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MJD31 / 31C - NPN外延硅晶体管
2012年2月
MJD31/31C
NPN外延硅晶体管
特点
通用扩增fi er
低速切换应用程序
负载形成了表面贴装应用（没有后缀）
直导线（ I- PAK ， “ - I”后缀）
电类似于热门TIP31和TIP31C
1
D- PAK
1.Base
1
I- PAK
3.Emitter
2.Collector
绝对最大额定值
符号
V
CBO
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
集电极 - 基极电压
： MJD31
： MJD31C
集电极 - 发射极电压
： MJD31
： MJD31C
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散（T
C
= 25°C)
集电极耗散（T
a
= 25°C)
结温
储存温度
价值
40
100
40
100
5
3
1
1
15
1.56
150
- 65 150
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
J
T
英镑
订购信息
产品型号
MJD31CTF
MJD31CITU
记号
MJD31C
MJD31C-I
包
D- PAK
I- PAK
包装方法
磁带&卷轴
管
备注
2012仙童半导体公司
MJD31 / 31C版本A4
1
www.fairchildsemi.com
MJD31 / 31C - NPN外延硅晶体管
电气特性
符号
V
首席执行官
（ SUS）的
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
*集电极发射极耐受电压
： MJD31
： MJD31C
集电极截止电流
： MJD31
： MJD31C
集电极截止电流
： MJD31
： MJD31C
发射极截止电流
*直流电流增益
*集电极 - 发射极饱和电压
*基射极电压ON
电流增益带宽积
测试条件
I
C
= 30mA时我
B
= 0
I
C
= 30mA时我
B
= 0
V
CE
= 40V ，我
B
= 0
V
CE
= 60V ，我
B
= 0
V
CE
= 40V, V
BE
= 0
V
CE
= 100V, V
BE
= 0
V
BE
= 5V ，我
C
= 0
V
CE
= 4V ，我
C
= 1A
V
CE
= 4V ，我
C
= 3A
I
C
= 3A ，我
B
= 375毫安
V
CE
= 4A ，我
C
= 3A
V
CE
= 10V ，我
C
= 500毫安
分钟。
40
100
马克斯。
单位
V
V
I
首席执行官
50
50
20
20
1
25
10
50
1.2
1.8
3
μA
μA
μA
μA
mA
I
CES
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（上）
f
T
V
V
兆赫
*脉冲测试： PW≤300μs ，职务Cycle≤2 ％
2012仙童半导体公司
MJD31 / 31C版本A4
2
www.fairchildsemi.com
MJD31 / 31C - NPN外延硅晶体管
典型性能特性
V
BE
（SAT） ，V
CE
（饱和） [ V]时，饱和电压
1000
10
V
CE
= 2V
I
C
= 10 I
B
h
FE
，直流电流增益
100
1
V
BE
（SAT）
10
0.1
V
CE
（SAT）
1
0.01
0.1
1
10
0.01
1E-3
0.01
0.1
1
10
I
C
[A] ，集电极电流
I
C
[A] ，集电极电流
图1.直流电流增益
图2.基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
1000
t
C
= 10.I
B
C
ob
[ pF的] ，电容
100
t
R
, t
D
[
μ
S] ， TURN ON TIME
1
t
R
, V
CC
=30V
t
R
, V
CC
=10V
0.1
10
t
D
, V
BE
(off)=2V
1
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
V
CB
[V] ，集电极基极电压
I
C
[A] ，集电极电流
图3.集电极电容
图4.开启时间
10
t
C
= 10.I
B
I
CP
（最大）
s
0
μ
10
t
F
,t
英镑
[
μ
S] ，关断时间
s
0
μ
50
I
C
[A] ，集电极电流
I
C
（最大）
s
1m
1
1
t
英镑
t
F
, V
CC
=30V
DC
t
F
, V
CC
(off)=10V
0.1
0.1
0.01
0.1
1
10
0.01
1
10
100
1000
I
C
[A] ，集电极电流
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
图5.关闭时间
图6.安全工作
2012仙童半导体公司
MJD31 / 31C版本A4
3
MJD31
MJD31C
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MJD31 / 31C - NPN外延硅晶体管
典型性能特性
（续）
20
P
C
[W] ，功率耗散
15
10
5
0
0
25
50
o
75
100
125
150
175
T
C
[C] ，外壳温度
图7.功率降额
2012仙童半导体公司
MJD31 / 31C版本A4
4
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MJD31 / 31C - NPN外延硅晶体管
物理尺寸
D- PAK
单位：毫米
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5
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MC2DU256NACC-0QC00
MI-P74J-MXW
MI-P74T-MYW
MAZS082
MGB51
MC56U064HMFC-0QC00
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MJD31CTF
    -
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    -
    -
    终端采购配单精选

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深圳市汇景欣电子有限公司
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电话：0755-23051326
联系人：张先生
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MJD31CTF
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MJD31CTF
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