e
V
CC
b
4 35
b
20
mA
mA
mA
mA
4 35
20
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证除'工作温度范围''
它们不意味着暗示该设备应在这些限制下操作的''电气特性“”该表提供的条件为实际装置
手术
注2
电容是由周期性检测保证
注3
C
PD
决定任何CMOS器件有关完整说明,请参见54C 74C系列的特点应用笔记的空载交流电耗
AN-90
2
AC电气特性
符号
t
pd0
t
pd1
参数
T
A
e
25 C C
L
e
为50 pF ,除非另有说明
条件
典型值
最大
单位
传播延迟时间为逻辑“ 0 ”或
逻辑' 1 ' ,从数据输入到输出“
MM70C95 MM80C95 MM70C97 MM80C97
MM70C96 MM80C96 MM70C98 MM80C98
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
e
e
e
e
5V
10V
5V
10V
60
25
70
35
100
40
150
75
ns
ns
ns
ns
t
pd0
t
pd1
传播延迟时间为逻辑“ 0 ”或
逻辑' 1 ' ,从数据输入到输出“
MM70C95 MM80C95 MM70C97 MM80C97
MM70C96 MM80C96 MM70C98 MM80C98
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
e
e
e
e
5V
L
e
150 pF的
10V
L
e
150 pF的
5V
L
e
150 pF的
10V
L
e
150 pF的
85
40
95
45
160
80
210
110
ns
ns
ns
ns
t
1H
t
0H
从禁止输入为高阻抗延迟
(从逻辑' 1', '或逻辑' 0 ')的状态
MM70C95 MM80C95
MM70C96 MM80C96
MM70C97 MM80C97
MM70C98 MM80C98
R
L
e
10K
L
e
5 pF的
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
e
e
e
e
e
e
e
e
5V
10V
5V
10V
5V
10V
5V
10V
80
50
100
70
70
50
90
70
135
90
180
125
125
90
170
125
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
H1
t
H0
从禁止输入到逻辑' 1 ''级别的延迟
(从高阻抗状态)
MM70C95 MM80C95
MM70C96 MM80C96
MM70C97 MM80C97
MM70C98 MM80C98
R
L
e
10K
L
e
50 pF的
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
e
e
e
e
e
e
e
e
5V
10V
5V
10V
5V
10V
5V
10V
120
50
130
60
95
40
120
50
50
11
60
200
90
225
110
175
80
200
90
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
C
IN
C
OUT
C
PD
输入电容
输出电容TRI -STATE
功率耗散电容
任何输入(注2 )
任何输出(注2 )
(注3)
AC参数都保证了DC相关测试
真值表
MM70C95 MM80C95
关闭
DIS
1
0
0
0
1
1
输入
DIS
2
0
0
1
0
1
输入
0
1
X
X
X
产量
0
1
H-
H-
H-
关闭
DIS
1
0
0
0
1
1
MM70C96 MM80C96
输入
DIS
2
0
0
1
0
1
输入
0
1
X
X
X
产量
1
0
H-
H-
H-
MM70C97 MM80C97
关闭
DIS
4
0
0
X
1
输出5-6只
输出1-4只
X
e
不相干
MM70C98 MM80C98
产量
0
1
H-
H-
关闭
DIS
4
0
0
X
1
输入
DIS
2
0
0
1
X
输入
0
1
X
X
产量
1
0
H-
H-
输入
DIS
2
0
0
1
X
输入
0
1
X
X
3
AC测试电路和开关时间波形
t
pd0
t
pd1
CMOS到CMOS
TL F 5907-13
TL F 5907 - 14
t
1H
和T
H1
t
1H
t
H1
TL F 5907-15
TL F 5907 - 16
TL F 5907 - 17
t
0H
和T
H0
t
0H
t
H0
TL F 5907 - 19
TL F 5907-18
TL F 5907 - 20
延迟测量输入端吨
r
t
f
s
20纳秒
4
典型性能特性
传播延迟VS
负载电容
Dt
pd
pF的VS
电源电压
TL F 5907 - 5
TL F 5907 - 6
N沟道输出驱动器在25℃
P沟道输出驱动,25℃
TL F 5907 - 7
TL F 5907 - 8
原理图
MM70C95 MM80C95 TRI -STATE
TL F 5907 - 9
MM70C96 MM80C96 TRI -STATE
TL F 5907 - 10
5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MM70C95
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
MM70C95
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