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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
描述
·700V
集电极 - 基极击穿能力
优秀
动态饱和特性
·快速
具有结构转换
ULOW
饱和电压
“高级
技术替代2N6308
应用
·设计
在电路中，需要良好的dynamio饱和
具有结构转换中的电源应用的特点和
其他电感具有结构转换电路。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
I
B
B
MJ6308
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压维持
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
基极电流连续
集电极耗散功率@ T
C
=25℃
结温
存储温度范围
价值
700
380
10
8
4
140
200
-65~200
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
P
C
T
J
T
英镑
热特性
符号
参数
热阻，结到外壳
最大
1.25
单位
℃/W
R
第j个-C
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
MJ6308
典型值
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 10毫安;我
B
= 0
380
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 集电极击穿电压
I
E
= 1.0毫安;我
C
= 0
10
V
V
CE
(sat)-1
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 3A ;我
B
= 0.4A
1
V
V
CE
(sat)-2
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 6A ;我
B
= 1A
B
1
V
V
BE
（SAT）
基射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
= 1A
B
1.5
0.1
1.5
10
V
I
CES
收藏家Cuto FF电流
V
CE
=700V; V
BE
=0V
V
CE
=700V; V
BE
= 0V ，TC = 100 ℃
V
EB
= 10V ;我
C
= 0
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
μA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 8A ; V
CE
=5V
5
20
C
ob
输出电容
V
CE
= 10V ;我
E
= 0; f
TEST
=1.0KHz
100
pF
ISC的网站： www.iscsemi.cn
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MW500-1087
MPSA43DC
MBRS16150
MC68HLC98JL3EIP
MFP05S18K
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    MJ6308
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