【MJE13005首选设备SWITCHMODEt系列NPN硅功率晶体管这些器件专为高电压，高转速动力开】,IC型号MJE13005_06,MJE13005_06 PDF资料,MJE13005

MJE13005

首选设备

SWITCHMODEt系列

NPN硅功率

晶体管

这些器件专为高电压，高转速动力

开关电感电路中的下降时间是至关重要的。他们是

特别适用于115和220伏开关模式的应用程序

如开关稳压器的，逆变器，马达控制，

电磁阀/继电器驱动器和偏转电路。

特点

http://onsemi.com

V

CEO （ SUS ）

400 V

反向偏置SOA与感性负载@ T

C

= 100_C

电感式开关矩阵2至4 A， 25和100_C吨

c

@ 3A,

100_C是180纳秒（典型值）

700V的阻断能力

SOA和开关应用信息

无铅包装是可用*

最大额定值

等级

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

发射极电流

- 连续

- 山顶（注1 ）

- 连续

- 山顶（注1 ）

- 连续

- 山顶（注1 ）

符号

V

CEO （ SUS ）

V

CEV

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

I

BM

I

E

I

EM

P

D

P

D

T

J

, T

英镑

价值

400

700

9

4

8

2

4

6

12

2

16

75

600

-65

+150

单位

VDC

ADC

4安培

NPN硅

功率晶体管

400伏 - 75瓦

1

2

TO220AB

CASE 221A -09

风格1

3

标记图

MJE13005G

W

W / ℃，

W

W / ℃，

_C

A

位置

Y

WW

G

AGE

设备

MJE13005

MJE13005G

大会

=年

=工作周

=无铅封装

AY WW

器件总功耗@ T

C

= 25_C

减免上述25℃

器件总功耗@ T

C

= 25_C

减免上述25℃

工作和存储结

温度范围

热特性

特征

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

最大无铅焊接温度的

目的1/8“案件从5秒

符号

R

qJA

R

QJC

T

L

最大

62.5

1.67

275

单位

° C / W

_C

订购信息

包

TO220

（无铅）

航运

50单位/铁

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

1.脉冲测试：脉冲宽度= 5毫秒，占空比

≤

10%.

*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请

下载安森美半导体焊接与安装技术

参考手册， SOLDERRM / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2006年

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

1

2006年2月， - 启示录7

出版订单号：

MJE13005/D

2.脉冲测试：脉冲宽度= 300

女士，

占空比= 2 ％。

开关特性

动态特性

基本特征

（注2 ）

第二击穿

开关特性

（注2 ）

电气特性

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

下降时间

交叉时间

电压存储时间

感性负载时，钳位

（表2，图13）

下降时间

贮存时间

上升时间

延迟时间

阻性负载

（表2）

输出电容

(V

CB

= 10 VDC ，我

E

= 0 ， F = 0.1兆赫）

电流增益 - 带宽积

(I

C

= 500 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1兆赫）

基射极饱和电压

(I

C

= 1 ADC ，我

B

= 0.2 ADC）

(I

C

= 2的ADC ，我

B

= 0.5 ADC）

(I

C

= 2的ADC ，我

B

= 0.5 ADC ，T

C

= 100_C)

集电极 - 发射极饱和电压

(I

C

= 1 ADC ，我

B

= 0.2 ADC）

(I

C

= 2的ADC ，我

B

= 0.5 ADC）

(I

C

= 4个ADC ，我

B

= 1 ADC）

(I

C

= 2的ADC ，我

B

= 0.5 ADC ，T

C

= 100_C)

直流电流增益

(I

C

= 1 ADC ，V

CE

= 5 V直流）

(I

C

= 2的ADC ，V

CE

= 5 V直流）

钳位感性SOA与基地反向偏置

第二击穿集电极电流与基地正向偏置

发射Cuto FF电流

(V

EB

= 9 VDC ，我

C

= 0)

收藏家Cuto FF电流

(V

CEV

=额定值，V

BE （OFF）的

= 1.5伏）

(V

CEV

=额定值，V

BE （OFF）的

= 1.5伏，T

C

= 100_C)

集电极 - 发射极耐受电压

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 0)

(V

CC

= 125 VDC ，我

C

= 2 A,

I

B1

= I

B2

= 0.4 A，T

p

= 25

女士，

占空比

v

1%)

(I

C

= 2 A，V

钳

= 300伏，

I

B1

= 0.4 A，V

BE （OFF）的

= 5 VDC ，T

C

= 100_C)

特征

http://onsemi.com

MJE13005

2

V

CEO （ SUS ）

符号

RBSOA

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

I

EBO

I

CEV

C

ob

h

FE

I

S / B

t

sv

f

T

t

d

t

fi

t

r

t

f

t

c

t

s

民

400

10

8

4

0.025

0.16

0.32

典型值

0.9

0.4

1.7

0.3

65

见图12

见图11

最大

0.9

0.7

0.1

1.2

1.6

1.5

0.5

0.6

1

60

40

4

1

5

MADC

兆赫

单位

VDC

pF

ms

MJE13005

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏特

100

70

的hFE ， DC电流增益

50

25°C

30

20

55

°C

T

J

= 150°C

2

T

J

= 25°C

1.6

I

C

= 1 A

1.2

2A

3A

4A

0.8

10

7

5

0.04 0.06

V

CE

= 2 V

V

CE

= 5 V

0.1

0.2

0.4 0.6

1

I

C

，集电极电流（ AMP ）

2

4

0.4

0

0.03

0.05

0.1

0.2 0.3

0.5 0.7

I

B

，基极电流（ AMP ）

1

2

3

图1.直流电流增益

图2.集电极饱和区

VCE （SAT），集电极 - 发射极饱和

电压（伏）

VBE ，基极发射极电压（伏）

1.3

1.1

V

BE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 4

V

BE（上）

@ V

CE

= 2 V

T

J

= 55°C

25°C

0.7

25°C

0.5

150°C

0.3

0.04 0.06

0.1

0.2

0.4

0.6

1

2

4

0.55

I

C

/I

B

= 4

0.45

T

J

= 55°C

25°C

0.25

0.15

0.9

0.35

150°C

0.05

0.04 0.06

0.1

0.2

0.4

0.6

1

2

4

I

C

，集电极电流（ AMP ）

I

C

，集电极电流（ AMP ）

图3.基射极电压

图4.集电极 - 发射极饱和电压

10 k

V

CE

= 250 V

IC ，集电极电流（

μ

A)

1k

T

J

= 150°C

100

125°C

100°C

10

1

0.1

0.4

75°C

50°C

25°C

反向

0.2

前锋

0

+0.6

+0.2

+0.4

V

BE

，基极发射极电压（伏）

C，电容（pF ）

2k

1k

700

500

300

200

100

70

50

30

20

0.3

0.5

1 3 5

10

30

50

V

R

，反向电压（伏）

100

C

ob

300

C

ib

图5.集电极截止区

图6.电容

http://onsemi.com

3

MJE13005

I

CPK

90% V

钳

I

C

t

sv

t

rv

t

c

V

CE

I

B

90% I

B1

10% V

钳

10%

I

CPK

2% I

C

V

钳

90% I

C

t

fi

t

ti

开关时间注意

在电阻开关电路，上升，下降和存储时间

已经确定，适用于电流和电压

的波形，因为它们是同相的。但是，对于电感性

加载中通用的开关模式电源

用品和锤驱动器，电流和电压

波形不是同相的。因此，独立

测量必须在每个波形做

确定总切换时间。由于这个原因，在

以下新的条款已经确定。

t

sv

=电压贮存时间， 90 ％I

B1

到10 ％的V

钳

t

rv

=电压上升时间， 10-90 ％V

钳

t

fi

=电流下降时间， 90-10 ％I

C

t

ti

=电流拖尾， 10-2 ％I

C

t

c

=交叉时， 10 ％V

钳

到10％我

C

所述电感式开关的放大的部分

波形示于图7中的视觉识别以有助于

这些条款。

对于设计师，有在最小的开关损耗

存储时间和主要的开关功率损耗

发生交叉间隔期间，可以得到

使用来自AN- 222的标准方程：

P

SWT

= 1/2 V

CC

I

C

(t

c

)f

时间

图7.感应开关测量

T， TIME （

μ

s)

0.1

0.05

0.02

0.01

0.04

t

d

@ V

BE （OFF）的

= 5 V

T， TIME （

μ

s)

I

C

AMP

2

3

4

T

C

_C

t

sv

ns

t

rv

ns

t

fi

ns

t

ti

ns

t

c

ns

25

100

25

100

25

100

600

900

650

950

550

850

70

110

100

240

140

330

160

350

80

130

60

100

160

180

320

200

350

220

390

60

100

70

110

注：记录在感应开关电路在表2中的所有数据。

1

0.5

t

r

0.2

V

CC

= 125 V

I

C

/I

B

= 5

T

J

= 25°C

0.1

0.2

0.4

1

2

4

I

C

，集电极电流（ AMP ）

表1.典型感应开关性能

在一般情况下，吨

rv

+ t

fi

]

t

c

。然而，在较低的测试电流

这种关系可能是无效的。

为是与大多数的开关晶体管，电阻

开关被指定在25℃并已成为一个基准

设计师。然而，对于高频率的设计者

转换器电路中，面向用户的规格而

使之成为一个“开关模式”晶体管是感性

开关速度（T

c

和T

sv

），这些都保证在100_C 。

电阻开关性能

10

5

2

1

0.5

0.3

0.2

0.1

0.04

0.1

0.2

0.5

1

2

4

t

f

t

s

V

CC

= 125 V

I

C

/I

B

= 5

T

J

= 25°C

I

C

，集电极电流（ AMP ）

图8.导通时间

图9.开启，关闭时间

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4

MJE13005

表2.测试条件的动态性能

反向偏置安全工作区以及电感式开关

+5 V

1N4933 33

MJE210

0.001

mF

测试电路

5V

P

W

占空比

≤

10%

t

r

, t

f

≤

10纳秒

68

1k

33 1N4933

2N222

2

1k

+5 V

1N493

3

270

0.02

mF

1k

2N2905

47 100

1/2 W

MJE200

V

BE （OFF）的

V

CC

= 125 V

R

C

= 62

W

D1 = 1N5820或E.T.模式。

R

B

= 22

W

+10 V

25

ms

R

B

I

B

T.U.T.

I

C

5.1 k

51

4.0

V

钳

*选择研究

≥

1千伏

V

CE

D1

TUT

R

B

范围

电阻

开关

V

CC

+125 V

L

MR826*

R

C

记

PW和V

CC

调整所需的I

C

R

B

调整所需的I

B1

电路

值

线圈参数：

Ferroxcube公司核心＃ 6656

满管（ 16圈）＃ 16

GAP 200

mH/20

A

L

COIL

= 200

mH

输出波形

V

CC

= 20 V

V

钳

= 300伏

测试波形

I

C

I

C（ PK ）

t

f

夹

t

f

松开

≈

t

2

t

1

t

f

t

1

调整为

获得我

C

t

1

≈

t

2

≈

L

COIL

(I

C

pk

)

V

CC

L

COIL

(I

C

pk

)

测试设备

范围 - 泰克

475或等效

0

8 V

t

r

, t

f

＆ LT ; 10纳秒

占空比= 1.0 ％

R

B

和R

C

调整

对于想要我

B

我

C

V

CE

V

CE

or

V

钳

时间

t

2

t

V

钳

R（T ），瞬态热阻

（归一化）

1

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.03

0.02

0.01

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

1

Z

QJC （T ）

= R（T ）R

QJC

R

QJC

= 1.67 ° C / W MAX

D曲线任选一功率

脉冲序列如图

读取时间AT＆T

1

T

J（下PK）

T

C

= P

（ PK）

Z

QJC （T ）

2

5

吨，时间（ ms）的

10

20

50

P

（ PK）

t

1

t

2

占空比D = T

1

/t

2

100

200

500

1k

图10.典型的热响应[Z

QJC

(t)]

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5

半导体

标识特定网络阳离子

MJE13005

TO- 220AB封装

1.标记方法

激光打标

2.标记

1

K

MJE

13005

2

3

R

611

4

号

1

2

3

4

项

KEC

设备名称

记号

K

MJE

描述

KEC CORP 。

MJE13005

13005

级的hFE

LOT号

R

6

611

11

周

11 ：第11周

YEAR

R， O，Y

0~9 : 2000~2009

2006. 1. 9

版本号： 0

1/1