摩托罗拉
半导体技术资料
八D型触发器
具有三态输出
该MC74VHC574是一种先进的高速CMOS八进制触发器翻转与
三态输出与制造的硅栅CMOS技术。它实现
类似相当于双极肖特基TTL ,而高速运转
保持CMOS低功耗。
这8位D型触发器由一个时钟输入端和一个输出端的控制
使能输入。当输出使能输入为高时, 8输出处于
高阻抗状态。
内部电路由三个阶段,包括一个缓冲器输出
它提供了高抗噪性和稳定的输出。输入容忍
电压高达7V ,允许5V系统的接口, 3V的系统。
高速的fmax =的180MHz (典型值) ,在VCC = 5V
低功耗: ICC = 4μA (最大)在TA = 25℃
高抗干扰性: VNIH = VNIL = 28 % VCC
掉电保护的输入端
平衡传输延迟
专为2V至5.5V工作电压范围
低噪音: VOLP = 1.2V (最大)
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
闭锁性能超过300毫安
ESD性能: HBM > 2000V ;机器型号> 200V
芯片的复杂性: 266场效应管或66.5等效门
MC74VHC574
DW后缀
20引脚SOIC封装
CASE 751D -04
DT后缀
20引脚TSSOP封装
CASE 948E -02
M后缀
20引脚SOIC封装EIAJ
CASE 967-01
订购信息
MC74VHCXXXDW
SOIC
MC74VHCXXXDT
TSSOP
MC74VHCXXXM
EIAJ SOIC
逻辑图
D0
D1
D2
数据
输入
D3
D4
D5
D6
D7
CP
2
3
4
5
6
7
8
9
11
19
18
17
16
15
14
13
12
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
同相
输出
引脚分配
OE
D0
D1
D2
D3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
VCC
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
CP
Q7
D4
D5
D6
OE
1
D7
GND
功能表
输入
OE
L
L
L
H
CP
D
H
L
X
X
产量
Q
H
L
没有变化
Z
L,H,
X
6/97
摩托罗拉1997年公司
1
REV 1
*绝对最大额定值连续是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。暴露于这些条件或条件以外的指示可能不利地
影响器件的可靠性。在绝对最大额定条件下的功能操作不
暗示。
降额 - SOIC封装: - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装: - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
MC74VHC574
最大额定值*
符号
VCC
VOUT
TSTG
ICC
IOK
IOUT
VIN
PD
IIK
储存温度
功率消耗在静止空气中,
直流电源电流, VCC和GND引脚
直流输出电流,每个引脚
输出二极管电流
输入二极管电流
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
参数
SOIC封装
TSSOP封装
- 0.5 VCC + 0.5
- 65至+ 150
- 0.5 + 7.0
- 0.5 + 7.0
价值
– 20
±
75
±
25
±
20
500
450
单位
mW
mA
mA
mA
mA
DC电气特性
推荐工作条件
摩托罗拉
符号
S B升
符号
VOH
VCC
VOL
VOUT
VIH
TR , TF
VIL
VIN
TA
最底层
输出电压
最小高级别
输出电压
最底层
输入电压
最小高级别
输入电压
输入上升和下降时间
工作温度
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
参数
P
参数
VIN = VIH或VIL
IOL = 4毫安
IOL = 8毫安
VIN = VIH或VIL
IOL = 50μA
VIN = VIH或VIL
IOH = - 4毫安
IOH = - 8毫安
VIN = VIH或VIL
IOH = - 50μA
试验C迪我
T
条件
VCC = 3.3V
VCC = 5.0V
2.0
3.0以
5.5
2.0
3.0以
5.5
VCC
V
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
2
– 40
民
2.0
0
0
0
0
1.50
VCC ×0.7
2.58
3.94
民
1.9
2.9
4.4
VCC
+ 85
最大
100
20
5.5
5.5
TA = 25°C
NS / V
单位
_
C
_
C
典型值
V
V
V
V
V
V
0.0
0.0
0.0
2.0
3.0
4.5
0.50
VCC ×0.3
0.36
0.36
最大
0.1
0.1
0.1
该器件包含保护
电路,以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是,必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压,这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作, Vin和
Vout的应该限制于
范围GND (VIN或Vout)外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平(例如, GND或V CC) 。
未使用的输出必须悬空。
VHC数据 - 高级CMOS逻辑器件
DL203 - 版本1
1.50
VCC ×0.7
TA = - 40 85°C
2.48
3.80
民
1.9
2.9
4.4
v
0.50
VCC ×0.3
0.44
0.44
最大
0.1
0.1
0.1
v
单位
U I
V
V
V
V
AC电气特性
(输入TR = TF = 3.0ns )
DC电气特性
符号
S B升
符号
tOSLH ,
tOSHL
tPLH的,
的TPH1
tPLZ ,
tPHZ
tpZL ,
tpZH
FMAX
COUT
ICC
IOZ
CPD
CIN
IIN
最大三态输出
电容,在输出
高阻抗状态
最大输入电容
输出到输出偏斜
输出禁止时间,
OE为Q
输出使能时间,
OE为Q
最大传播延迟,
CP到Q
最大时钟频率
(50 %占空比)
最大静态
电源电流
最大的三态
漏电流
最大输入
漏电流
电力迪我I C
P
耗散电容(N
i
(注2 )
2.)
参数
参数
P
VIN = VCC或GND
VIN = VIL或VIH
VOUT = VCC或GND
VIN = 5.5V或GND
测试条件
VCC - 5.0
±
0.5V
(注1 )
VCC = 3.3
±
0.3V
(注1 )
VCC - 5.0
±
0.5V
RL = 1KΩ
VCC = 3.3
±
0.3V
RL = 1KΩ
VCC - 5.0
±
0.5V
RL = 1KΩ
VCC = 3.3
±
0.3V
RL = 1KΩ
VCC - 5.0
±
0.5V
VCC = 3.3
±
0.3
VCC - 5.0
±
0.5V
VCC = 3.3
±
0.3V
试验C迪我
T
条件
0至5.5
VCC
V
5.5
5.5
CL = 50pF的
CL = 15pF的
CL = 50pF的
CL = 50pF的
CL = 50pF的
CL = 50pF的
CL = 15pF的
CL = 50pF的
CL = 15pF的
CL = 50pF的
CL = 15pF的
CL = 50pF的
CL = 15pF的
CL = 50pF的
CL = 15pF的
CL = 50pF的
民
民
130
85
80
50
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
TA = 25°C
典型值
TA = 25°C
8.2
10.7
11.0
8.5
11.0
典型值
180
115
125
75
7.1
5.9
7.4
5.6
7.1
—
—
6
4
典型的25°C , VCC = 5.0V
±
0.25
±
0.1
最大
4.0
10.1
15.0
12.8
16.3
13.2
16.7
最大
8.6
10.6
9.0
11.0
1.0
1.5
10
—
—
—
—
—
28
TA = - 40 85°C
民
TA = - 40 85°C
民
110
75
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
65
45
—
—
—
—
2. CPD被定义为从所述工作电流消耗计算出无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到: ICC (OPR
)
= CPD
VCC
鳍+ ICC / 8 (每触发器) 。 CPD被用于确定所述
无负载的动态功耗; PD = CPD
VCC2
散热片+ ICC
VCC 。
1.参数设计保证。 tOSLH = | tPLHm - tPLHn | , tOSHL = | tPHLm - tPHLn | 。
VHC数据 - 高级CMOS逻辑器件
DL203 - 版本1
3
MC74VHC574
±
2.5
±
1.0
40.0
最大
17.0
10.5
12.5
15.0
18.5
10.0
12.0
15.5
19.0
最大
11.5
1.0
1.5
10
—
—
—
—
—
摩托罗拉
pF
F
单位
U I
单位
A
A
A
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
MC74VHC574
噪声特性
(输入TR = TF = 3.0ns , CL = 50pF的, VCC = 5.0V )
TA = 25°C
符号
S B升
VOLP
VOLV
VIHD
VILD
安静输出最大动力VOL
安静的输出最低动态VOL
最小高级别动态输入电压
最大低电平动态输入电压
参数
P
典型值
0.9
– 0.9
—
—
最大
1.2
– 1.2
3.5
1.5
单位
U I
V
V
V
V
时序要求
(输入TR = TF = 3.0ns )
TA = 25°C
符号
S B升
TSU
th
tw
参数
P
最小建立时间,D到CP
最小保持时间, CP为D
最小脉冲宽度, CP
试验C迪我
条件
T
VCC = 3.3
±
0.3 V
VCC - 5.0
±
0.5 V
VCC = 3.3
±
0.3 V
VCC - 5.0
±
0.5 V
VCC = 3.3
±
0.3 V
VCC - 5.0
±
0.5 V
典型值
—
—
—
—
—
—
极限
3.5
3.5
1.5
1.5
5.0
5.0
TA = - 40
至85℃
极限
3.5
3.5
1.5
1.5
5.5
5.0
单位
U I
ns
ns
ns
开关波形
VCC
CP
50%
tw
1/fmax
TPLH
Q
50 % VCC
的TPH1
Q
GND
OE
50%
tPZL
50 % VCC
tpZH
Q
50 % VCC
tPHZ
tPLZ
VCC
GND
高
阻抗
VOL + 0.3V
VOH -0.3V
高
阻抗
图1 。
图2中。
摩托罗拉
4
VHC数据 - 高级CMOS逻辑器件
DL203 - 版本1
ON Semiconductort
八路D型触发器
具有三态输出
MC74VHC574
该MC74VHC574是一种先进的高速CMOS八进制
翻盖翻盖具有三态输出的制造与硅栅CMOS
技术。它实现了类似相当于高速操作
双极肖特基TTL ,同时保持CMOS低功耗
耗散。
这8位D型触发器由一个时钟输入端和一个控制
输出使能输入。当输出使能输入为高时, 8
输出处于高阻抗状态。
内部电路由三个阶段,包括一个缓冲
输出,提供高抗噪性和稳定的输出。该
输入耐受电压高达7V ,允许5V系统的接口
到3V系统。
高速:F
最大
=的180MHz (典型值),在V
CC
= 5V
低功耗:我
CC
= 4μA (最大)在T
A
= 25°C
高抗干扰性: V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28% V
CC
掉电保护的输入端
平衡传输延迟
专为2V至5.5V工作电压范围
低噪音: V
OLP
= 1.2V (最大)
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
闭锁性能超过300毫安
ESD性能: HBM > 2000V ;机器型号> 200V
芯片的复杂性: 266场效应管或66.5等效门
DW后缀
20引脚SOIC封装WIDE
CASE 751D -05
DT后缀
20引脚TSSOP封装
CASE 948E -02
M后缀
20引脚SOIC封装EIAJ
CASE 967-01
订购信息
MC74VHCXXXDW
SOIC宽
MC74VHCXXXDT
TSSOP
MC74VHCXXXM
EIAJ SOIC
w
这些器件采用无铅封装( S)提供。本文规格
适用于标准和无铅器件。请参阅我们的网站:
www.onsemi.com特定无铅订购的部件编号,或
请联系您当地的安森美半导体销售办事处或代表处。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
2006年3月,
启5
1
出版订单号:
MC74VHC574/D
*绝对最大额定值连续是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。暴露于这些条件或条件以外的表示可
器件的可靠性产生不利影响。下的功能操作绝对最大额定值
条件是不是暗示。
降额 - SOIC封装: - 7毫瓦/°C, 65 °至125°C
TSSOP封装:
6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
最大额定值*
符号
V
CC
V
OUT
T
英镑
I
CC
I
OK
I
OUT
V
in
P
D
I
IK
储存温度
功率消耗在静止空气中,
直流电源电流,V
CC
和GND引脚
直流输出电流,每个引脚
输出二极管电流
输入二极管电流
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
参数
SOIC封装
TSSOP封装
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 65至+ 150
- 0.5 + 7.0
- 0.5 + 7.0
价值
20
±
75
±
25
±
20
500
450
单位
mW
mA
mA
mA
mA
_C
V
V
V
DC电气特性
推荐工作条件
符号
符号
V
OH
V
OL
V
CC
V
OUT
V
IH
t
r
, t
f
V
IL
V
in
T
A
最底层
输出电压
最小高级别
输出电压
最底层
输入电压
最小高级别
输入电压
输入上升和下降时间
工作温度
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
参数
参数
V
in
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 4毫安
I
OL
= 8毫安
V
in
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 50μA
V
in
= V
IH
或V
IL
I
OH
=
4mA
I
OH
=
8mA
V
in
= V
IH
或V
IL
I
OH
=
50μA
测试条件
V
CC
= 3.3V
V
CC
= 5.0V
http://onsemi.com
2.0
3.0以
5.5
2.0
3.0以
5.5
V
CC
V
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
40
民
2.0
0
0
0
0
1.50
V
CC
x 0.7
2.58
3.94
民
1.9
2.9
4.4
+ 85
最大
V
CC
100
20
5.5
5.5
T
A
= 25°C
典型值
0.0
0.0
0.0
2.0
3.0
4.5
NS / V
单位
_C
V
V
V
0.50
V
CC
x 0.3
0.36
0.36
最大
0.1
0.1
0.1
该器件包含保护
电路,以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是,必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压,这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作,V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平(例如, GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
1.50
V
CC
x 0.7
T
A
=
4085 ℃下
2.48
3.80
民
1.9
2.9
4.4
0.50
V
CC
x 0.3
0.44
0.44
最大
0.1
0.1
0.1
单位
V
V
V
V
3
28
C
PD
功率耗散电容(注2 )
pF
1.参数设计保证。吨
OSLH
= |t
PLHm
t
PLHn
|, t
OSHL
= |t
PHLm
t
PHLn
|.
2. C
PD
是德音响定义为这是从操作的电流消耗来计算无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到:我
CC ( OPR
)
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
/ 8 (每个触发器) 。
PD
被用于确定所述
无负载的动态功耗; P
D
= C
PD
V
CC2
f
in
+ I
CC
V
CC
.
AC电气特性
(输入吨
r
= t
f
= 3.0ns )
DC电气特性
符号
符号
t
OSLH
,
t
OSHL
t
PLH
,
t
PHL
t
PLZ
,
t
PHZ
t
PZL
,
t
PZH
C
OUT
f
最大
I
CC
I
OZ
C
in
I
in
最大三态输出
电容,在输出
高阻抗状态
最大输入电容
输出到输出偏斜
输出禁止时间,
OE为Q
输出使能时间,
OE为Q
最大传播延迟,
CP到Q
最大时钟频率
(50 %占空比)
最大静态
电源电流
最大
三态漏
当前
最大输入
漏电流
参数
参数
V
in
= V
CC
或GND
V
in
= V
IL
或V
IH
V
OUT
= V
CC
或GND
V
in
= 5.5V或GND
测试条件
V
CC
= 5.0
±
0.5V
(注1 )
V
CC
= 3.3
±
0.3V
(注1 )
V
CC
= 5.0
±
0.5V
R
L
= 1kΩ
V
CC
= 3.3
±
0.3V
R
L
= 1kΩ
V
CC
= 5.0
±
0.5V
R
L
= 1kΩ
V
CC
= 3.3
±
0.3V
R
L
= 1kΩ
V
CC
= 5.0
±
0.5V
V
CC
= 3.3
±
0.3
V
CC
= 5.0
±
0.5V
V
CC
= 3.3
±
0.3V
测试条件
0至5.5
V
CC
V
5.5
5.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
民
民
130
85
80
50
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
T
A
= 25°C
典型值
T
A
= 25°C
8.2
10.7
11.0
8.5
11.0
典型值
180
115
125
75
7.1
5.9
7.4
5.6
7.1
—
—
6
4
典型的25°C ,V
CC
= 5.0V
±
0.25
±
0.1
最大
4.0
10.1
15.0
12.8
16.3
8.6
10.6
13.2
16.7
最大
9.0
11.0
1.0
1.5
10
—
—
—
—
—
T
A
=
4085 ℃下
民
T
A
=
4085 ℃下
民
110
75
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
65
45
—
—
—
—
±
2.5
±
1.0
40.0
最大
17.0
10.5
12.5
15.0
18.5
10.0
12.0
15.5
19.0
最大
11.5
1.0
1.5
10
—
—
—
—
—
单位
单位
μA
μA
μA
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
http://onsemi.com
4