MM54HCT251 MM74HCT251 8通道TRI- STATE多路复用器
1995年11月
MM54HCT251 MM74HCT251
8通道TRI- STATE多路复用器
概述
这8通道数字多路复用器与三态输出
采用先进的硅栅CMOS技术随着
高抗干扰性和低功耗
标准CMOS集成电路它具有的能力
开车10 LS- TTL负载大的输出驱动能力
和三态功能使这部分非常适合IN-
与公交线路的公交导向系统terfacing
此多路转换器设有两个真（Y）和补体（W）的
输出以及一个选通输入频闪必须
低逻辑电平，以使该装置在STROBE
输入是高两个输出都处于高阻抗状态
当启用了地址信息的数据选择Input
却将判定出哪个数据输入将被路由到Y和W
输出
MM54HCT MM74HCT设备拟接口BE-
吐温TTL和NMOS组件和标准CMOS
设备这些部件也是插件替代LS-
TTL器件，可用于降低功耗
在现有的设计
特点
Y
Y
Y
Y
Y
典型传播延迟为20ns
低静态电流40
mA
最大（ 74HCT系列）
低输入电流1
mA
最大
10 LS- TTL负载扇出
TTL输入兼容
连接和逻辑图
双列直插式封装
真值表
输入
SELECT
C
X
L
L
L
L
H
H
H
H
B
X
L
L
H
H
L
L
H
H
A
X
L
H
L
H
L
H
L
H
频闪
S
H
L
L
L
L
L
L
L
L
输出
Y
Z
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
W
Z
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
TL F 9401 - 1
顶视图
订单号MM54HCT251或MM74HCT251
H
e
高逻辑级L级
e
逻辑电平
X
e
无关
e
高阻抗（关）
D0 D1
D7
e
各自的D输入端的电平
TL F 9401 - 2
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
C
1995年全国半导体公司
TL F 9401
RRD - B30M115印制在U S A
绝对最大额定值
（注1
2)
工作条件
电源电压（V
CC
)
DC输入或输出电压
(V
IN
V
OUT
)
工作温度范围（T
A
)
MM74HCT
MM54HCT
输入信号上升和下降时间
(t
r
t
f
)
V
CC
e
4 5V
民
2
0
最大
6
V
CC
单位
V
V
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电源电压（V
CC
)
直流输入电压（V
IN
)
直流输出电压（V
OUT
)
钳位二极管电流（I
IK
I
OK
)
b
0至5V
a
7 0V
b
1 5V至V
CC
a
1 5V
b
0 5V至V
CC
a
0 5V
g
20毫安
b
40
b
55
a
85
a
125
C
C
ns
g
35毫安
每个引脚的直流输出电流（I
OUT
)
g
70毫安
DC V
CC
或者每个引脚GND电流（I
CC
)
b
65℃，以
a
150 C
存储温度范围（T
英镑
)
功耗（P
D
)
（注3）
600毫瓦
仅s O包
500毫瓦
铅温度（T
L
） （焊接10秒）
260 C
500
DC电气特性
（注4 ）V
CC
e
5V
g
10%
符号
参数
条件
T
A
e
25 C
典型值
V
IH
V
IL
V
OH
最低高层
输入电压
最大低电平
输入电压
最低高层
输出电压
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
20
mA
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
4 0毫安V
CC
e
4 5V
l
I
OUT
l
s
4 8毫安V
CC
e
5 5V
V
OL
最大低电平
输出电压
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
20
mA
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
4 0毫安V
CC
e
4 5V
l
I
OUT
l
s
4 8毫安V
CC
e
5 5V
I
IN
I
OZ
I
CC
最大输入
当前
V
IN
e
V
CC
或GND
45
42
52
0
02
02
20
08
74HCT
保证限制
20
08
20
08
V
V
54HCT
T
A
eb
40℃
a
85 （C T）
A
eb
55 ℃
a
125 C单位
44
3 98
4 98
01
0 26
0 26
g
0 1
44
3 84
4 84
01
0 33
0 33
g
1 0
44
37
47
01
04
04
g
1 0
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
最大TRI -STATE V
OUT
e
V
CC
或GND
输出漏
频闪
e
V
CC
最大静态
电源电流
V
IN
e
V
CC
或GND
I
OUT
e
0
mA
V
IN
e
2 4V或5V 0
0 25
g
0 5
g
5 0
g
10
80
04
80
0 55
160
0 65
注1
绝对最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值
注2
除非另有说明，所有电压参考地
注3
功耗温度降额
塑料'' N' '包
b
12毫瓦C来自65 ℃至85℃的陶瓷'' J' '包
b
12毫瓦C来自100℃至125℃
注4
对于5V的电源
g
10％的最坏情况下的输出电压（V
OH
和V
OL
）在设计时会发生HC 4 5V因此， 4 5V值应使用
与此供应最坏情况V
IH
和V
IL
发生在V
CC
e
分别为5 5V和4 5V （在V
IH
5 5V值为3 85V ）最坏情况下的漏电流（I
IN
I
CC
和
I
OZ
）发生在CMOS在较高的电压，因此在6 0V的值，应使用
2
MM54HCT251 MM74HCT251 8通道TRI- STATE多路复用器
物理尺寸
英寸（毫米）
陶瓷双列直插式封装（J ）
订单号MM54HCT521J或MM74HCT521J
NS包装数J16A
模压双列直插式封装（ N）
订单号MM74HCT251N
NS包装数N16E
生命支持政策
美国国家半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统未经明确的书面许可，国家总统
半导体公司如本文所用
1生命支持设备或系统设备或
其中（ a）打算通过外科手术移植系统
进入体内或（b ）支持或维持生命，其
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明即可
可合理预期会导致在一个显著的伤害
向用户
美国国家半导体公司
公司
1111西巴丁路
阿灵顿德克萨斯州76017
联系电话：1（800 ） 272-9959
传真：1（800 ） 737-7018
2关键部件是一个生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
可以合理预期造成的生命的失败
支持设备或系统，或影响其安全性或
效用
美国国家半导体公司
欧洲
传真（
a
49) 0-180-530 85 86
电子邮件cnjwge tevm2 NSC COM
德语电话（
a
49) 0-180-530 85 85
电话英语（
a
49) 0-180-532 78 32
弗兰AIS电话（
a
49) 0-180-532 93 58
意大利语电话（
a
49) 0-180-534 16 80
美国国家半导体公司
（香港）有限公司
13楼直座
海洋中心5广东省
九龙尖沙咀
香港
电话：（ 852 ） 1637至00年
传真：（ 852 ） 2736-9960
美国国家半导体公司
日本公司
电话81-043-299-2309
传真81-043-299-2408
国家不承担任何使用电路的任何责任描述没有电路专利许可以及国家有权在任何时间，恕不另行通知更改上述电路和规格
MM54HCT251 MM74HCT251 8通道TRI- STATE多路复用器
1995年11月
MM54HCT251 MM74HCT251
8通道TRI- STATE多路复用器
概述
这8通道数字多路复用器与三态输出
采用先进的硅栅CMOS技术随着
高抗干扰性和低功耗
标准CMOS集成电路它具有的能力
开车10 LS- TTL负载大的输出驱动能力
和三态功能使这部分非常适合IN-
与公交线路的公交导向系统terfacing
此多路转换器设有两个真（Y）和补体（W）的
输出以及一个选通输入频闪必须
低逻辑电平，以使该装置在STROBE
输入是高两个输出都处于高阻抗状态
当启用了地址信息的数据选择Input
却将判定出哪个数据输入将被路由到Y和W
输出
MM54HCT MM74HCT设备拟接口BE-
吐温TTL和NMOS组件和标准CMOS
设备这些部件也是插件替代LS-
TTL器件，可用于降低功耗
在现有的设计
特点
Y
Y
Y
Y
Y
典型传播延迟为20ns
低静态电流40
mA
最大（ 74HCT系列）
低输入电流1
mA
最大
10 LS- TTL负载扇出
TTL输入兼容
连接和逻辑图
双列直插式封装
真值表
输入
SELECT
C
X
L
L
L
L
H
H
H
H
B
X
L
L
H
H
L
L
H
H
A
X
L
H
L
H
L
H
L
H
频闪
S
H
L
L
L
L
L
L
L
L
输出
Y
Z
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
W
Z
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
TL F 9401 - 1
顶视图
订单号MM54HCT251或MM74HCT251
H
e
高逻辑级L级
e
逻辑电平
X
e
无关
e
高阻抗（关）
D0 D1
D7
e
各自的D输入端的电平
TL F 9401 - 2
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
C
1995年全国半导体公司
TL F 9401
RRD - B30M115印制在U S A
绝对最大额定值
（注1
2)
工作条件
电源电压（V
CC
)
DC输入或输出电压
(V
IN
V
OUT
)
工作温度范围（T
A
)
MM74HCT
MM54HCT
输入信号上升和下降时间
(t
r
t
f
)
V
CC
e
4 5V
民
2
0
最大
6
V
CC
单位
V
V
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电源电压（V
CC
)
直流输入电压（V
IN
)
直流输出电压（V
OUT
)
钳位二极管电流（I
IK
I
OK
)
b
0至5V
a
7 0V
b
1 5V至V
CC
a
1 5V
b
0 5V至V
CC
a
0 5V
g
20毫安
b
40
b
55
a
85
a
125
C
C
ns
g
35毫安
每个引脚的直流输出电流（I
OUT
)
g
70毫安
DC V
CC
或者每个引脚GND电流（I
CC
)
b
65℃，以
a
150 C
存储温度范围（T
英镑
)
功耗（P
D
)
（注3）
600毫瓦
仅s O包
500毫瓦
铅温度（T
L
） （焊接10秒）
260 C
500
DC电气特性
（注4 ）V
CC
e
5V
g
10%
符号
参数
条件
T
A
e
25 C
典型值
V
IH
V
IL
V
OH
最低高层
输入电压
最大低电平
输入电压
最低高层
输出电压
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
20
mA
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
4 0毫安V
CC
e
4 5V
l
I
OUT
l
s
4 8毫安V
CC
e
5 5V
V
OL
最大低电平
输出电压
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
20
mA
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
4 0毫安V
CC
e
4 5V
l
I
OUT
l
s
4 8毫安V
CC
e
5 5V
I
IN
I
OZ
I
CC
最大输入
当前
V
IN
e
V
CC
或GND
45
42
52
0
02
02
20
08
74HCT
保证限制
20
08
20
08
V
V
54HCT
T
A
eb
40℃
a
85 （C T）
A
eb
55 ℃
a
125 C单位
44
3 98
4 98
01
0 26
0 26
g
0 1
44
3 84
4 84
01
0 33
0 33
g
1 0
44
37
47
01
04
04
g
1 0
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
最大TRI -STATE V
OUT
e
V
CC
或GND
输出漏
频闪
e
V
CC
最大静态
电源电流
V
IN
e
V
CC
或GND
I
OUT
e
0
mA
V
IN
e
2 4V或5V 0
0 25
g
0 5
g
5 0
g
10
80
04
80
0 55
160
0 65
注1
绝对最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值
注2
除非另有说明，所有电压参考地
注3
功耗温度降额
塑料'' N' '包
b
12毫瓦C来自65 ℃至85℃的陶瓷'' J' '包
b
12毫瓦C来自100℃至125℃
注4
对于5V的电源
g
10％的最坏情况下的输出电压（V
OH
和V
OL
）在设计时会发生HC 4 5V因此， 4 5V值应使用
与此供应最坏情况V
IH
和V
IL
发生在V
CC
e
分别为5 5V和4 5V （在V
IH
5 5V值为3 85V ）最坏情况下的漏电流（I
IN
I
CC
和
I
OZ
）发生在CMOS在较高的电压，因此在6 0V的值，应使用
2
MM54HCT251 MM74HCT251 8通道TRI- STATE多路复用器
物理尺寸
英寸（毫米）
陶瓷双列直插式封装（J ）
订单号MM54HCT521J或MM74HCT521J
NS包装数J16A
模压双列直插式封装（ N）
订单号MM74HCT251N
NS包装数N16E
生命支持政策
美国国家半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统未经明确的书面许可，国家总统
半导体公司如本文所用
1生命支持设备或系统设备或
其中（ a）打算通过外科手术移植系统
进入体内或（b ）支持或维持生命，其
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明即可
可合理预期会导致在一个显著的伤害
向用户
美国国家半导体公司
公司
1111西巴丁路
阿灵顿德克萨斯州76017
联系电话：1（800 ） 272-9959
传真：1（800 ） 737-7018
2关键部件是一个生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
可以合理预期造成的生命的失败
支持设备或系统，或影响其安全性或
效用
美国国家半导体公司
欧洲
传真（
a
49) 0-180-530 85 86
电子邮件cnjwge tevm2 NSC COM
德语电话（
a
49) 0-180-530 85 85
电话英语（
a
49) 0-180-532 78 32
弗兰AIS电话（
a
49) 0-180-532 93 58
意大利语电话（
a
49) 0-180-534 16 80
美国国家半导体公司
（香港）有限公司
13楼直座
海洋中心5广东省
九龙尖沙咀
香港
电话：（ 852 ） 1637至00年
传真：（ 852 ） 2736-9960
美国国家半导体公司
日本公司
电话81-043-299-2309
传真81-043-299-2408
国家不承担任何使用电路的任何责任描述没有电路专利许可以及国家有权在任何时间，恕不另行通知更改上述电路和规格
