MJE15028 ， MJE15030 （ NPN ）
MJE15029 ， MJE15031 （ PNP ）
首选设备
其他芯片
塑料功率晶体管
这些器件专为在使用高频驱动器
音频放大器。
特点
http://onsemi.com
直流电流增益指定为4.0安培
h
FE
= 40 （分） @我
C
= 3.0 ADC
= 20 （分） @我
C
= 4.0 ADC
集电极 - 发射极耐受电压 -
V
CEO （ SUS ）
= 120伏直流（最小值） ; MJE15028 ， MJE15029
= 150伏直流（最小值） ; MJE15030 ， MJE15031
高电流增益 - 带宽积
f
T
= 30兆赫（最小值） @我
C
= 500 MADC
TO- 220AB封装紧凑
无铅包可用*
8安培
功率晶体管
其他芯片
120-150伏， 50瓦
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
MJE15028 ， MJE15029
MJE15030 ， MJE15031
集电极 - 基极电压
MJE15028 ， MJE15029
MJE15030 ， MJE15031
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
器件总功耗@ T
C
= 25_C
减免上述25℃
器件总功耗@ T
C
= 25_C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
- 连续
- 山顶
符号
V
首席执行官
120
150
V
CB
120
150
V
EB
I
C
I
CM
I
B
P
D
P
D
T
J
, T
英镑
5.0
8.0
16
2.0
50
0.40
2.0
0.016
-65
+150
VDC
ADC
ADC
W
W / ℃，
W
W / ℃，
_C
MJE150xxG
AY WW
VDC
价值
单位
VDC
1
2
3
TO220AB
CASE 221A -09
风格1
标记图
热特性
特征
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
符号
R
QJC
R
qJA
最大
2.5
62.5
单位
° C / W
° C / W
MJE150xx =器件代码
X = 28 ， 29 ， 30或31
G
= Pb-Free包装
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2006年2月 - 第4版
出版订单号：
MJE15028/D
PD ，功耗（瓦）
1.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2.0%.
2. f
T
=
h
fe
f
TEST
.
动态特性
基本特征
（注1 ）
开关特性
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
电流增益 - 带宽积（注2 ）
(I
C
= 500 MADC ，V
CE
= 10 VDC ，女
TEST
= 10兆赫）
基射极电压ON
(I
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 2.0伏）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 1.0 ADC ，我
B
= 0.1 ADC）
直流电流增益线性度
(V
CE
从2.0到20V ，我
C
0.1 A到3 A）
（ NPN TO PNP ）
直流电流增益
(I
C
= 0.1 ADC ，V
CE
= 2.0伏）
(I
C
= 2.0 ADC ，V
CE
= 2.0伏）
(I
C
= 3.0 ADC ，V
CE
= 2.0伏）
(I
C
= 4.0 ADC ，V
CE
= 2.0伏）
发射Cuto FF电流
(V
BE
= 5.0伏，我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 120伏，我
E
= 0)
(V
CB
= 150伏，我
E
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 120伏，我
B
= 0)
(V
CE
= 150伏，我
B
= 0)
集电极 - 发射极耐受电压（注1 ）
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 0)
MJE15028 ， MJE15030 （ NPN ） MJE15029 ， MJE15031 （ PNP ）
特征
1.0
2.0
3.0
T
A
0
T
C
20
40
60
0
0
20
40
http://onsemi.com
图1.功率降额
MJE15028 ， MJE15029
MJE15030 ， MJE15031
MJE15028 ， MJE15029
MJE15030 ， MJE15031
MJE15028 ， MJE15029
MJE15030 ， MJE15031
T，温度（ ° C）
60
T
A
80
T
C
100
120
V
CEO （ SUS ）
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
h
FE
f
T
140
160
民
120
150
30
40
40
40
20
典型值
2
3
最大
1.0
0.5
0.1
0.1
10
10
10
MADC
MADC
MADC
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
2
MJE15028 ， MJE15030 （ NPN ） MJE15029 ， MJE15031 （ PNP ）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
Z
QJC （T ）
= R（T ）R
QJC
R
QJC
= 1.56 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
Z
QJC （T ）
2.0
5.0
吨，时间（ ms）的
10
20
50
P
（ PK）
R（T ） ，瞬态热
电阻（标准化）
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
100
200
500
1.0 k
图2.热响应
IC ，集电极电流（ AMP ）
20
16
10
100
ms
5毫秒
dc
键合丝有限公司
限热
第二击穿
有限公司@ T
C
= 25°C
1.0
0.1
0.02
2.0
MJE15028
MJE15029
MJE15030
MJE15031
50
20
120 150
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
5.0
10
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作，也就是，晶体管不能承受较大的
散热则曲线表明。
图3和图4的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C;
T
C
是可变的取决于条件。二次击穿
脉冲限制的有效期为占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
< 150_C 。牛逼
J（下PK）
可以从该数据在图2中进行计算。
在高温情况下，热限制将减少
可处理到值小于所述电源
通过限制二次击穿的罚款。
图3.正向偏置安全工作区
8.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
1000
500
C，电容（pF ）
C
ib
（ NPN ）
C
ib
（ PNP）
5.0
I
C
/I
B
= 10
T
C
= 25°C
V
BE （OFF）的
= 9 V
5V
3V
1.5 V
0V
100 110 120 130 140 150
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
200
100
50
30
20
10
1.5
3.0
50
5.0 7.0 10
30
V
R
，反向电压（伏）
C
ob
（ NPN ）
C
ob
（ PNP）
3.0
2.0
1.0
0
0
100 150
图4.反向偏置开关
安全工作区
图5的电容
http://onsemi.com
3
MJE15028 ， MJE15030 （ NPN ） MJE15029 ， MJE15031 （ PNP ）
尺，电流增益带宽积（兆赫）
100
HFE ，小信号电流增益
100
90
（ PNP）
（ NPN ）
60
50
50
30
20
V
CE
= 10 V
I
C
= 0.5 A
T
C
= 25°C
PNP
NPN
10
20
10
0
0.1
0.2
0.5
2.0
1.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
5.0
10
5.0
0.5
0.7
1.0
3.0
2.0
男，频率（MHz）
5.0
7.0
10
图6.小信号电流增益
图7.电流增益带宽积
NPN - MJE15028 MJE15030
1K
500
的hFE ， DC电流增益
200
150
100
70
50
30
20
10
0.1
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
T
J
= 55°C
V
CE
= 2.0 V
的hFE ， DC电流增益
1K
500
PNP - MJE15029 MJE15031
V
CE
= 2 V
T
J
= 150°C
200
100
50
T
J
= 25°C
T
J
= 55°C
20
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
10
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
5.0
10
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图8.直流电流增益
NPN
PNP
T
J
= 25°C
1.6
V，电压（V ）
V，电压（V ）
1.8
T
J
= 25°C
1.4
1.2
1.0
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.6
V
BE（上）
@ V
CE
= 2.0 V
V
CE （ SAT ）
= I
C
/I
B
= 20
I
C
/I
B
= 10
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
I
C
，集电极电流（ AMP ）
1.0
0.8
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE（上）
@ V
CE
= 2.0 V
0.4
V
CE （ SAT ）
= I
C
/I
B
= 20
0
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
0.2
0.1
I
C
/I
B
= 10
5.0
10
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图9. “开”电压
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4
MJE15028 ， MJE15030 （ NPN ） MJE15029 ， MJE15031 （ PNP ）
1.0
0.5
0.2
0.1
t
r
（ PNP）
V
CC
= 80 V
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
t
d
（ NPN ， PNP ）
T， TIME （
μ
s)
10
5.0
3.0
2.0
1.0
0.5
t
r
（ NPN ）
0.2
0.2
0.5
1.0
2.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
5.0
10
0.1
0.1
t
f
（ NPN ）
0.2
0.3
0.5
2.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
5.0
10
t
f
（ PNP）
t
s
（ PNP）
V
CC
= 80 V
I
C
/I
B
= 10, I
B1
= I
B2
t
s
（ NPN ）T
J
= 25°C
T， TIME （
μ
s)
0.05
0.03
0.02
0.01
0.1
图10.开启时间
图11.关断时间
订购信息
设备
MJE15028
MJE15028G
MJE15029
MJE15029G
MJE15030
MJE15030G
MJE15031
MJE15031G
包
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
http://onsemi.com
5
QQ：2881677436 复制
