MJW21195 （ PNP ） MJW21196 （ NPN ）
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 发射极耐受电压（I
C
= 100 MADC ，我
B
= 0)
集电极截止电流（V
CE
= 200伏，我
B
= 0)
发射极截止电流（V
CE
= 5 VDC ，我
C
= 0)
集电极截止电流（V
CE
= 250 VDC ，V
BE （OFF）的
= 1.5伏）
第二击穿
第二击穿集电极电流与基地正向偏置
(V
CE
= 50伏直流， T = 1秒（不重复）
(V
CE
= 80伏直流， T = 1秒（不重复）
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 8 ADC ，V
CE
= 5 V直流）
(I
C
= 16位ADC ，我
B
= 5 ADC）
基射极电压上（我
C
= 8 ADC ，V
CE
= 5 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 8 ADC ，我
B
= 0.8 ADC）
(I
C
= 16位ADC ，我
B
= 3.2 ADC）
动态特性
总谐波失真在输出
V
RMS
= 28.3 V，F = 1千赫，P
负载
= 100 W
RMS
（一对匹配
FE
= 50 @ 5 A / 5 V ）
电流增益带宽积
(I
C
= 1 ADC ，V
CE
= 10 VDC ，女
TEST
= 1兆赫）
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0, f
TEST
= 1兆赫）
h
FE
独一无二
h
FE
MATCHED
T
HD
f
T
C
ob
4
0.8
0.08
500
兆赫
pF
%
h
FE
20
8
80
2.0
1.0
3
VDC
VDC
I
S / B
4.0
2.25
ADC
V
CEO （ SUS ）
I
首席执行官
I
EBO
I
CEX
250
100
50
50
VDC
MADC
MADC
MADC
符号
民
典型
最大
单位
V
BE（上）
V
CE （ SAT ）
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2
MJW21195 （ PNP ） MJW21196 （ NPN ）
典型特征
PNP MJW21195
尺，当前带宽产品（兆赫）
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
0.1
1.0
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
T
J
= 25°C
f
TEST
= 1兆赫
V
CE
= 5 V
V
CE
= 10 V
尺，当前带宽产品（兆赫）
6.5
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.1
NPN MJW21196
V
CE
= 10 V
V
CE
= 5 V
T
J
= 25°C
f
TEST
= 1兆赫
1.0
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
图1.典型的电流增益
带宽积
PNP MJW21195
1000
1000
图2.典型电流增益
带宽积
NPN MJW21196
^ h FE ， DC电流增益
T
J
= 100°C
100
25°C
- 25°C
V
CE
= 20 V
10
0.1
1.0
10
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
100
^ h FE ， DC电流增益
100
T
J
= 100°C
25°C
- 25°C
V
CE
= 20 V
10
0.1
1.0
10
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
100
图3.直流电流增益，V
CE
= 20 V
PNP MJW21195
1000
1000
图4.直流电流增益，V
CE
= 20 V
NPN MJW21196
100
T
J
= 100°C
25°C
- 25°C
V
CE
= 5 V
^ h FE ， DC电流增益
^ h FE ， DC电流增益
100
T
J
= 100°C
25°C
- 25°C
V
CE
= 5 V
10
0.1
1.0
10
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
100
10
0.1
1.0
10
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
100
图5.直流电流增益，V
CE
= 5 V
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3
图6.直流电流增益，V
CE
= 5 V
MJW21195 （ PNP ） MJW21196 （ NPN ）
典型特征
PNP MJW21195
30
2.0 A
IC ，集电极电流（ A）
1.5 A
1.0 A
I
B
= 0.5 A
IC ，集电极电流（ A）
25
20
15
10
5.0
T
J
= 25°C
0
0
5.0
10
15
20
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
25
0
0
5.0
10
15
20
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
25
30
25
20
I
B
= 0.5 A
15
10
5.0
T
J
= 25°C
NPN MJW21196
2.0 A
1.5 A
1.0 A
图7.典型的输出特性
PNP MJW21195
3.0
1.4
饱和电压（伏）
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
V
CE （ SAT ）
0
0.1
1.0
10
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
100
0
0.1
V
BE （ SAT ）
饱和电压（伏）
T
J
= 25°C
I
C
/I
B
= 10
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
图8.典型输出特性
NPN MJW21196
T
J
= 25°C
I
C
/I
B
= 10
V
BE （ SAT ）
V
CE （ SAT ）
0.2
1.0
10
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
100
图9.典型的饱和电压
图10.典型的饱和电压
PNP MJW21195
VBE （上） ，基极发射极电压（伏）
VBE （上） ，基极发射极电压（伏）
10
T
J
= 25°C
10
T
J
= 25°C
NPN MJW21196
1.0
1.0
V
CE
= 20 V
V
CE
= 5 V
0.1
0.1
1.0
10
100
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
V
CE
= 20 V
V
CE
= 5 V
0.1
0.1
1.0
10
100
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
图11.典型的基射极电压
图12.典型的基射极电压
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4
MJW21195 （ PNP ） MJW21196 （ NPN ）
有对的功率处理能力两方面的局限性
的晶体管;平均结温及二次
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图13的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。在高温情况下，
的温度下，热限制会降低功率比
可以处理到的值小于规定的限制
二次击穿。
典型特征
PNP MJW21195
100
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
100
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
NPN MJW21196
10毫秒
10
1秒
1
100毫秒
10毫秒
10
1秒
100毫秒
1
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
1000
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图13.活动区的安全工作区
图14.活动区的安全工作区
10000
C
ib
C，电容（pF ）
C，电容（pF ）
10000
C
ib
1000
C
ob
T
J
= 25°C
f
TEST
= 1兆赫
100
0.1
1.0
10
100
V
R
，反向电压（伏）
1000
T
J
= 25°C
f
TEST
= 1兆赫
100
0.1
1.0
C
ob
10
100
V
R
，反向电压（伏）
图15. MJW21195典型电容
图16. MJW21196典型电容
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5
MJW21195 （ PNP ） MJW21196 （ NPN ）
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 发射极耐受电压（I
C
= 100 MADC ，我
B
= 0)
集电极截止电流（V
CE
= 200伏，我
B
= 0)
发射极截止电流（V
CE
= 5 VDC ，我
C
= 0)
集电极截止电流（V
CE
= 250 VDC ，V
BE （OFF）的
= 1.5伏）
第二击穿
第二击穿集电极电流与基地正向偏置
(V
CE
= 50伏直流， T = 1秒（不重复）
(V
CE
= 80伏直流， T = 1秒（不重复）
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 8 ADC ，V
CE
= 5 V直流）
(I
C
= 16位ADC ，我
B
= 5 ADC）
基射极电压上（我
C
= 8 ADC ，V
CE
= 5 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 8 ADC ，我
B
= 0.8 ADC）
(I
C
= 16位ADC ，我
B
= 3.2 ADC）
动态特性
总谐波失真在输出
V
RMS
= 28.3 V，F = 1千赫，P
负载
= 100 W
RMS
（一对匹配
FE
= 50 @ 5 A / 5 V ）
电流增益带宽积
(I
C
= 1 ADC ，V
CE
= 10 VDC ，女
TEST
= 1兆赫）
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0, f
TEST
= 1兆赫）
T
HD
h
FE
独一无二
h
FE
MATCHED
f
T
C
ob
4
0.8
0.08
500
兆赫
pF
%
h
FE
20
8
V
BE（上）
V
CE （ SAT ）
1.0
3
80
2.0
VDC
VDC
I
S / B
4.0
2.25
ADC
V
CEO （ SUS ）
I
首席执行官
I
EBO
I
CEX
250
100
50
50
VDC
MADC
MADC
MADC
符号
民
典型
最大
单位
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2
MJW21195 （ PNP ） MJW21196 （ NPN ）
典型特征
PNP MJW21195
F T ，当前带宽产品（兆赫）
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
0.1
1.0
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
T
J
= 25°C
f
TEST
= 1兆赫
V
CE
= 5 V
F T ，当前带宽产品（兆赫）
6.5
V
CE
= 10 V
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
NPN MJW21196
V
CE
= 10 V
V
CE
= 5 V
T
J
= 25°C
f
TEST
= 1兆赫
0.1
1.0
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
图1.典型的电流增益
带宽积
PNP MJW21195
1000
1000
图2.典型电流增益
带宽积
NPN MJW21196
^ h FE ， DC电流增益
100
T
J
= 100°C
25°C
25
°C
V
CE
= 20 V
0.1
1.0
10
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
100
^ h FE ， DC电流增益
100
T
J
= 100°C
25°C
25
°C
V
CE
= 20 V
0.1
1.0
10
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
100
10
10
图3.直流电流增益，V
CE
= 20 V
PNP MJW21195
1000
1000
图4.直流电流增益，V
CE
= 20 V
NPN MJW21196
^ h FE ， DC电流增益
100
T
J
= 100°C
25°C
25
°C
V
CE
= 5 V
0.1
1.0
10
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
100
^ h FE ， DC电流增益
100
T
J
= 100°C
25°C
25
°C
V
CE
= 5 V
0.1
1.0
10
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
100
10
10
图5.直流电流增益，V
CE
= 5 V
图6.直流电流增益，V
CE
= 5 V
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3
MJW21195 （ PNP ） MJW21196 （ NPN ）
典型特征
PNP MJW21195
30
IC ，集电极电流（ A）
IC ，集电极电流（ A）
25
20
15
10
5.0
0
T
J
= 25°C
0
5.0
10
15
20
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
25
2.0 A
1.5 A
1.0 A
I
B
= 0.5 A
30
25
20
15
10
5.0
0
0
NPN MJW21196
2.0 A
1.5 A
1.0 A
I
B
= 0.5 A
T
J
= 25°C
5.0
10
15
20
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
25
图7.典型的输出特性
PNP MJW21195
3.0
饱和电压（伏）
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
V
CE （ SAT ）
0.1
1.0
10
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
100
V
BE （ SAT ）
饱和电压（伏）
T
J
= 25°C
I
C
/I
B
= 10
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
图8.典型输出特性
NPN MJW21196
T
J
= 25°C
I
C
/I
B
= 10
V
BE （ SAT ）
V
CE （ SAT ）
1.0
10
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
100
图9.典型的饱和电压
图10.典型的饱和电压
PNP MJW21195
VBE （上） ，基极发射极电压（伏）
VBE （上） ，基极发射极电压（伏）
10
T
J
= 25°C
10
T
J
= 25°C
NPN MJW21196
1.0
1.0
V
CE
= 20 V
V
CE
= 5 V
0.1
0.1
1.0
10
100
V
CE
= 20 V
V
CE
= 5 V
0.1
1.0
10
100
0.1
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
图11.典型的基射极电压
图12.典型的基射极电压
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4
MJW21195 （ PNP ） MJW21196 （ NPN ）
有对的功率处理能力两方面的局限性
的晶体管;平均结温及二次
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图13的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。在高温情况下，
的温度下，热限制会降低功率比
可以处理到的值小于规定的限制
二次击穿。
典型特征
PNP MJW21195
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
100
100
NPN MJW21196
10毫秒
10
1秒
1
100毫秒
10毫秒
10
1秒
100毫秒
1
0.1
1
10
100
1000
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
0.1
1
10
100
1000
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图13.活动区的安全工作区
图14.活动区的安全工作区
10000
C
ib
C，电容（pF ）
C，电容（pF ）
10000
C
ib
1000
C
ob
T
J
= 25°C
f
TEST
= 1兆赫
100
0.1
1.0
10
100
1000
T
J
= 25°C
f
TEST
= 1兆赫
100
0.1
1.0
C
ob
10
100
V
R
，反向电压（伏）
V
R
，反向电压（伏）
图15. MJW21195典型电容
图16. MJW21196典型电容
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