【MJD31 ， MJD31C （ NPN ）MJD32 ， MJD32C （ PNP ）互补发电晶体】,IC型号MJD32CT4,MJD32CT4 PDF资料,MJD32CT4经销商,ic,电子元器件-51电子网

MJD31 ， MJD31C （ NPN ）

MJD32 ， MJD32C （ PNP ）

互补发电

晶体管

DPAK对于表面贴装应用

专为通用放大器和低速切换

应用程序。

特点

http://onsemi.com

铅形成在塑料套管表面贴装应用

直引线型的塑料套管（ “1”后缀）

铅16毫米磁带和卷轴形成版本（ “ T4 ”后缀）

电类似于热门TIP31和TIP32系列

环氧符合UL 94 V- 0 @ 0.125

ESD额定值：人体模型， 3B

u

8000 V

机器型号，C

u

400 V

这些都是无铅封装

最大额定值

等级

集电极 - 发射极电压

MJD31 ， MJD32

MJD31C ， MJD32C

集电极 - 基极电压

MJD31 ， MJD32

MJD31C ， MJD32C

发射极 - 基极电压

集电极电流

连续

PEAK

基极电流

总功率耗散@ T

C

= 25°C

减免上述25℃

总功率耗散@ T

A

= 25°C

减免上述25℃

工作和存储结

温度范围

V

EB

I

C

I

B

P

D

P

D

T

J

, T

英镑

V

CB

符号

V

首席执行官

最大

40

100

40

100

5

3

5

1

15

0.12

1.56

0.012

65

to

+ 150

单位

VDC

1 2

硅

功率晶体管

3安培

40和100伏

15瓦

记号

图表

4

3

4

DPAK

CASE 369C

风格1

AYWW

J3xxG

VDC

1

VDC

ADC

W

W / ℃，

W

W / ℃，

°C

2

DPAK3

CASE 369D

风格1

3

A

Y

WW

xx

G

YWW

J3xxG

=站点代码

=年

=工作周

= 1 ，1C ，2或2C

= Pb-Free包装

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第8页。

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

热特性

特征

热阻，结到外壳

热阻，结到环境*

无铅焊接温度的目的

符号

R

QJC

R

qJA

T

L

最大

8.3

80

260

单位

° C / W

°C

*这些评价适用面安装在最小焊盘尺寸时，

推荐使用。

半导体元件工业有限责任公司， 2011

2011年2月

启8

1

出版订单号：

MJD31/D

1.脉冲测试：脉冲宽度

v

300

女士，

占空比

v

2%.

2. f

T

=

h

fe

f

TEST

.

动态特性

基本特征

（注1 ）

开关特性

电气特性

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

发射Cuto FF电流

(V

BE

= 5 VDC ，我

C

= 0)

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

=额定V

首席执行官

, V

EB

= 0)

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

= 40 VDC ，我

B

= 0)

(V

CE

= 60 VDC ，我

B

= 0)

集电极 - 发射极耐受电压（注1 ）

(I

C

= 30 MADC ，我

B

= 0)

小信号电流增益

(I

C

= 0.5 ADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1千赫）

电流增益

带宽积（注2 ）

(I

C

= 500 MADC ，V

CE

= 10 VDC ，女

TEST

= 1兆赫）

基射极电压ON

(I

C

= 3的ADC ，V

CE

= 4伏）

集电极 - 发射极饱和电压

(I

C

= 3的ADC，我

B

= 375 MADC ）

直流电流增益

(I

C

= 1 ADC ，V

CE

= 4伏）

(I

C

= 3的ADC ，V

CE

= 4伏）

MJD31 ， MJD31C （ NPN ）， MJD32 ， MJD32C （ PNP ）

特征

MJD31 ， MJD32

MJD31C ， MJD32C

MJD31 ， MJD32

MJD31C ， MJD32C

http://onsemi.com

V

CEO （ SUS ）

符号

V

CE （ SAT ）

V

BE（上）

冰

I

首席执行官

I

EBO

h

FE

h

fe

f

T

民

40

100

20

25

10

3

最大

1.8

1.2

20

50

1

MADC

兆赫

单位

VDC

2

MJD31 ， MJD31C （ NPN ）， MJD32 ， MJD32C （ PNP ）

典型特征

T

A

T

C

2.5 25

PD ，功耗（瓦）

25

ms

+11 V

0

1.5 15

T

A

（表面贴装）

T

C

-9 V

t

r

, t

f

≤

10纳秒

占空比= 1 ％

51

-4 V

D

1

R

B

V

CC

+ 30 V

R

C

范围

2 20

1 10

0.5

5

0

25

50

75

100

T，温度（ ° C）

125

150

R

B

和R

C

变化，以获得所需的电流水平

D

1

必须快速恢复类型，例如：

1N5825上面使用我

B

≈

百毫安

MSD6100下使用我

B

≈

百毫安

REVERSE ALL FOR极性PNP 。

图1.功率降额

图2.开关时间测试电路

2

1

0.7

0.5

T， TIME （

μ

s)

0.3

t

r

@ V

CC

= 30 V

I

C

/I

B

= 10

T

J

= 25°C

3

2

t

s

′

1

T， TIME （

μ

s)

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.03

0.05 0.07 0.1

0.2

0.3

0.5 0.7

t

f

@ V

CC

= 10 V

t

f

@ V

CC

= 30 V

I

B1

= I

B2

I

C

/I

B

= 10

t

s

′

= t

s

- 1/8 t

f

T

J

= 25°C

t

r

@ V

CC

= 10 V

0.1

0.07

0.05

0.03

0.02

0.03

t

d

@ V

BE （OFF）的

= 2 V

0.05 0.07 0.1

0.3

0.5 0.7

1

2

3

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

图3.开启时间

R（T ），瞬态热阻（标准化）

1

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.03

0.02

0.01

图4.开启，关闭时间

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.01

单脉冲

R

QJC （T ）

= R（T ）R

QJC

R

QJC

= 8.33 ° C / W MAX

D曲线任选一功率

脉冲序列如图

读取时间AT＆T

1

T

J（下PK）

- T

C

= P

（ PK）

q

JC （T ）

P

（ PK）

t

1

t

2

占空比D = T

1

/t

2

0.02 0.03

0.05

0.1

0.2 0.3

0.5

1

2 3

5

吨，时间（ ms）的

10

20

30

50

100

200 300

500

1k

图5.热响应

http://onsemi.com

3

MJD31 ， MJD31C （ NPN ）， MJD32 ， MJD32C （ PNP ）

典型特征

MJD31 ， MJD31C （ NPN ）

1000

150°C

h

FE

，直流电流增益

V

CE

= 4 V

1000

150°C

h

FE

，直流电流增益

V

CE

= 2 V

100

25°C

55°C

100

25°C

55°C

10

1

0.01

0.1

1

10

1

0.01

0.1

1

10

I

C

，集电极电流（ A）

I

C

，集电极电流（ A）

图6.直流电流增益在V

CE

= 4 V

0.6

V

CE （ SAT ）

时，Coll - EMITT饱和

电压（V）的

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0

0.001

25°C

55°C

0.01

0.1

1

150°C

V

BE （ SAT ）

， BASE- EMITT饱和电压（ V）

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.001

图7.直流电流增益在V

CE

= 2 V

I

C

/I

B

= 10

I

C

/I

B

= 10

55°C

25°C

150°C

10

I

C

，集电极电流（ A）

0.01

0.1

1

I

C

，集电极电流（ A）

10

图8.集电极 - 发射极饱和电压

V

BE（上）

，基极发射极电压（ V）

V

CE

，集电极 - 发射极电压（ V）

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.001

0.01

0.1

1

150°C

55°C

25°C

2

1.6

1.2

0.8

0.4

图9.基射极饱和电压

V

CE

= 5 V

T

A

=

25°C

百毫安

500毫安

I

C

= 3 A

1A

10

10毫安

0

0.01

0.1

1

10

100

1000

I

C

，集电极电流（ A）

I

B

，基极电流（毫安）

图10.基射极“开”电压

图11.集电极饱和区

http://onsemi.com

4

MJD31 ， MJD31C （ NPN ）， MJD32 ， MJD32C （ PNP ）

典型特征

MJD31 ， MJD31C （ NPN ）

1000

100

f

T

，电流增益

带宽

产品（兆赫）

V

CE

= 5 V

T

A

= 25°C

T

A

= 25°C

C

ib

C，电容（pF ）

100

C

ob

10

1

0.1

1

10

V

R

，反向电压（V）的

100

1

0.001

0.01

0.1

1

I

C

，集电极电流（ A）

10

图12.电容

10

I

C

，集电极电流（ A）

图13.电流增益带宽积

1

0.1

0.01

1

10

V

CE

，集电极 - 发射极电压（ V）

100

图14.安全工作区

http://onsemi.com

5

MJD32C

低电压PNP功率晶体管

特点

■

NPN型是MJD31C

表面贴装在TO- 252功率封装

磁带&卷轴

应用

■

3

1

DPAK

TO-252

通用开关和放大器

描述

该装置在平面技术制造的

与“基地岛”的布局。由此产生的晶体管

显示了卓越的高增益性能

再加上非常低的饱和电压。

图1 。

内部原理图

表1中。

订货编号

记号

MJD32C

包

DPAK

包装

磁带&卷轴

产品型号

MJD32CT4

2007年6月

REV 1

1/9

www.st.com

9

电气额定值

MJD32C

1

电气额定值

表2中。

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

合计

T

英镑

T

J

绝对最大额定值

参数

集电极 - 基极电压（I

E

= 0)

集电极 - 基极电压（I

B

= 0)

发射极 - 基极电压（I

C

= 0)

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

总功耗在T

c

= 25°C

储存温度

马克斯。工作结温

价值

-100

-5

-3

-5

-1

15

-65到150

150

单位

V

A

W

°C

2/9

MJD32C

电气特性

2

电气特性

(T

例

= 25 ° C除非另有规定编）

表3中。

符号

I

CES

I

首席执行官

I

EBO

电气特性

参数

集电极截止电流

(V

BE

= 0)

集电极截止电流

(I

B

= 0)

发射极截止电流

(I

C

= 0)

(1)

测试条件

V

CE

=-100V

V

CB

=-60V

V

EB

=-5V

分钟。

典型值。

马克斯。

-20

-50

-0.1

单位

A

mA

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

维持电压

(I

B

= 0)

集电极 - 发射极

饱和电压

基射极电压上

直流电流增益

I

C

=-30mA

-100

V

CE （饱和）（1）

V

BE（上）（1）

h

FE

I

C

=-3A

I

C

=-3A

I

C

=-1A

I

C

= -3A

_

I

B

=-375mA

V

CE

=-4V

V

CE

=-4V

V

CE

=-4V

25

10

-1.2

-1.8

50

V

1，注意事项（1 ）脉冲持续时间= 300毫秒，占空比1.5英镑％

2.1

电特性（曲线）

图2中。

安全工作区

网络连接gure 3 。

降额曲线

3/9

电气特性

图4中。

直流电流增益

图5中。

直流电流增益

MJD32C

图6 。

集电极 - 发射极饱和

电压

图7 。

基射极饱和

电压

网络连接gure 8 。

电压集电极 - 发射极

图9 。

阻性负载开关时间

4/9

MJD32C

图10.电阻负载开关时间

电气特性

2.2

测试电路

图11.电阻负载开关测试电路

1 ）快速的电子开关

2）无感电阻器

5/9

MJD31 ， MJD31C （ NPN ）

MJD32 ， MJD32C （ PNP ）

MJD31C和MJD32C的首选设备

互补发电

晶体管

DPAK对于表面贴装应用

专为通用放大器和低速切换

应用程序。

特点

http://onsemi.com

铅形成在塑料套管表面贴装应用

直引线型的塑料套管（ “1”后缀）

铅16毫米磁带和卷轴形成版本（ “ T4 ”后缀）

电类似于热门TIP31和TIP32系列

环氧符合UL 94 V- 0 @ 0.125

ESD额定值：人体模型， 3B

u

8000 V

机器型号，C

u

400 V

无铅包可用

最大额定值

等级

集电极 - 发射极电压

MJD31 ， MJD32

MJD31C ， MJD32C

集电极 - 基极电压

MJD31 ， MJD32

MJD31C ， MJD32C

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

- 山顶

基极电流

总功率耗散@ T

C

= 25°C

减免上述25℃

总功率耗散@ T

A

= 25°C

减免上述25℃

工作和存储结

温度范围

V

EB

I

C

I

B

P

D

P

D

T

J

, T

英镑

V

CB

40

100

5

3

5

1

15

0.12

1.56

0.012

-65

+ 150

VDC

ADC

W

W / ℃，

W

W / ℃，

°C

符号

V

首席执行官

40

100

VDC

1

2

3

最大

单位

VDC

1 2

3

硅

功率晶体管

3安培

40和100伏

15瓦

记号

图表

4

DPAK

CASE 369C

风格1

YWW

J3xxG

4

DPAK3

CASE 369D

风格1

YWW

J3xxG

Y

WW

xx

G

=年

=工作周

= 1 ，1C ，2或2C

= Pb-Free包装

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第5页上。

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏

和可靠性可能会受到影响。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

热特性

特征

热阻，结到外壳

热阻，结到环境*

无铅焊接温度的目的

符号

R

QJC

R

qJA

T

L

最大

8.3

80

260

单位

° C / W

°C

*这些评价适用面安装在最小焊盘尺寸时，

推荐使用。

半导体元件工业有限责任公司， 2005年

1

2005年6月 - 修订版6

出版订单号：

MJD31/D

1.脉冲测试：脉冲宽度

v

300

女士，

占空比

v

2%.

2. f

T

=

h

fe

f

TEST

.

动态特性

基本特征

（注1 ）

开关特性

电气特性

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

发射Cuto FF电流

(V

BE

= 5 VDC ，我

C

= 0)

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

=额定V

首席执行官

, V

EB

= 0)

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

= 40 VDC ，我

B

= 0)

(V

CE

= 60 VDC ，我

B

= 0)

集电极 - 发射极耐受电压（注1 ）

(I

C

= 30 MADC ，我

B

= 0)

小信号电流增益

(I

C

= 0.5 ADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1千赫）

电流增益 - 带宽积（注2 ）

(I

C

= 500 MADC ，V

CE

= 10 VDC ，女

TEST

= 1兆赫）

基射极电压ON

(I

C

= 3的ADC ，V

CE

= 4伏）

集电极 - 发射极饱和电压

(I

C

= 3的ADC，我

B

= 375 MADC ）

直流电流增益

(I

C

= 1 ADC ，V

CE

= 4伏）

(I

C

= 3的ADC ，V

CE

= 4伏）

MJD31 ， MJD31C （ NPN ）， MJD32 ， MJD32C （ PNP ）

特征

MJD31 ， MJD32

MJD31C ， MJD32C

MJD31 ， MJD32

MJD31C ， MJD32C

http://onsemi.com

V

CEO （ SUS ）

符号

V

CE （ SAT ）

V

BE（上）

冰

I

首席执行官

I

EBO

h

FE

h

fe

f

T

民

40

100

20

25

10

3

最大

1.8

1.2

20

50

1

MADC

兆赫

单位

VDC

2

MJD31 ， MJD31C （ NPN ）， MJD32 ， MJD32C （ PNP ）

典型特征

T

A

T

C

2.5 25

PD ，功耗（瓦）

25

ms

+11 V

0

1.5 15

T

A

（表面贴装）

T

C

9 V

t

r

, t

f

≤

10纳秒

占空比= 1 ％

51

4 V

D

1

R

B

V

CC

+30 V

R

C

范围

2 20

1 10

0.5

5

0

25

50

75

100

T，温度（ ° C）

125

150

R

B

和R

C

变化，以获得所需的电流水平

D

1

必须快速恢复类型，例如：

1N5825上面使用我

B

≈

百毫安

MSD6100下使用我

B

≈

百毫安

REVERSE ALL FOR极性PNP 。

图1.功率降额

图2.开关时间测试电路

500

300

的hFE ， DC电流增益

T

J

= 150°C

25°C

T， TIME （

μ

s)

55

°C

V

CE

= 2 V

2

1

0.7

0.5

0.3

t

r

@ V

CC

= 30 V

I

C

/I

B

= 10

T

J

= 25°C

100

70

50

30

t

r

@ V

CC

= 10 V

0.1

0.07

0.05

0.03

0.02

0.03

t

d

@ V

BE （OFF）的

= 2 V

10

7

5

0.03

0.05 0.07 0.1

0.3

0.5

0.7

1

3

0.05 0.07 0.1

0.3

0.5 0.7

1

3

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

图3.直流电流增益

图4.开启时间

1.4

1.2

V，电压（V ）

1

0.8

V

BE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 10

0.6

V

BE

@ V

CE

= 2 V

0.4

0.2

V

CE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 10

T， TIME （

μ

s)

T

J

= 25°C

3

2

t

s

′

1

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.1

0.2 0.3 0.5

1

2 3

0.03

0.05 0.07 0.1

0.2

0.3

0.5 0.7

t

f

@ V

CC

= 10 V

t

f

@ V

CC

= 30 V

I

B1

= I

B2

I

C

/I

B

= 10

t

s

′

= t

s

1/8 t

f

T

J

= 25°C

0

0.003 0.005 0.01 0.02 0.03 0.05

1

2

3

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

图5.为“ON”电压

图6.开启，关闭时间

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3

MJD31 ， MJD31C （ NPN ）， MJD32 ， MJD32C （ PNP ）

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

2

T

J

= 25°C

1.6

I

C

= 0.3 A

1A

3A

电容（pF）

200

300

T

J

= +25°C

1.2

100

C

eb

70

50

C

cb

0.8

0.4

0

1

2

5

10

20

50

100

I

B

，基极电流（毫安）

200

500

1000

30

0.1

0.2 0.3

0.5

1

2 3

5

10

V

R

，反向电压（伏）

20 30 40

图7.集电极饱和区

图8.电容

R（T ），瞬态热阻（标准化）

1

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.03

0.02

0.01

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.01

单脉冲

R

QJC （T ）

= R（T ）R

QJC

R

QJC

= 8.33 ° C / W MAX

D曲线任选一功率

脉冲序列如图

读取时间AT＆T

1

T

J（下PK）

T

C

= P

（ PK）

q

JC （T ）

P

（ PK）

t

1

t

2

占空比D = T

1

/t

2

0.02 0.03

0.05

0.1

0.2 0.3

0.5

1

2 3

5

吨，时间（ ms）的

10

20

30

50

100

200 300

500

1k

图9.热响应

10

IC ，集电极电流（ AMPS ）

5

3

2

1

0.5

0.3

0.2

0.1

dc

WIRE BOND LIMIT

热限制

第二击穿极限

曲线适用于低于额定V

首席执行官

T

C

= 25°C单脉冲

T

J

= 150°C

MJD31 ， MJD32

MJD31C ， MJD32C

3

5 7 10

20 30

50 70 100 150

V

CE

，集电极 - 发射极电压（伏）

100

ms

500

ms

1毫秒

0.05

0.03

0.02

0.01

1.5 2

有对的功率处理能力两方面的局限性

晶体管：平均结温及第二

击穿。安全工作区曲线表明我

C

V

CE

晶体管必须可靠地观察到极限

操作;即，晶体管不能承受较大的

功耗比曲线表示。

图10的数据是基于T

J（下PK）

= 150_C ;牛逼

C

is

可变根据条件。其次，脉细数

限制是有效的占空比来假定T 10 ％

J（下PK）

v

150_C 。牛逼

J（下PK）

可以从在数据计算

图9.在高温情况下，热限制将

减少可处理到的值小于所述的功率

通过限制二次击穿的罚款。

图10.活动区的安全工作区

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MJD31 ， MJD31C （ NPN ）， MJD32 ， MJD32C （ PNP ）

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MJD31CRLG

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MJD31CT4G

MJD31T4

MJD31T4G

MJD32C

MJD32CG

MJD32C1

MJD32C1G

MJD32CRL

MJD32CRLG

MJD32CT4

MJD32CT4G

MJD32RL

MJD32RLG

MJD32T4

MJD32T4G

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DPAK

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（无铅）

DPAK

（无铅）

DPAK

（无铅）

DPAK

（无铅）

DPAK

（无铅）

DPAK3

（无铅）

DPAK

（无铅）

DPAK

（无铅）

DPAK

（无铅）

DPAK

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包

369C

369D

369C

369D

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航运

75单位/铁

1800磁带&卷轴

2500磁带&卷轴

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