OKI半导体
MS82V48540
393,216-Word
×
32-Bit
×
4 ，银行FIFO ， SGRAM
FEDS82V48540-01
发布日期：十一月8 ， 2002年
概述
该MS82V48540是一个48兆位的系统时钟同步动态随机存取存储器。除了
常规的随机读/写存取功能， MS82V48540提供自动行地址增量
功能，自动银行切换功能。因此，如果一次的行和列地址被置位，
连续串行访问是可能的，而银行会自动切换至预充电的输入
命令。该MS82V48540是理想的数码相机和电视机缓冲存储器应用。
特点
393,216字
×
32位
×
4组内存（ 1536行
×
256列
×
32位
×
4银行）
采用3.3 V单
±0.3
V电源
LVTTL兼容的输入和输出
可编程的突发长度（1， 2 ，4，8和全页）
可编程
CAS
延迟（ 2,3）的
连续自动地址递增函数和银行自动切换功能
关机操作和时钟暂停操作
3,072刷新周期/ 64毫秒
自动刷新和自刷新功能
包装：
86针400密耳的塑料TSOP （II） （ TSOPII86 -P- 400-0.50 -K）个（产品： MS82V48540 - XTA ）
x表示速度等级。
产品系列
家庭
MS82V48540-7
MS82V48540-8
马克斯。工作频率
143兆赫
125兆赫
存取时间
5纳秒
6纳秒
包
86引脚塑料TSOP （ II ） （ 400万）
1/44
FEDS82V48540-01
OKI半导体
MS82V48540
引脚说明
CLK
CS
获取所有输入的"H"边缘。
禁用或启用的设备操作通过声明或停用所有的输入，除了CLK ， CKE ，
DQM0 ， DQM1 ， DQM2和DQM3 。
口罩系统时钟停用以后CLK操作。
如果CKE是减活的，系统时钟将被屏蔽，以使随后的CLK的操作是
停用。 CKE应被断言的至少一个周期之前的一个新的命令。
行&列复用。
行地址： RA0 - RA10
列地址： CA0 - CA7
选择银行时行地址锁存器的时间被激活，并选择银行预充电和
在读列地址锁存时间/写。
BA0 = “L” ， BA1 = “ L” ：银行A
BA0 = “H” ， BA1 = “ L” ： B银行
BA0 = “L” ， BA1 = “H” ： C银行
BA0 = “H” ， BA1 = “ H” ：组D
功能取决于组合。有关详细信息，请参阅功能真值表。
DQM3设置"H"在"H"边缘 - 两个钟后，当DQM0口罩读取数据
CLOCK信号。
掩模相同的时钟的时DQM0写数据 - DQM3设置"H"在"H"边缘的
CLOCK信号。
DQM0控制DQ0到DQ7 ， DQM1控制DQ8到DQ15 ， DQM2控制DQ16到DQ23和
DQM3控制DQ24到DQ31 。
数据输入/输出复用相同的引脚。
CKE
地址
BA0 ， BA1
RAS
CAS
WE
DQM0 -
DQM3
DQ0 DQ31
*注： 1.当
CS
设置"High"从"Low"时钟过渡到"High" ，除了CLK ， CKE所有输入，
DQM0 ， DQM1 ， DQM2和DQM3是无效的。
2.当发出一个积极的，读或写命令时，该行被选中BA0和BA1 。
BA0
0
1
0
1
BA1
0
0
1
1
主动，读取或写入
银行
B组
C银行
组D
3.自动预充电功能启用或禁用的A10 / AP输入时读或
写命令被发出。
A10/AP
0
1
0
1
0
1
0
1
BA0
0
0
1
1
0
0
1
1
BA1
0
0
0
0
1
1
1
1
手术
爆结束后， A银行持有的工作状态。
爆结束后， A银行会自动预充电。
脉冲串的结束后，存储体B保持活性状态。
脉冲串的结束后，存储体B被自动预充电。
脉冲串的结束后， C银行持有的激活状态。
脉冲串的结束后，银行C被自动预充电。
脉冲串的结束后，组D保持活性状态。
脉冲串的结束后，银行D被自动预充电。
4/44
FEDS82V48540-01
OKI半导体
MS82V48540
4.当发出预充电命令，该行预充电选择了A10 / AP ，
BA0和BA1输入。
A10/AP
0
0
0
0
1
BA0
0
1
0
1
×
BA1
0
0
1
1
×
手术
A银行预充电。
B银行进行预充电。
C银行预充电。
银行D是预充电。
所有银行预充电。
5/44
OKI半导体
MS82V48540
393,216-Word
×
32-Bit
×
4 ，银行FIFO ， SGRAM
FEDS82V48540-01
发布日期：十一月8 ， 2002年
概述
该MS82V48540是一个48兆位的系统时钟同步动态随机存取存储器。除了
常规的随机读/写存取功能， MS82V48540提供自动行地址增量
功能，自动银行切换功能。因此，如果一次的行和列地址被置位，
连续串行访问是可能的，而银行会自动切换至预充电的输入
命令。该MS82V48540是理想的数码相机和电视机缓冲存储器应用。
特点
393,216字
×
32位
×
4组内存（ 1536行
×
256列
×
32位
×
4银行）
采用3.3 V单
±0.3
V电源
LVTTL兼容的输入和输出
可编程的突发长度（1， 2 ，4，8和全页）
可编程
CAS
延迟（ 2,3）的
连续自动地址递增函数和银行自动切换功能
关机操作和时钟暂停操作
3,072刷新周期/ 64毫秒
自动刷新和自刷新功能
包装：
86针400密耳的塑料TSOP （II） （ TSOPII86 -P- 400-0.50 -K）个（产品： MS82V48540 - XTA ）
x表示速度等级。
产品系列
家庭
MS82V48540-7
MS82V48540-8
马克斯。工作频率
143兆赫
125兆赫
存取时间
5纳秒
6纳秒
包
86引脚塑料TSOP （ II ） （ 400万）
1/44
FEDS82V48540-01
OKI半导体
MS82V48540
引脚说明
CLK
CS
获取所有输入的"H"边缘。
禁用或启用的设备操作通过声明或停用所有的输入，除了CLK ， CKE ，
DQM0 ， DQM1 ， DQM2和DQM3 。
口罩系统时钟停用以后CLK操作。
如果CKE是减活的，系统时钟将被屏蔽，以使随后的CLK的操作是
停用。 CKE应被断言的至少一个周期之前的一个新的命令。
行&列复用。
行地址： RA0 - RA10
列地址： CA0 - CA7
选择银行时行地址锁存器的时间被激活，并选择银行预充电和
在读列地址锁存时间/写。
BA0 = “L” ， BA1 = “ L” ：银行A
BA0 = “H” ， BA1 = “ L” ： B银行
BA0 = “L” ， BA1 = “H” ： C银行
BA0 = “H” ， BA1 = “ H” ：组D
功能取决于组合。有关详细信息，请参阅功能真值表。
DQM3设置"H"在"H"边缘 - 两个钟后，当DQM0口罩读取数据
CLOCK信号。
掩模相同的时钟的时DQM0写数据 - DQM3设置"H"在"H"边缘的
CLOCK信号。
DQM0控制DQ0到DQ7 ， DQM1控制DQ8到DQ15 ， DQM2控制DQ16到DQ23和
DQM3控制DQ24到DQ31 。
数据输入/输出复用相同的引脚。
CKE
地址
BA0 ， BA1
RAS
CAS
WE
DQM0 -
DQM3
DQ0 DQ31
*注： 1.当
CS
设置"High"从"Low"时钟过渡到"High" ，除了CLK ， CKE所有输入，
DQM0 ， DQM1 ， DQM2和DQM3是无效的。
2.当发出一个积极的，读或写命令时，该行被选中BA0和BA1 。
BA0
0
1
0
1
BA1
0
0
1
1
主动，读取或写入
银行
B组
C银行
组D
3.自动预充电功能启用或禁用的A10 / AP输入时读或
写命令被发出。
A10/AP
0
1
0
1
0
1
0
1
BA0
0
0
1
1
0
0
1
1
BA1
0
0
0
0
1
1
1
1
手术
爆结束后， A银行持有的工作状态。
爆结束后， A银行会自动预充电。
脉冲串的结束后，存储体B保持活性状态。
脉冲串的结束后，存储体B被自动预充电。
脉冲串的结束后， C银行持有的激活状态。
脉冲串的结束后，银行C被自动预充电。
脉冲串的结束后，组D保持活性状态。
脉冲串的结束后，银行D被自动预充电。
4/44
FEDS82V48540-01
OKI半导体
MS82V48540
4.当发出预充电命令，该行预充电选择了A10 / AP ，
BA0和BA1输入。
A10/AP
0
0
0
0
1
BA0
0
1
0
1
×
BA1
0
0
1
1
×
手术
A银行预充电。
B银行进行预充电。
C银行预充电。
银行D是预充电。
所有银行预充电。
5/44
QQ：2880707522 复制
