【MJD31 / 31C - NPN外延硅晶体管2012年2月MJD31/31CNPN外延硅晶体管特点】,IC型号MJD31CTF,MJD31CTF PDF资料,MJD31CTF经销商,ic,电子元器件-51电子网

MJD31 / 31C - NPN外延硅晶体管

2012年2月

MJD31/31C

NPN外延硅晶体管

特点

通用扩增fi er

低速切换应用程序

负载形成了表面贴装应用（没有后缀）

直导线（ I- PAK ， “ - I”后缀）

电类似于热门TIP31和TIP31C

D- PAK

1.Base

I- PAK

3.Emitter

2.Collector

绝对最大额定值

符号

CBO

= 25 ° C除非另有说明

参数

集电极 - 基极电压

： MJD31

： MJD31C

集电极 - 发射极电压

： MJD31

： MJD31C

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

集电极电流（脉冲）

基极电流

集电极耗散（T

= 25°C)

集电极耗散（T

= 25°C)

结温

储存温度

价值

100

1.56

150

- 65 150

单位

°C

首席执行官

EBO

英镑

订购信息

产品型号

MJD31CTF

MJD31CITU

记号

MJD31C

MJD31C-I

包

D- PAK

I- PAK

包装方法

磁带&卷轴

管

备注

2012仙童半导体公司

MJD31 / 31C版本A4

www.fairchildsemi.com

MJD31 / 31C - NPN外延硅晶体管

电气特性

符号

首席执行官

（ SUS）的

= 25 ° C除非另有说明

参数

*集电极发射极耐受电压

： MJD31

： MJD31C

集电极截止电流

： MJD31

： MJD31C

集电极截止电流

： MJD31

： MJD31C

发射极截止电流

*直流电流增益

*集电极 - 发射极饱和电压

*基射极电压ON

电流增益带宽积

测试条件

= 30mA时我

= 0

= 30mA时我

= 0

= 40V ，我

= 0

= 60V ，我

= 0

= 40V, V

= 0

= 100V, V

= 0

= 5V ，我

= 0

= 4V ，我

= 1A

= 4V ，我

= 3A

= 3A ，我

= 375毫安

= 4A ，我

= 3A

= 10V ，我

= 500毫安

分钟。

100

马克斯。

单位

首席执行官

1.2

1.8

μA

CES

EBO

（SAT）

（上）

兆赫

*脉冲测试： PW≤300μs ，职务Cycle≤2 ％

2012仙童半导体公司

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MJD31 / 31C - NPN外延硅晶体管

典型性能特性

（SAT），V

（饱和） [ V]时，饱和电压

1000

= 2V

= 10 I

，直流电流增益

100

（SAT）

0.1

（SAT）

0.01

0.1

0.01

1E-3

0.01

0.1

[A] ，集电极电流

图1.直流电流增益

图2.基射极饱和电压

集电极 - 发射极饱和电压

1000

= 10.I

[ pF的] ，电容

100

, t

[

S] ， TURN ON TIME

, V

=30V

, V

=10V

0.1

, V

(off)=2V

0.1

100

0.01

0.1

[V] ，集电极基极电压

[A] ，集电极电流

图3.集电极电容

图4.开启时间

= 10.I

（最大）

英镑

[

S] ，关断时间

[A] ，集电极电流

（最大）

英镑

, V

=30V

, V

(off)=10V

0.1

0.01

0.1

0.01

100

1000

[A] ，集电极电流

[V] ，集电极 - 发射极电压

图5.关闭时间

图6.安全工作

2012仙童半导体公司

MJD31 / 31C版本A4

MJD31

MJD31C

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MJD31 / 31C - NPN外延硅晶体管

典型性能特性

（续）

[W] ，功率耗散

100

125

150

175

[C] ，外壳温度

图7.功率降额

2012仙童半导体公司

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物理尺寸

D- PAK

单位：毫米

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MJD31 / 31C版本A4

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26820

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【原装优势★★★绝对有货】

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DPAK

原厂一级代理，原装现货

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ON/安森美

2443+

23000

一级代理专营，原装现货，价格优势

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