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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2777页 > MJD5731
MJD5731
首选设备
高电压PNP硅
功率晶体管
。 。 。设计用于操作线的音频输出放大器，
SWITCHMODE 电源驱动器等开关
应用程序。
350 V（最小值） - V
CEO （ SUS ）
1.0 A额定集电极电流
PNP补语的MJD47通MJD50系列
http://onsemi.com
最大额定值
等级
符号
V
首席执行官
V
EB
I
C
MJD5731
350
5
单位
VDC
VDC
ADC
硅
功率晶体管
1.0 A， 350 V
15 W
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 -
连续
PEAK
1.0
3.0
总功耗
@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
P
D
15
0.12
瓦
W / ℃，
瓦
W / ℃，
mJ
°C
总功率耗散（ 1 ）
@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
P
D
1.56
0.0125
20
非钳位电感负载能量
（见图）
工作和存储结
温度范围
E
T
J
, T
英镑
- 55 150
记号
图
J5731
DPAK
CASE 369
J5731
DPAK
CASE 369A
风格1
热特性
特征
符号
R
QJC
R
qJA
T
L
最大
单位
热阻，结到外壳
8.33
80
° C / W
° C / W
°C
热阻，结到环境
（注1 ）
无铅焊接温度的
260
1.这些额定值，适用面安装在最小焊盘尺寸时，
推荐使用。
xx
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
=具体设备守则
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
订购信息
设备
MJD5731T4
包
DPAK
航运
2500 /磁带&卷轴
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年3月 - 修订版0
出版订单号：
MJD5731/D
2.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2.0%.
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
动态特性
基本特征
（注2 ）
开关特性
小信号电流增益
(I
C
= 0.2 ADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫）
电流增益 - 带宽积
(I
C
= 0.2 ADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 2.0兆赫）
基射极电压上
(I
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 10 VDC ）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 1.0 ADC ，我
B
= 0.2 ADC）
直流电流增益
(I
C
= 0.3 ADC ，V
CE
= 10 VDC ）
(I
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 10 VDC ）
发射Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
集电极 - 发射极耐受电压（注2 ）
最小焊盘尺寸推荐用于表面安装应用程序
特征
(V
CE
= 350伏，V
BE
= 0)
(V
CE
= 250 VDC ，我
B
= 0)
(V
BE
= 5.0伏，我
C
= 0)
(I
C
= 30 MADC ，我
B
= 0)
http://onsemi.com
MJD5731
2
英寸
mm
V
CEO （ SUS ）
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
I
首席执行官
I
EBO
I
CES
h
FE
h
fe
f
T
民
350
25
10
30
10
-
-
-
-
-
0.01
最大
175
-
1.5
1.0
0.5
0.1
-
-
-
-
-
MADC
MADC
MADC
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
-
-
0.243
6.172
0.063
1.6
0.118
3.0
0.100
2.54
0.165
4.191
0.190
4.826
MJD5731
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
200
100
的hFE ， DC电流增益
50
30
20
10
5.0
3.0
2.0
0.02 0.03
V
CE
= 10 V
T
J
= 150°C
25°C
55
°C
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
V
CE （SAT） ）
@ I
C
/I
B
= 5.0
0.05
0.2 0.3
0.1
0.5
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
1.0
2.0
55
°C
150°C
T
J
= 25°C
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
1.0
2.0
0
0.02 0.03
图1.直流电流增益
1.4
1.2
1.0
V，电压（ V）
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 5.0
0.8
25°C
0.6
0.4
0.2
0
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0
150°C
T
J
= 55°C
V，电压（V ）
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
图2.集电极 - 发射极饱和电压
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 5 V
V
BE（上）
@ V
CE
= 4 V
T
J
= 25°C
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 5 V
0.1
0.2
0.4 0.6
0.04 0.06
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
1
2
0
0.02
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
图3.基射极电压
图4. “开”电压
10
IC ，集电极电流（ AMP ）
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
焊线LIMIT
热限制
第二击穿极限
T
C
= 25°C
1.0毫秒
dc
500
ms
100
ms
0.05
0.02
0.01
5.0
10
20 30
50
100
200 300
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
500
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
- V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图5的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
v
150℃。牛逼
J（下PK）
可以从在数据计算
图6.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
图5.正向偏置安全工作区
http://onsemi.com
3
MJD5731
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
R
QJC （T ）
= R（T ）R
QJC
R
QJC
= 8.33 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
q
JC （T ）
P
（ PK）
R（T ） ，瞬态热
电阻（标准化）
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
50
100
200 300
500
1k
2 3
5
吨，时间（ ms）的
10
20
30
图6.热响应
开通脉冲
t
1
V
BE （OFF）的
V
in
约
.
11 V
t
2
t
3
51
C
jd
<<
eb
0V
t
1
≤
7.0纳秒
100
≤
t
2
＆ LT ; 500
ms
t
3
< 15纳秒
V
CC
R
C
范围
V
in
R
B
约。 9.0 V
占空比
≈
2.0%
+4.0 V
关断脉冲
图7.开关时间等效电路
1.0
0.5
0.3
T， TIME （
s)
0.2
0.1
0.05
0.03
0.02
0.01
0.02 0.03
t
d
t
r
T
J
= 25°C
V
CC
= 200 V
I
C
/I
B
= 5.0
T， TIME （
s)
5.0
3.0
2.0
1.0
0.5
0.3
0.2
0.1
0.05
0.02 0.03
t
f
t
s
T
J
= 25°C
V
CC
= 200 V
I
C
/I
B
= 5.0
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
1.0
2.0
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
1.0
2.0
图8.导通电阻性开关时间
图9.电阻关断开关时间
http://onsemi.com
4
MJD5731
测试电路
V
CE
MONITOR
MJE171
输入
50
50
V
BB1
= 10 V
+
R
BB2
=
100
W
R
BB1
=
150
W
TUT
+
V
BB2
=
0
R
S
=
0.1
W
100毫亨
V
CC
= 20 V
I
C
MONITOR
输入
电压
电压和电流波形
t
w
≈
3毫秒
（见注1 ）
0V
5 V
100毫秒
0.63 A
集热器
电流0 V
V
CER
集热器
电压
10 V
V
CE （ SAT ）
图10.感应负载开关
http://onsemi.com
5
MJD5731
高电压PNP硅
功率晶体管
esignedforlineoperate daudiooutputamplifier ，
SWITCHMODE
t
电源驱动器等开关
应用程序。
特点
http://onsemi.com
350 V（最小值）
V
CEO （ SUS ）
1.0 A额定集电极电流
PNP补语的MJD47通MJD50系列
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125
ESD额定值：人体模型， 3B
u
8000 V
机器型号，C
u
400 V
这些都是无铅封装
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
连续
PEAK
符号
V
首席执行官
V
EB
I
C
P
D
P
D
最大
350
5
1.0
3.0
15
0.12
1.56
0.0125
20
55
+150
单位
VDC
VDC
ADC
硅
功率晶体管
1.0安培
350伏， 15瓦
4
1 2
3
DPAK
CASE 369C
风格1
标记图
W
W / ℃，
W
W / ℃，
mJ
°C
A
Y
WW
J5731
G
=大会地点
=年
=工作周
=器件代码
= Pb-Free包装
AYWW
J
5731G
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
总功率耗散（注1 ）
@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
非钳位电感负载能量
（参见图10）
工作和存储结
温度范围
E
T
J
, T
英镑
热特性
特征
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
（注1 ）
无铅焊接温度的
符号
R
QJC
R
qJA
T
L
最大
8.33
80
260
单位
° C / W
° C / W
°C
订购信息
设备
MJD5731T4G
包
DPAK
（无铅）
航运
2500 /磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.这些额定值，适用面安装在最小焊盘时
推荐大小。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2011
2011年1月
第4版
1
出版订单号：
MJD5731/D
2.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2.0%.
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
动态特性
基本特征
（注2 ）
开关特性
小信号电流增益
(I
C
= 0.2 ADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫）
电流增益
带宽积
(I
C
= 0.2 ADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 2.0兆赫）
基射极电压ON
(I
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 10 VDC ）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 1.0 ADC ，我
B
= 0.2 ADC）
直流电流增益
(I
C
= 0.3 ADC ，V
CE
= 10 VDC ）
(I
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 10 VDC ）
发射Cuto FF电流
(V
BE
= 5.0伏，我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 350伏，V
BE
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 250 VDC ，我
B
= 0)
集电极 - 发射极耐受电压（注2 ）
(I
C
= 30 MADC ，我
B
= 0)
200
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
100
3.0
2.0
0.02 0.03
5.0
的hFE ， DC电流增益
10
30
50
20
T
J
= 150°C
- 55°C
25°C
0.05
图1.直流电流增益
0.1
0.2 0.3
0.5
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
特征
V
CE
= 10 V
1.0
http://onsemi.com
MJD5731
2.0
2
0.2
0.4
1.2
1.4
0.6
0.8
0
0.02 0.03
1
图2.集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （SAT） ）
@ I
C
/I
B
= 5.0
V
CEO （ SUS ）
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
I
首席执行官
I
EBO
I
CES
h
FE
h
fe
f
T
民
350
25
10
30
10
T
J
= 25°C
- 55°C
0.01
最大
175
1.5
1.0
0.5
0.1
150°C
MADC
MADC
MADC
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
0.05
0.1
0.5
0.2 0.3
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
1.0
2.0
MJD5731
1.4
1.2
1.0
V，电压（ V）
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 5.0
0.8
25°C
0.6
0.4
0.2
0
0.02 0.03
150°C
T
J
= - 55°C
V，电压（V ）
1.4
1.2
1
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 5 V
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.02
V
BE（上）
@ V
CE
= 4 V
T
J
= 25°C
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 5 V
0.1
0.2
0.4 0.6
0.04 0.06
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
1
2
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
图3.基射极电压
图4. “开”电压
10
5.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
焊线LIMIT
热限制
第二击穿极限
T
C
= 25°C
dc
1.0毫秒
500
ms
100
ms
0.05
0.02
0.01
5.0
100
50
200 300
10
20 30
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
500
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图5的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
v
150℃。牛逼
J（下PK）
可以从在数据计算
图6.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
图5.正向偏置安全工作区
R（T ） ，瞬态热
电阻（标准化）
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
R
QJC （T ）
= R（T ）R
QJC
R
QJC
= 8.33 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
- T
C
= P
（ PK）
q
JC （T ）
P
（ PK）
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1
2 3
5
吨，时间（ ms）的
10
20
30
50
100
200 300
500
1k
图6.热响应
http://onsemi.com
3
MJD5731
开通脉冲
t
1
V
BE （OFF）的
V
in
AP-
PROX 。
-11 V
t
2
t
3
51
C
jd
<<
eb
0V
V
CC
t
1
≤
7.0纳秒
100
≤
t
2
＆ LT ; 500
ms
t
3
< 15纳秒
R
C
范围
R
B
V
in
约。 + 9.0 V
占空比
≈
2.0%
+ 4.0 V
关断脉冲
图7.开关时间等效电路
1.0
0.5
0.3
T， TIME （
μ
s)
0.2
0.1
0.05
0.03
0.02
0.01
0.02 0.03
t
d
t
r
T
J
= 25°C
V
CC
= 200 V
I
C
/I
B
= 5.0
T， TIME （
μ
s)
5.0
3.0
2.0
t
f
1.0
0.5
0.3
0.2
0.1
0.05
0.02 0.03
t
s
T
J
= 25°C
V
CC
= 200 V
I
C
/I
B
= 5.0
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
1.0
2.0
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
1.0
2.0
图8.导通电阻性开关时间
图9.电阻关断开关时间
测试电路
V
CE
MONITOR
MJE171
50
输入
50
+
V
BB1
= 10 V
-
R
BB2
=
100
W
R
BB1
=
150
W
TUT
+
-
V
BB2
=
0
R
S
=
0.1
W
输入
电压
100毫亨
V
CC
= 20 V
I
C
MONITOR
电压和电流波形
t
w
≈
3毫秒
（见注1 ）
0V
-5 V
100毫秒
0.63 A
集热器
电流0 V
V
CER
集热器
电压
10 V
V
CE （ SAT ）
图10.感应负载开关
http://onsemi.com
4
MJD5731
包装尺寸
DPAK
CASE 369C -01
版本D
C
A
B
c2
注意事项：
1.尺寸和公差符合ASME
Y14.5M ， 1994年。
2.控制尺寸：英寸。
3.热PAD等高可选WITHIN DI-
MENSIONS B3 ，L3和Z。
4.尺寸D和E不包括塑模
闪存，突起，或毛刺。模具
闪存，突起，或毛刺SHALL
不得超过0.006英寸每边。
5.尺寸D和E是在确定的
塑料机身最外层极端。
6.基准A和B是AT DATUM DETERMINED
平面H.
暗淡
A
A1
b
b2
b3
c
c2
D
E
e
H
L
L1
L2
L3
L4
Z
英寸
民
最大
0.086 0.094
0.000 0.005
0.025 0.035
0.030 0.045
0.180 0.215
0.018 0.024
0.018 0.024
0.235 0.245
0.250 0.265
0.090 BSC
0.370 0.410
0.055 0.070
0.108 REF
0.020 BSC
0.035 0.050
0.040
0.155
MILLIMETERS
民
最大
2.18
2.38
0.00
0.13
0.63
0.89
0.76
1.14
4.57
5.46
0.46
0.61
0.46
0.61
5.97
6.22
6.35
6.73
2.29 BSC
9.40 10.41
1.40
1.78
2.74 REF
0.51 BSC
0.89
1.27
1.01
3.93
E
b3
L3
1
4
A
D
2
3
Z
细节A
H
L4
b2
e
b
0.005 (0.13)
M
c
C
L2
规
飞机
H
C
L
L1
细节A
座位
飞机
A1
旋转90 CW
5
焊接足迹*
6.20
0.244
3.0
0.118
风格1 ：
1. PIN BASE
2.收集
3.辐射源
4.收集
2.58
0.101
5.80
0.228
1.6
0.063
6.172
0.243
尺度3:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
SWITCHMODE是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的商标。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
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和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
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出版物订货信息
文学履行：
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P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
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传真：
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销售代表
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5
MJD5731/D
MJD5731
首选设备
高电压PNP硅
功率晶体管
。 。 。设计用于操作线的音频输出放大器，
SWITCHMODE 电源驱动器等开关
应用程序。
350 V（最小值） - V
CEO （ SUS ）
1.0 A额定集电极电流
PNP补语的MJD47通MJD50系列
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最大额定值
等级
符号
V
首席执行官
V
EB
I
C
MJD5731
350
5
单位
VDC
VDC
ADC
硅
功率晶体管
1.0 A， 350 V
15 W
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 -
连续
PEAK
1.0
3.0
总功耗
@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
P
D
15
0.12
瓦
W / ℃，
瓦
W / ℃，
mJ
°C
总功率耗散（ 1 ）
@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
P
D
1.56
0.0125
20
非钳位电感负载能量
（见图）
工作和存储结
温度范围
E
T
J
, T
英镑
- 55 150
记号
图
J5731
DPAK
CASE 369
J5731
DPAK
CASE 369A
风格1
热特性
特征
符号
R
QJC
R
qJA
T
L
最大
单位
热阻，结到外壳
8.33
80
° C / W
° C / W
°C
热阻，结到环境
（注1 ）
无铅焊接温度的
260
1.这些额定值，适用面安装在最小焊盘尺寸时，
推荐使用。
xx
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
=具体设备守则
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
订购信息
设备
MJD5731T4
包
DPAK
航运
2500 /磁带&卷轴
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年3月 - 修订版0
出版订单号：
MJD5731/D
2.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2.0%.
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
动态特性
基本特征
（注2 ）
开关特性
小信号电流增益
(I
C
= 0.2 ADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫）
电流增益 - 带宽积
(I
C
= 0.2 ADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 2.0兆赫）
基射极电压上
(I
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 10 VDC ）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 1.0 ADC ，我
B
= 0.2 ADC）
直流电流增益
(I
C
= 0.3 ADC ，V
CE
= 10 VDC ）
(I
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 10 VDC ）
发射Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
集电极 - 发射极耐受电压（注2 ）
最小焊盘尺寸推荐用于表面安装应用程序
特征
(V
CE
= 350伏，V
BE
= 0)
(V
CE
= 250 VDC ，我
B
= 0)
(V
BE
= 5.0伏，我
C
= 0)
(I
C
= 30 MADC ，我
B
= 0)
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MJD5731
2
英寸
mm
V
CEO （ SUS ）
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
I
首席执行官
I
EBO
I
CES
h
FE
h
fe
f
T
民
350
25
10
30
10
-
-
-
-
-
0.01
最大
175
-
1.5
1.0
0.5
0.1
-
-
-
-
-
MADC
MADC
MADC
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
-
-
0.243
6.172
0.063
1.6
0.118
3.0
0.100
2.54
0.165
4.191
0.190
4.826
MJD5731
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
200
100
的hFE ， DC电流增益
50
30
20
10
5.0
3.0
2.0
0.02 0.03
V
CE
= 10 V
T
J
= 150°C
25°C
55
°C
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
V
CE （SAT） ）
@ I
C
/I
B
= 5.0
0.05
0.2 0.3
0.1
0.5
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
1.0
2.0
55
°C
150°C
T
J
= 25°C
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
1.0
2.0
0
0.02 0.03
图1.直流电流增益
1.4
1.2
1.0
V，电压（ V）
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 5.0
0.8
25°C
0.6
0.4
0.2
0
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0
150°C
T
J
= 55°C
V，电压（V ）
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
图2.集电极 - 发射极饱和电压
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 5 V
V
BE（上）
@ V
CE
= 4 V
T
J
= 25°C
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 5 V
0.1
0.2
0.4 0.6
0.04 0.06
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
1
2
0
0.02
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
图3.基射极电压
图4. “开”电压
10
IC ，集电极电流（ AMP ）
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
焊线LIMIT
热限制
第二击穿极限
T
C
= 25°C
1.0毫秒
dc
500
ms
100
ms
0.05
0.02
0.01
5.0
10
20 30
50
100
200 300
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
500
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
- V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图5的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
v
150℃。牛逼
J（下PK）
可以从在数据计算
图6.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
图5.正向偏置安全工作区
http://onsemi.com
3
MJD5731
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
R
QJC （T ）
= R（T ）R
QJC
R
QJC
= 8.33 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
q
JC （T ）
P
（ PK）
R（T ） ，瞬态热
电阻（标准化）
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
50
100
200 300
500
1k
2 3
5
吨，时间（ ms）的
10
20
30
图6.热响应
开通脉冲
t
1
V
BE （OFF）的
V
in
约
.
11 V
t
2
t
3
51
C
jd
<<
eb
0V
t
1
≤
7.0纳秒
100
≤
t
2
＆ LT ; 500
ms
t
3
< 15纳秒
V
CC
R
C
范围
V
in
R
B
约。 9.0 V
占空比
≈
2.0%
+4.0 V
关断脉冲
图7.开关时间等效电路
1.0
0.5
0.3
T， TIME （
s)
0.2
0.1
0.05
0.03
0.02
0.01
0.02 0.03
t
d
t
r
T
J
= 25°C
V
CC
= 200 V
I
C
/I
B
= 5.0
T， TIME （
s)
5.0
3.0
2.0
1.0
0.5
0.3
0.2
0.1
0.05
0.02 0.03
t
f
t
s
T
J
= 25°C
V
CC
= 200 V
I
C
/I
B
= 5.0
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
1.0
2.0
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
1.0
2.0
图8.导通电阻性开关时间
图9.电阻关断开关时间
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4
MJD5731
测试电路
V
CE
MONITOR
MJE171
输入
50
50
V
BB1
= 10 V
+
R
BB2
=
100
W
R
BB1
=
150
W
TUT
+
V
BB2
=
0
R
S
=
0.1
W
100毫亨
V
CC
= 20 V
I
C
MONITOR
输入
电压
电压和电流波形
t
w
≈
3毫秒
（见注1 ）
0V
5 V
100毫秒
0.63 A
集热器
电流0 V
V
CER
集热器
电压
10 V
V
CE （ SAT ）
图10.感应负载开关
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5
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推荐型号
MCP3021A2T-E/OT
MI-P2M-MVY
M27C4001-70F1X
MIC61300-10YMME
M38B55M8XXXFS
MAX6722UTRDD4-T
MAX5075B
MAX6835FXSD2-T
MSD7342-393MLB
MCP3221A6T-E/OT
MSM531655E
MRSE-1-3SKGPC
MC33814
M38220M9DXXXHP
MI-P7TY-MXX
MI-QC6PW-MYY
MS82V48540-7
MAX9250ECM+
MX7582KEWI
MCP4152-104E/SN
供货商
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批号
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    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MJD5731
    -
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    -
    -
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
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