摩托罗拉
半导体技术资料
飞思卡尔半导体公司
订购此文件
通过MRF5S19150 / D
射频亚 - 美光MOSFET线
射频功率场效应晶体管MRF5S19150R3
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
MRF5S19150SR3
专为PCN和PCS基站应用从频率
1 。 9吨O 2 。为0G 态。 S uitablefor TDMA ， CDMA和multic arrier放大器
应用程序。
典型2 - 载波N - 为V CDMA性能
DD
= 28伏，
P
OUT
= 32瓦，我
DQ
= 1400毫安， F1 = 1958.75兆赫， F2 = 1961.25兆赫
IS - 95 CDMA （先导，同步，寻呼，交通守则8 13 ）
1.2288 MHz信道带宽的载体。相邻信道测
在30kHz处的带宽为f1 - 885千赫和f2 885千赫。失真
产品实测超过1.2288 MHz的带宽，在F1 - 2.5 MHz和
F2 2.5兆赫。峰值/平均。 = 9.8分贝@ CCDF上0.01 ％的概率。
输出功率 - 32瓦的魅力。
功率增益 - 14分贝
效率 - 26 ％
ACPR - - 50分贝
IM3 - - 36.5 dBc的
内部匹配，控制Q，为方便使用
高增益，高效率和高线性度
集成ESD保护
专为最大增益和插入相位平坦度
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流电， F1 = 1960兆赫，
100瓦CW输出功率
优良的热稳定性
资格高达32 V工作一个最大
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
1990年兆赫， 32 W， 28 V
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
飞思卡尔半导体公司...
CASE 465B - 03 ，风格1
NI - 880
MRF5S19150R3
CASE 465℃ - 02 ，风格1
NI - 880
MRF5S19150SR3
最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
CW操作
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
CW
价值
65
- 0.5, +15
357
2
- 65 + 150
200
100
单位
VDC
VDC
瓦
W / ℃，
°C
°C
瓦
热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80 ° C， 100瓦CW
外壳温度80 ° C， 32瓦CW
符号
R
θJC
值（1,2）
0.49
0.53
单位
° C / W
（1）平均无故障时间计算器可在http://www.motorola.com/semiconductors/rf 。选择工具/软件/应用软件/计算器来
按产品访问MTTF计算器。
（ 2 ）请参见AN1955 / D，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.motorola.com/semiconductors/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
REV 1
摩托罗拉RF
摩托罗拉公司2004年
设备数据
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MRF5S19150R3 MRF5S19150SR3
1
飞思卡尔半导体公司
ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
充电器型号
类
1 （最低）
M3 （最低）
C7 （最低）
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
栅源漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 360
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 1400 MADC ）
漏源开 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 3.6 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 3.6 ADC）
动态特性
反向传输电容（ 1 ）
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
C
RSS
—
3.1
—
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
2.5
—
—
—
2.8
3.8
0.24
9
3.5
—
—
—
VDC
VDC
VDC
S
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
飞思卡尔半导体公司...
功能测试
（在摩托罗拉测试夹具， 50欧姆系统） 2 - 载波N - CDMA ， 1.2288 MHz信道带宽的运营商。
峰值/平均=上CCDF 9.8分贝@ 0.01 ％的概率。
共源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 32瓦的魅力，我
DQ
= 1400毫安， F1 = 1930兆赫，
F2 = 1932.5 MHz和F1 = 1987.5兆赫， F2 = 1990兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 32瓦的魅力，我
DQ
= 1400毫安， F1 = 1930兆赫，
F2 = 1932.5 MHz和F1 = 1987.5兆赫， F2 = 1990兆赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 32瓦的魅力，我
DQ
= 1400毫安， F1 = 1930兆赫，
F2 = 1932.5 MHz和F1 = 1987.5兆赫， F2 = 1990 MHz的; IM3测
在1.2288 MHz的带宽，在F1 - 2.5兆赫和f2 2.5兆赫
参考载波信道功率）。
相邻通道功率比
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 32瓦的魅力，我
DQ
= 1400毫安， F1 = 1930兆赫，
F2 = 1932.5 MHz和F1 = 1987.5兆赫， F2 = 1990 MHz的; ACPR
测得超过30 kHz带宽的F1 - 885 MHz和F2 885兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 32瓦的魅力，我
DQ
= 1400毫安， F1 = 1930兆赫，
F2 = 1932.5 MHz和F1 = 1987.5兆赫， F2 = 1990兆赫）
（ 1 ）部分是输入和输出内部匹配两种。
G
ps
13
14
—
dB
η
24
26
—
%
IM3
—
- 36.5
- 35
dBc的
ACPR
—
- 50
- 48
dBc的
IRL
—
- 17
-9
dB
MRF5S19150R3 MRF5S19150SR3
2
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摩托罗拉RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
+
C9
R1
V
GG
R2
+
C8
C7
C6
C5
C14
Z11
RF
输入
Z8
Z1
Z2
C1
Z3
C2
Z4 C4
C3
Z5
Z6
Z7
Z12
Z9
DUT
Z10
Z13
Z14
C24
Z15
RF
产量
R3
C15
C16
+
C21
+
C22
V
DD
+
C23
B1
C17
C18
+
C19
+
C20
B2
C26
C27
+
C32
+
C30
+
C33
+
C31
飞思卡尔半导体公司...
+
C10
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
C11
C12
R4
C13
C25
C28
C29
1.023 “× 0.082 ”微带
0.398 “× 0.082 ”微带
0.203 “× 0.082 ”微带
0.074 “× 0.082 ”微带
0.630 “× 0.084 ”微带
0.557 “× 1.030 ”× 0.237 “微带锥度
0.103 “× 1.030 ”微带
1.280 “× 0.046 ”微带
Z9
Z10
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
PCB
1.280 “× 0.046 ”微带
0.090 “× 1.055 ”微带
1.125 “× 0.068 ”微带
1.125 “× 0.068 ”微带
0.505 “× 1.055 ”微带
0.898 “× 0.105 ”微带
1.133 “× 0.082 ”微带
阿尔隆GX0300 - 55 - 22 ， 0.03 “ ，
ε
r
= 2.55
图1. MRF5S19150测试电路原理图
表1. MRF5S19150测试电路组件牌号和值
部分
B1, B2
C1, C2
C3
C4, C5, C13, C14, C24, C25
C8, C10
C6, C12, C16, C17, C18, C27, C28, C29
C7, C11, C15, C26
C9
C23
C19, C20, C21, C22, C30, C31, C32, C33
R1
R2
R3, R4
短RF珠
0.6 - 4.5可变电容器， Gigatrim
0.8 pF的贴片电容，B案例
9.1 pF的贴片电容，B案例
1.0
F,
50 V贴片钽电容
0.1
F
贴片电容，B案例
1000 pF的贴片电容，B案例
100
F,
50 V电解电容
470
F,
63 V电解电容
22
F,
35 V钽电容器
1千瓦的贴片电阻
560千瓦的贴片电阻
12
W
贴片电阻
描述
摩托罗拉RF设备数据
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MRF5S19150R3 MRF5S19150SR3
3
飞思卡尔半导体公司
C17 C18
C9
B1 R3
V
GG
R2
R1
C15
C8
C7
C6
C16
C21 C22
C24
切出区
C5
V
DD
C14
C19 C20 C23
C4
C1
C2
C10
C3
C11
C12
C32 C33
C26
C27
飞思卡尔半导体公司...
B2
MRF5S19150
转4
R4
C13
C25
C30 C31
C28 C29
图2. MRF5S19150测试电路元件布局
MRF5S19150R3 MRF5S19150SR3
4
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摩托罗拉RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
15
14
13
PS ，功率增益（分贝）
12
11
10
9
8
7
6
ACPR
IM3
1.228 MHz的信道带宽
峰值/平均。 = 9.8分贝@ 0.01 ％概率（ CCDF ）
IRL
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 32瓦（平均） ，我
DQ
= 1400毫安
2载波的N- CDMA中， 2.5兆赫载波间隔
G
ps
η
40
35
30
25
20
30
35
40
45
50
1920
1940
1960
1980
2000
55
2020
η
，沥干
效率（％）
IM3 （ DBC） ， ACPR （ DBC）
10
20
30
40
50
60
IRL ，输入回波损耗（分贝）
I
DQ
= 2100毫安
1700毫安
5
1900
男，频率（MHz）
飞思卡尔半导体公司...
图3 2 - 载波N - CDMA宽带性能
16
I
DQ
= 2100毫安
15
PS ，功率增益（分贝）
1700毫安
1400毫安
14
1050毫安
13
700毫安
12
11
1
V
DD
= 28伏直流
F1 = 1958.75兆赫， F2 = 1961.25兆赫
双色测量， 2.5 MHz的音调间隔
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
IM3 ，三阶
互调失真（ DBC）
15
20
25
30
35
40
700毫安
45
50
1050毫安
55
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
1400毫安
V
DD
= 28伏直流
F1 = 1958.75兆赫， F2 = 1961.25兆赫
双色测量， 2.5 MHz的音调间隔
图4.两个 - 音频功率增益与
输出功率
图5.三阶互调与
输出功率
IMD ，互调失真（ DBC）
20
25
噘嘴，输出功率（dBm ）
30
35
40
45
7阶
50
55
60
0.1
1
TWO- TONE间隔（MHz ）
10
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 150 W（ PEP ） ，我
DQ
= 1400毫安
双色测量，中心频率= 1960 MHz的
五阶
3阶
59
58
57
56
55
的P1dB = 53.01 dBm的（ 199.99 W）
54
53
52
51
50
49
35
36
37
38
39
V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1400毫安
脉冲CW ， 8
微秒
（上） ， 1毫秒（关闭）
中心频率= 1960 MHz的
40
41
42
43
44
45
P3dB = 53.71 dBm的（ 234.96 W）
P
in
输入功率（dBm ）
图6.互调失真产品
与音频间隔
图7.脉冲CW输出功率与
输入功率
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通过MRF5S19150 / D
射频亚 - 美光MOSFET线
射频功率场效应晶体管MRF5S19150R3
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
MRF5S19150SR3
专为PCN和PCS基站应用从频率
1 。 9吨O 2 。为0G 态。 S uitablefor TDMA ， CDMA和multic arrier放大器
应用程序。
典型2 - 载波N - 为V CDMA性能
DD
= 28伏，
P
OUT
= 32瓦，我
DQ
= 1400毫安， F1 = 1958.75兆赫， F2 = 1961.25兆赫
IS - 95 CDMA （先导，同步，寻呼，交通守则8 13 ）
1.2288 MHz信道带宽的载体。相邻信道测
在30kHz处的带宽为f1 - 885千赫和f2 885千赫。失真
产品实测超过1.2288 MHz的带宽，在F1 - 2.5 MHz和
F2 2.5兆赫。峰值/平均。 = 9.8分贝@ CCDF上0.01 ％的概率。
输出功率 - 32瓦的魅力。
功率增益 - 14分贝
效率 - 26 ％
ACPR - - 50分贝
IM3 - - 36.5 dBc的
内部匹配，控制Q，为方便使用
高增益，高效率和高线性度
集成ESD保护
专为最大增益和插入相位平坦度
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流电， F1 = 1960兆赫，
100瓦CW输出功率
优良的热稳定性
资格高达32 V工作一个最大
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
1990年兆赫， 32 W， 28 V
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
飞思卡尔半导体公司...
CASE 465B - 03 ，风格1
NI - 880
MRF5S19150R3
CASE 465℃ - 02 ，风格1
NI - 880
MRF5S19150SR3
最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
CW操作
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
CW
价值
65
- 0.5, +15
357
2
- 65 + 150
200
100
单位
VDC
VDC
瓦
W / ℃，
°C
°C
瓦
热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80 ° C， 100瓦CW
外壳温度80 ° C， 32瓦CW
符号
R
θJC
值（1,2）
0.49
0.53
单位
° C / W
（1）平均无故障时间计算器可在http://www.motorola.com/semiconductors/rf 。选择工具/软件/应用软件/计算器来
按产品访问MTTF计算器。
（ 2 ）请参见AN1955 / D，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.motorola.com/semiconductors/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
REV 1
摩托罗拉RF
摩托罗拉公司2004年
设备数据
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1
飞思卡尔半导体公司
ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
充电器型号
类
1 （最低）
M3 （最低）
C7 （最低）
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
栅源漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 360
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 1400 MADC ）
漏源开 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 3.6 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 3.6 ADC）
动态特性
反向传输电容（ 1 ）
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
C
RSS
—
3.1
—
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
2.5
—
—
—
2.8
3.8
0.24
9
3.5
—
—
—
VDC
VDC
VDC
S
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
飞思卡尔半导体公司...
功能测试
（在摩托罗拉测试夹具， 50欧姆系统） 2 - 载波N - CDMA ， 1.2288 MHz信道带宽的运营商。
峰值/平均=上CCDF 9.8分贝@ 0.01 ％的概率。
共源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 32瓦的魅力，我
DQ
= 1400毫安， F1 = 1930兆赫，
F2 = 1932.5 MHz和F1 = 1987.5兆赫， F2 = 1990兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 32瓦的魅力，我
DQ
= 1400毫安， F1 = 1930兆赫，
F2 = 1932.5 MHz和F1 = 1987.5兆赫， F2 = 1990兆赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 32瓦的魅力，我
DQ
= 1400毫安， F1 = 1930兆赫，
F2 = 1932.5 MHz和F1 = 1987.5兆赫， F2 = 1990 MHz的; IM3测
在1.2288 MHz的带宽，在F1 - 2.5兆赫和f2 2.5兆赫
参考载波信道功率）。
相邻通道功率比
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 32瓦的魅力，我
DQ
= 1400毫安， F1 = 1930兆赫，
F2 = 1932.5 MHz和F1 = 1987.5兆赫， F2 = 1990 MHz的; ACPR
测得超过30 kHz带宽的F1 - 885 MHz和F2 885兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 32瓦的魅力，我
DQ
= 1400毫安， F1 = 1930兆赫，
F2 = 1932.5 MHz和F1 = 1987.5兆赫， F2 = 1990兆赫）
（ 1 ）部分是输入和输出内部匹配两种。
G
ps
13
14
—
dB
η
24
26
—
%
IM3
—
- 36.5
- 35
dBc的
ACPR
—
- 50
- 48
dBc的
IRL
—
- 17
-9
dB
MRF5S19150R3 MRF5S19150SR3
2
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飞思卡尔半导体公司
+
C9
R1
V
GG
R2
+
C8
C7
C6
C5
C14
Z11
RF
输入
Z8
Z1
Z2
C1
Z3
C2
Z4 C4
C3
Z5
Z6
Z7
Z12
Z9
DUT
Z10
Z13
Z14
C24
Z15
RF
产量
R3
C15
C16
+
C21
+
C22
V
DD
+
C23
B1
C17
C18
+
C19
+
C20
B2
C26
C27
+
C32
+
C30
+
C33
+
C31
飞思卡尔半导体公司...
+
C10
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
C11
C12
R4
C13
C25
C28
C29
1.023 “× 0.082 ”微带
0.398 “× 0.082 ”微带
0.203 “× 0.082 ”微带
0.074 “× 0.082 ”微带
0.630 “× 0.084 ”微带
0.557 “× 1.030 ”× 0.237 “微带锥度
0.103 “× 1.030 ”微带
1.280 “× 0.046 ”微带
Z9
Z10
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
PCB
1.280 “× 0.046 ”微带
0.090 “× 1.055 ”微带
1.125 “× 0.068 ”微带
1.125 “× 0.068 ”微带
0.505 “× 1.055 ”微带
0.898 “× 0.105 ”微带
1.133 “× 0.082 ”微带
阿尔隆GX0300 - 55 - 22 ， 0.03 “ ，
ε
r
= 2.55
图1. MRF5S19150测试电路原理图
表1. MRF5S19150测试电路组件牌号和值
部分
B1, B2
C1, C2
C3
C4, C5, C13, C14, C24, C25
C8, C10
C6, C12, C16, C17, C18, C27, C28, C29
C7, C11, C15, C26
C9
C23
C19, C20, C21, C22, C30, C31, C32, C33
R1
R2
R3, R4
短RF珠
0.6 - 4.5可变电容器， Gigatrim
0.8 pF的贴片电容，B案例
9.1 pF的贴片电容，B案例
1.0
F,
50 V贴片钽电容
0.1
F
贴片电容，B案例
1000 pF的贴片电容，B案例
100
F,
50 V电解电容
470
F,
63 V电解电容
22
F,
35 V钽电容器
1千瓦的贴片电阻
560千瓦的贴片电阻
12
W
贴片电阻
描述
摩托罗拉RF设备数据
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MRF5S19150R3 MRF5S19150SR3
3
飞思卡尔半导体公司
C17 C18
C9
B1 R3
V
GG
R2
R1
C15
C8
C7
C6
C16
C21 C22
C24
切出区
C5
V
DD
C14
C19 C20 C23
C4
C1
C2
C10
C3
C11
C12
C32 C33
C26
C27
飞思卡尔半导体公司...
B2
MRF5S19150
转4
R4
C13
C25
C30 C31
C28 C29
图2. MRF5S19150测试电路元件布局
MRF5S19150R3 MRF5S19150SR3
4
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摩托罗拉RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
15
14
13
PS ，功率增益（分贝）
12
11
10
9
8
7
6
ACPR
IM3
1.228 MHz的信道带宽
峰值/平均。 = 9.8分贝@ 0.01 ％概率（ CCDF ）
IRL
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 32瓦（平均） ，我
DQ
= 1400毫安
2载波的N- CDMA中， 2.5兆赫载波间隔
G
ps
η
40
35
30
25
20
30
35
40
45
50
1920
1940
1960
1980
2000
55
2020
η
，沥干
效率（％）
IM3 （ DBC） ， ACPR （ DBC）
10
20
30
40
50
60
IRL ，输入回波损耗（分贝）
I
DQ
= 2100毫安
1700毫安
5
1900
男，频率（MHz）
飞思卡尔半导体公司...
图3 2 - 载波N - CDMA宽带性能
16
I
DQ
= 2100毫安
15
PS ，功率增益（分贝）
1700毫安
1400毫安
14
1050毫安
13
700毫安
12
11
1
V
DD
= 28伏直流
F1 = 1958.75兆赫， F2 = 1961.25兆赫
双色测量， 2.5 MHz的音调间隔
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
IM3 ，三阶
互调失真（ DBC）
15
20
25
30
35
40
700毫安
45
50
1050毫安
55
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
1400毫安
V
DD
= 28伏直流
F1 = 1958.75兆赫， F2 = 1961.25兆赫
双色测量， 2.5 MHz的音调间隔
图4.两个 - 音频功率增益与
输出功率
图5.三阶互调与
输出功率
IMD ，互调失真（ DBC）
20
25
噘嘴，输出功率（dBm ）
30
35
40
45
7阶
50
55
60
0.1
1
TWO- TONE间隔（MHz ）
10
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 150 W（ PEP ） ，我
DQ
= 1400毫安
双色测量，中心频率= 1960 MHz的
五阶
3阶
59
58
57
56
55
的P1dB = 53.01 dBm的（ 199.99 W）
54
53
52
51
50
49
35
36
37
38
39
V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1400毫安
脉冲CW ， 8
微秒
（上） ， 1毫秒（关闭）
中心频率= 1960 MHz的
40
41
42
43
44
45
P3dB = 53.71 dBm的（ 234.96 W）
P
in
输入功率（dBm ）
图6.互调失真产品
与音频间隔
图7.脉冲CW输出功率与
输入功率
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MRF5S19150R3 MRF5S19150SR3
5
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