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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第561页 > M29W800T90N6R
M29W800T
M29W800B
8兆位(1MB X8或X16 512KB ,引导块)
低压单电源闪存
不适用于新设计
M29W800T和M29W800B被替换
分别由M29W800AT和
M29W800AB
2.7V至3.6V电源电压
编程,擦除和读取操作
快速存取时间:为90ns
快速编程时间
- 为10μs按字节/ 20μS由Word典型
编程/擦除控制器( P / E.C 。 )
- 程序逐字节或字的字
- 状态寄存器的位和就绪/忙输出
内存块
- 引导块(顶部或底部的位置)
- 参数及主要街区
块,多块和芯片擦除
多块保护/ TEMPORARY
解除保护模式
擦除挂起和恢复模式
- 阅读并计划在另一座
擦除挂起
低功耗
- 待机和自动待机
每10万编程/擦除周期
20年数据保留
- 在1ppm以下缺陷率/年
电子签名
- 制造商代码: 0020H
- 设备代码, M29W800T : 00D7H
- 设备代码, M29W800B : 005Bh
描述
该M29W800是一个非易失性存储器可
可在块或芯片级电擦除和
在系统编程的逐Byteor字处理
由字只使用一个单一的2.7V至3.6V V基础
CC
供应量。对于编程和擦除操作
内部产生所需的高电压。
该设备还可以在标准编程
程序员。
该阵列矩阵式组织使每个块
被擦除和重新编程,而不影响
其他模块。块可以防止亲
graming和擦除编程设备,
1999年6月
44
1
TSOP48 ( N)
12 ×20mm的
SO44 (M)的
图1.逻辑图
VCC
19
A0-A18
W
E
G
RP
M29W800T
M29W800B
15
DQ0-DQ14
DQ15A–1
字节
RB
VSS
AI02178
1/33
这是仍在生产,但不建议用于新设计的产品信息。
M29W800T , M29W800B
图2A 。 TSOP引脚连接
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
W
RP
NC
NC
RB
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
48
A16
字节
VSS
DQ15A–1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VCC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
G
VSS
E
A0
图2B中。 TSOP反向引脚连接
A16
字节
VSS
DQ15A–1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VCC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
G
VSS
E
A0
1
48
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
W
RP
NC
NC
RB
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
12
13
M29W800T
M29W800B
(普通)
37
36
12
13
M29W800T
M29W800B
(反转)
37
36
24
25
AI02179
24
25
AI02180
警告:
NC =未连接。
警告:
NC =未连接。
图2C 。 SO引脚连接
表1.信号名称
A0-A18
地址输入
数据输入/输出,输入命令
数据输入/输出
数据输入/输出或输入地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
复位/座临时撤消
READY / BUSY输出
字节/字组织
电源电压
RB
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
E
VSS
G
DQ0
DQ8
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11 M29W800T
12 M29W800B
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
RP
W
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
字节
VSS
DQ15A–1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VCC
DQ0-DQ7
DQ8-DQ14
DQ15A–1
E
G
W
RP
RB
字节
V
CC
V
SS
AI02181
2/33
M29W800T , M29W800B
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO (2)
V
CC
V
( A9 , E,G , RP)
(2)
参数
工作环境温度
(3)
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压
电源电压
A9 ,E ,G , RP电压
价值
-40到85
-50至125
-65到150
-0.6 5
-0.6 5
-0.6至13.5
单位
°
C
°
C
°
C
V
V
V
注意事项:
1.除评级“工作温度范围” ,强调高于表中所列“绝对最大额定值”
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只,设备的操作在这些或任何其他
超出本规范的经营部门所标明的条件是不是我mplied 。暴露在绝对最大
额定值条件下工作会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他
相关的质量文件。
2.最小电压可能下冲至-2V过渡期间和小于20ns 。
3.取决于范围。
描述
(续)
暂时无保护做出改变
该应用程序。每个块可以被编程
并删除超过10万次。
说明读/复位,自动选择为只读
荷兰国际集团的电子签名或块保护
状态,编程,块和芯片擦除,擦除
暂停和恢复被写入到设备中
的commandsto命令Interfaceusing周期
标准的微处理器写时序。
该器件采用TSOP48 ( 12× 20毫米)和
SO44封装。正常和反向引脚
可用于TSOP48封装。
组织
该M29W800组织为1M的X8或X16 512K
位选择的字节信号。当字节是
低字节宽度x8组织的选择和
地址线是DQ15A -1和A0 -A18 。该
数据输入/输出信号DQ15A - 1作为AD-
裙线A -1 ,其选择的下或上
字节的内存字上DQ0 - DQ7输出,
DQ8 - DQ14维持在高位impedan CE 。当
字节是高内存使用的地址输入
A0 - A18和数据输入/输出DQ0 - DQ15 。
内存控制是由芯片使能E中提供,
输出使能G和写使能W输入。
AReset /座TemporaryUnprotection RP三级
输入提供了一个硬件复位时被拉至低电平,
当举行高(在V
ID
)暂时取消保护
此前块保护使他们能够
程序性和擦除。擦除和编程操作
系统蒸发散是由内部编程/擦除控制
控制器( P / E.C 。 ) 。状态寄存器的数据输出上
DQ7提供了数据查询信号,和DQ6和
DQ2提供切换信号来指示的状态
在P / E.C操作。一就绪/忙RB输出
表示完成内部算法。
内存块
这些器件具有非对称受阻架构设计师用手工
tecture提供系统内存的集成。两
M29W800Tand M29W800Bdevices有一个数组
19块, 16 KB或8 1引导块
K字, 8 KB或4两参数块
K字, 32 KB或16 1正座
64 KB或32 K字和fifteenMain块
K字。该M29W800T具有引导块在
所述存储器地址空间和顶
M29W800B定位引导块起始于
底部。该存储器映射显示在图
3.
每个块可以单独被删除,任意组合
块的国家可以为多块指定
擦除或整个芯片可以被擦除。擦除
操作由自动管理
P / E.C 。块擦除操作可以可持
挂起,以便读取或程序的任何
阻止未ersased ,然后重新开始。
块保护提供额外的数据的安全性。
每个块可以被单独的保护或外部器件了
对编程编程或擦除tected
设备。所有以前受保护的块可以是
暂无保护的应用程序。
巴士业务
下面的操作可以使用进行
在appropriatebus周期:读取(阵列,电子
签名,块保护状态) ,写的COM
命令,输出禁用,待机,复位,阻止亲
吨EC吨IO N, UNP RO TE CT IO N, P ro的忒CTI上Verif Y,
解除保护检查和阻止外部器件了临时
保护。见表4和5 。
3/33
M29W800T , M29W800B
图3A 。热门引导块存储器映射和块地址表
热门引导块
字宽
7FFFFh
78000h
77FFFh
70000h
6FFFFh
68000h
67FFFh
60000h
5FFFFh
58000h
57FFFh
50000h
4FFFFh
48000h
47FFFh
40000h
3FFFFh
38000h
37FFFh
30000h
2FFFFh
28000h
27FFFh
20000h
1FFFFh
18000h
17FFFh
10000h
0FFFFh
08000h
07FFFh
00000h
字节宽
FFFFFH
16K BOOT BLOCK
F0000h
EFFFFh
64K主块
E0000h
DFFFFH
64K主块
D0000h
CFFFFh
64K主块
C0000h
BFFFFH
64K主块
B0000h
AFFFFh
64K主块
A0000h
9FFFFh
64K主块
90000h
8FFFFh
64K主块
80000h
7FFFFh
64K主块
70000h
6FFFFh
64K主块
60000h
5FFFFh
64K主块
50000h
4FFFFh
64K主块
40000h
3FFFFh
64K主块
30000h
2FFFFh
64K主块
20000h
1FFFFh
64K主块
10000h
0FFFFh
64K主块
00000h
AI01725B
字节宽
FFFFFH
FC000h
FBFFFH
8K参数块
FA000h
F9FFFh
8K参数块
F8000h
F7FFFh
32K主块
F0000h
字宽
7FFFFh
7E000h
7DFFFh
7D000h
7CFFFh
7C000h
7BFFFh
78000h
4/33
M29W800T , M29W800B
图3B 。底部引导块存储器映射和块地址表
底部引导块,
字宽
7FFFFh
78000h
77FFFh
70000h
6FFFFh
68000h
67FFFh
60000h
5FFFFh
58000h
57FFFh
50000h
4FFFFh
48000h
47FFFh
40000h
3FFFFh
38000h
37FFFh
30000h
2FFFFh
28000h
27FFFh
20000h
1FFFFh
18000h
17FFFh
10000h
0FFFFh
08000h
07FFFh
00000h
字节宽
FFFFFH
64K主块
F0000h
EFFFFh
64K主块
E0000h
DFFFFH
64K主块
D0000h
CFFFFh
64K主块
C0000h
BFFFFH
64K主块
B0000h
AFFFFh
64K主块
A0000h
9FFFFh
64K主块
90000h
8FFFFh
64K主块
80000h
7FFFFh
64K主块
70000h
6FFFFh
64K主块
60000h
5FFFFh
64K主块
50000h
4FFFFh
64K主块
40000h
3FFFFh
64K主块
30000h
2FFFFh
64K主块
20000h
1FFFFh
64K主块
10000h
0FFFFh
16K BOOT BLOCK
00000h
AI01731B
字节宽
0FFFFh
32K主块
08000h
07FFFh
8K参数块
06000h
05FFFh
8K参数块
04000h
03FFFh
00000h
字宽
07FFFh
04000h
03FFFh
03000h
02FFFh
02000h
01FFFh
00000h
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