【MBRS3201T3200V ， 3A肖特基快速软恢复电力整流器SMC功率表面贴装封装http://】,IC型号MBRS3201T3G,MBRS3201T3G PDF资料,MBRS3201T3G经销商,ic,电子元器件-51电子网

MBRS3201T3

200V ， 3A肖特基

快速软恢复

电力整流器

SMC功率表面贴装封装

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特点

更低的正向电压比任何超快整流器：

< 0.59 V ，在150℃

开关速度快：反向恢复时间（t

） < 35纳秒

软恢复特性：软化系数（T

)

高度稳定的温度

无铅包装是否可用

肖特基整流器器

3安培， 200伏特

好处

显著降低EMI

消除了缓冲电路的需要

低开关和热损失

改进热管理

SMC

CASE 403

塑料

应用

发动机和方便控制系统

电机控制

电池充电器和开关式电源

机械特性

标记图

小型紧凑型表面贴装封装与J-德信息

矩形包装的自动化处理

重量： 217毫克（大约）

表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端

信息很容易焊

铅和安装表面焊接温度的目的：

260 ° C最大10秒

极性：缺口在塑体表示阴极引线

最大额定值

特征

反向重复峰值电压

工作峰值反向电压

阻断电压DC

平均正向电流整流

（额定V

, T

= 70°C)

非重复性峰值浪涌电流

工作结温

符号

RRM

RWM

F（ AV ）

FSM

价值

200

单位

AYWW

B321G

B321

=具体设备守则

=大会地点

=年

=工作周

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

订购信息

设备

包

SMC

（无铅）

航运

2500 /磁带&卷轴

100

-55到+150

°C

MBRS3201T3

MBRS3201T3G

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2005年

2005年8月 - 第2版

出版订单号：

MBRS3201T3/D

MBRS3201T3

热特性

特征

热阻，结到铅

热阻，结到环境

符号

qJL

qJA

价值

单位

° C / W

电气特性

特征

最大正向电压

= 3 A，T

= 25°C)

= 3 A，T

= 150°C)

最大瞬时反向电流（额定V

)

（额定直流电压，T

= 25°C)

（额定直流电压，T

= 150°C)

最大反向恢复时间

= 1 A， di / dt的= 100 A / US ，V

= 30 V)

100

1.0

5.0

符号

0.84

0.59

价值

单位

，正向电流（ A）

25°C

1.0

100°C

150°C

25°C

1.0

150°C

100°C

0.1

0.2

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0 1.1

1.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.1

1.2

，瞬时电压（V ）

图1.典型正向电压

图2.最大正向电压

1E1

1E2

，反向电流（ A）

1E3

1E4

1E5

1E6

1E7

1E8

1E9

25°C

100°C

150°C

，最大反向电流（A）

1.0E01

1.0E02

= 150°C

1.0E03

= 25°C

1.0E04

1.0E05

100 120 140 160 180 200

1.0E06

100

120 140 160 180 200

，反向电压（V）的

图3.典型的反向电流

图4.最大反向电流

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MBRS3201T3

1000

C，电容（pF ）

100

1.0

100 120 140 160 180 200

，反向电压（V）的

图5.典型电容

，平均功耗（ W）

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

1.5

2.5

3.5

4.5

，平均正向电流

方

，平均正向电流（ A）

方波

100

110

120

130

140

150

160

，焊接温度（ ° C）

图6.功耗

图7.降额曲线

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MBRS3201T3

包装尺寸

SMC

CASE 403-03

问题E

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

3. D尺寸应测量WITHIN维P.

4. 403-01 THRU -02过时了，新标准403-03 。

暗淡

民

1.90

0.05

2.92

0.15

5.59

6.60

7.75

0.76

MILLIMETERS

喃

最大

2.13

2.41

0.10

0.15

3.00

3.07

0.23

0.30

5.84

6.10

6.86

7.11

7.94

8.13

1.02

1.27

0.51 REF

民

0.075

0.002

0.115

0.006

0.220

0.260

0.305

0.030

英寸

喃

0.084

0.004

0.118

0.009

0.230

0.270

0.313

0.040

0.020 REF

最大

0.095

0.006

0.121

0.012

0.240

0.280

0.320

0.050

焊接足迹*

4.343

0.171

3.810

0.150

2.794

0.110

尺度4:1

英寸

*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息

详细信息，请下载安森美半导体焊接与

安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。

安森美半导体

和

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安森美半导体，日本顾客焦点中心

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50000

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电话：13410941925

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