MJE5850 ， MJE5851 ，
MJE5852
MJE5851和MJE5852的首选设备
SWITCHMODEt系列
PNP广颖电
晶体管
该MJE5850 ， MJE5851和MJE5852晶体管的设计
高电压，高转速，功率开关的感应电路
其中，下降时间是至关重要的。它们特别适用于线操作
开关模式的应用程序。
特点
http://onsemi.com
开关稳压器
逆变器
电磁阀和继电器驱动器
电机控制
偏转电路
快速关断时间
100 ns的电感下降时间@ 25_C （典型值）
125 ns的感应交叉时间@ 25 ° C（典型值）
工作温度范围为-65 + 150_C
100_C性能指定为：
反向偏置SOA感性负载
开关时间与感性负载
饱和电压
漏电流
无铅包可用*
8安培
PCP硅
功率晶体管
300-350-400伏
80瓦
记号
图
MJE585xG
AY WW
1
2
TO220AB
CASE 221A -09
风格1
3
MJE585x
G
A
Y
WW
=器件代码
X = 0，1，或2个
= Pb-Free包装
=大会地点
=年
=工作周
订购信息
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
1
2006年2月 - 第4版
出版订单号：
MJE5850/D
MJE5850 ， MJE5851 ， MJE5852
最大额定值
等级
符号
MJE5850
300
350
MJE5851
350
400
6.0
MJE5852
400
450
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
集电极电流
基极电流
V
CEO （ SUS ）
V
CEV
V
EB
I
C
I
B
I
CM
I
BM
P
D
- 连续
- 山顶（注1 ）
- 连续
- 山顶（注1 ）
8.0
16
4.0
8.0
总功率耗散@ T
C
= 25_C
减免上述25℃
80
0.640
W
W / ℃，
_C
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
- 65 150
热特性
等级
符号
R
QJC
T
L
最大
单位
热阻，结到外壳
1.25
275
° C / W
_C
从1/8“ ：最大的铅焊接温度的目的
情况下持续5秒
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1.脉冲测试：脉冲宽度= 5毫秒，占空比
≤
10%.
订购信息
设备
MJE5850
MJE5850G
MJE5851
MJE5851G
MJE5852
MJE5852G
包
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
50单位/铁
航运
http://onsemi.com
2
2.脉冲测试： PW = 300
女士。
占空比
v
2%
开关特性
动态特性
基本特征
（注2 ）
第二击穿
开关特性
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
下降时间
交叉时间
贮存时间
下降时间
交叉时间
贮存时间
感性负载时，钳位
（表1）
下降时间
贮存时间
上升时间
延迟时间
阻性负载
（表1）
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0, f
TEST
= 1.0千赫）
基射极饱和电压
(I
C
= 4.0 ADC ，我
B
= 1.0 ADC）
(I
C
= 4.0 ADC ，我
B
= 1.0 ADC ，T
C
= 100_C)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 4.0 ADC ，我
B
= 1.0 ADC）
(I
C
= 8.0 ADC ，我
B
= 3.0 ADC）
(I
C
= 4.0 ADC ，我
B
= 1.0 ADC ，T
C
= 100_C)
直流电流增益
(I
C
= 2.0 ADC ，V
CE
= 5 V直流）
(I
C
= 5.0 ADC ，V
CE
= 5 V直流）
钳位感性SOA与基地反向偏置
第二击穿集电极电流与基地正向偏置
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 6.0伏，我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
=额定V
CEV
, R
BE
= 50
W,
T
C
= 100_C)
收藏家Cuto FF电流
(V
CEV
=额定值，V
BE （OFF）的
= 1.5伏）
(V
CEV
=额定值，V
BE （OFF）的
= 1.5伏，T
C
= 100_C)
集电极 - 发射极耐受电压
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 0)
(V
CC
= 250 VDC ，我
C
= 4.0 A，I
B1
= 1.0 A,
V
BE （OFF）的
= 5 VDC ，T
p
= 50
女士，
占空比
v
2%)
(V
CC
= 250 VDC ，我
C
= 4.0 A，I
B1
= 1.0 A,
t
p
= 50
女士，
占空比
v
2%)
(I
CM
= 4 A，V
CEM
= 250 V，I
B1
= 1.0 A,
V
BE （OFF）的
= 5 VDC ，T
C
= 25_C)
(I
CM
= 4 A，V
CEM
= 250 V，I
B1
= 1.0 A,
V
BE （OFF）的
= 5 VDC ，T
C
= 100_C)
特征
MJE5850 ， MJE5851 ， MJE5852
http://onsemi.com
MJE5850
MJE5851
MJE5852
V
CEO （ SUS ）
符号
RBSOA
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
I
EBO
I
CER
I
CEV
C
ob
h
FE
I
S / B
t
sv
t
sv
t
d
t
fi
t
c
t
fi
t
c
t
s
t
r
t
f
民
300
350
400
15
5
0.125
0.100
0.025
0.60
0.11
典型值
270
见图13
见图12
0.1
0.5
0.1
0.4
0.8
最大
1.5
3.0
0.5
2.0
0.5
0.1
1.5
1.5
2.0
5.0
2.5
1.0
3.0
0.5
2.5
MADC
MADC
MADC
单位
VDC
VDC
VDC
pF
ms
ms
ms
ms
ms
ms
ms
ms
ms
ms
3
MJE5850 ， MJE5851 ， MJE5852
典型电气特性
200
100
的hFE ， DC电流增益
70
50
30
20
V
CE
= 5 V
10
7.0
5.0
3.0
2.0
0.1
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
2.0
1.6
I
C
= 0.25 A
1.2
1.0 A
2.5 A
5.0 A
0.8
T
J
= 25°C
0.4
0
0.01
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
5.0 7.0
10
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5 1.0
2.0
I
B
，基极电流（ AMPS ）
5.0
10
图1.直流电流增益
图2.集电极饱和区
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
2.0
2.0
1.6
I
C
/I
B
= 4
V，电压（V ）
1.6
I
C
/I
B
= 4
1.2
1.2
0.8
T
J
= 150°C
0.8
T
J
= 25°C
0.4
0
0.1
T
J
= 25°C
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0
10
0.4
0
0.1
T
J
= 150°C
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0
10
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
图3.集电极 - 发射极饱和电压
图4.基射极电压
10
5
IC ，集电极电流（ NA）
10
4
T
J
= 150°C
10
3
100°C
10
2
10
1
10
0
+0.2
反向
25°C
+0.1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
前锋
V
CE
= 200 V
3000
2000
T
J
= 25°C
C，电容（pF ）
1000
500
C
ob
200
100
50
30
0.1 0.2
0.5 1.0
5.0 10 20 50 100 200 500 1000
V
R
，反向电压（伏）
C
ib
V
BE
，基极发射极电压（伏）
图5.集电极截止区
图6.电容
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4
MJE5850 ， MJE5851 ， MJE5852
表1.测试条件为动态性能
V
CEO （ SUS ）
RBSOA以及电感式开关
电阻开关
+V
0.0025
mF
0.2
mF
500
W
1/2 W
500
W
1/2 W
50
mF
+
10 V
20
1
0.1
mF
MJE15029
1N4934
I
B1
开启时间
1
2
输入
条件
0
0.1
mF
2
输入
+V
0
50
W
2W
500
W
1/2 W
0.2
mF
0.0033
mF
500
W
1/2 W
1
W
2
MJE15028W
0.1
mF
+
1
2
PW变化，以臻
I
C
= 100毫安
I
B1
调整为
获得强制
h
FE
所需
关断时间
使用电感式开关
驱动程序作为输入到
电阻测试电路。
-V调整，以获得期望的我
B1
+ V调节，以获得所需的V
BE （OFF）的
电路
值
L
COIL
= 180
mH
R
COIL
= 0.05
W
V
CC
= 20 V
50
mF
V
V
CC
= 250 V
R
L
= 62
W
脉冲宽度= 10
ms
阻性测试电路
t
1
调整为
获得我
C
L
COIL
= 80毫亨，V
CC
= 10 V
R
COIL
= 0.7
W
V
钳
= 250 V
R
B
经调整以达到我想要的
B1
电感试验电路
输出波形
I
C
测试电路
1
TUT
1N4937
OR
当量
V
钳
RS =
0.1
W
R
COIL
L
COIL
V
CC
V
CE
I
CM
t
1
t
f
IN-
放
见上文
具体情况
t
f
夹
t
t
1
≈
t
2
≈
L
COIL
(I
CM
)
V
CC
L
COIL
(I
CM
)
V
钳
1
2
TUT
R
L
V
CC
V
CEM
TIM
E
t
2
V
钳
t
测试设备
范围 - 泰克
475或等效
1.0
t
c
100°C
T C ，交叉时间（
μs)
0.8
0.6
t
sv
100°C
t
sv
25°C
I
C
= 4 A
I
C
/I
B
= 4
T
J
= 25°C
3.0
2.7
吨SV ，蓄电时间（S ）
μ
2.4
2.1
1.8
1.5
I
B
V
CE
I
C
10%
90% I
B1
V
CEM
t
sr
t
rv
t
c
t
fi
10% 2%
I
CM
I
CM
t
ti
0.4
1.2
0.9
90%
I
CM
I
CM
时间
V
CEM
0.2
0
t
c
25°C
0.6
0.3
V
钳
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
V
BE
，基极发射极电压（伏）
图7.感应开关测量
图8.感应开关时间
http://onsemi.com
5
QQ：2881677436 复制
